对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

500 V高压平面功率VDMOS场效应晶体管结构参数优化

击穿电压是VDMOS器件的重要构造参数之一,它和漏极最大电流IDMAX一同限制了该器件的运转范围.由于击穿电压的范围随功率器件运用范围的不同而出现较大差异,故本文利用Silvaco-TCAD的仿真平台对设定击穿电压为500 V的VDMOS进行结构参数设计与优化.首先对VDMOS设计出合适的外延层参数即外延层掺杂浓度NB和外延层厚度W_e;然后用ATHENA软件对VDMOS进行工艺仿真,得出结果:对VDMOS进行提取的各结构参数与预计相符;最后又通过ATLAS软件对VDMOS的转移特性,击穿特性及输出特性进行仿真,得到的阈值电压及击穿电压与所要求的数值吻合.因此,通过对500 V VDMOS结构参数的优化和改进,从而实现高性能VDMOS器件的高可靠性.     

PDP选址驱动芯片高压管设计

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出，其中高压管的设计是关键，文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV—CMOS结构及其中的高低压转换电路，采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析；通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V，工作电流大于40mA。     

功率VDMOS器件的新型SPICE模型

为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.     

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．对ＭＯＳ电路中的小跨导器件图形的设计及ＶＤＭＯＳ与Ｅ／ＥＭＯＳ的界面设计进行了分析和讨论     

大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真

作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。     

一种功率器件结终端新技术

简单地介绍了结终端技术与功率器件的击穿电压的关系及影响器件击穿电压的因素和功率器件的设计中经常使用的各种结终端技术.提出了带有抗反型层的全场板终端结构,阐述了它的基本原理,并利用Medici软件对其击穿特性进行了模拟.给出了模拟结果.     

FP—JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响

提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系,场板可减弱击穿电压注入剂量的第三性。     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。     

VDMOS结构击穿电压的设计与分析

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应的对穿通击穿电压的改进,经比较,理论结果与测量数据有较好的一致性。     

双导层结构横向功率器件的导通电阻模型及应用研究

横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此,提出了LDMOS三种经典结构的导通电阻模型并研究了漂移区结构参数对导通电阻的影响,它们分别是:Single RESURF,Double RESURF,Dual conduction layer结构。然后借助这些模型研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、漂移区厚度对器件导通电阻的影响。利用MATLAB计算相同器件参数下模型的解析结果。对比模型的解析结果和仿真结果,发现解析结果和仿真结果基本一致,证明了解析模型的正确性。     

部分重叠双栅MOSFET特性的研究

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.     

汽车电动助力转向与主动悬架集成控制及其仿真

文章根据汽车系统动力学原理,建立了汽车电动助力转向和主动悬架集成控制的动力学模型。对PD控制的EPS、最优控制下悬架和集成控制的系统进行了仿真计算。计算结果表明,该模型较好地反映了汽车转向时的实际工况,EPS和主动悬架的集成控制的效果优于单独控制,为系统的集成优化打下了基础。     

车辆悬架系统与电动助力转向系统的集成控制

在建立悬架和转向系统整车动力学模型的基础上,分析主动悬架系统与电动助力转向系统性能之问的相互关系及协调机理,提出调整双系统控制参数的联合优化方法,对主动悬架系统进行自校正控制,对电动助力转向系统进行PID控制,研究集成系统结构参数和控制参数的耦合问题.仿真结果表明,与不加控制、单系统控制相比,集成控制下车辆转向助力效果增强,反应车辆姿态的质心加速度、横摆角速度、车身侧倾角等都有明显提高,车辆的行驶平顺性和操纵稳定性均得到明显加强,整车性能得到提高.     

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.     

降场层对SOI LDMOS击穿特性的影响

借助二维器件仿真软件MEDICI对double RESURF（双重降低表面电场）SOI LDMOS进行了深入研究,分析了降场层的浓度、长度、深度等参数的变化对器件击穿特性的影响.结果表明,无论是降场层浓度、长度还是深度,都存在优值,通过优化这些参数,击穿电压由单RESURF结构的222 V提高到double RESURF结构的236 V,而相应的漂移区浓度由6×1015 cm-3提高到9×1015 cm-3,减小了器件导通电阻.降场层的存在缓解了器件耐压与导通电阻的矛盾关系.     

太阳能游览船舶电力推进系统仿真

?针对新型太阳能游览船舶电力推进系统,分析了该船舶的电力系统构成并在此基础上分别建立电力推进系统推进电机、推进控制策略以及螺旋桨负载的数学模型.结合逆变装置模型,建立电力推进系统整体仿真模型,根据实船的实际参数对模型进行仿真分析.结果表明,所提出的模型能够及时响应电机负载的变化,且抗干扰性强.     

半模基片集成波导和微带转换的分析

为实现基片集成波导结构的小型化,沿场分布对称面将其截成两半,利用等效磁壁限制场型变化,提出了半模基片集成波导结构.在此基础上,研究了半模基片集成波导与微带线的转换问题,并设计Ku波段的半模基片基层波导-微带线转换结构.仿真结果表明,在所设计的频段内,插损优于0.5 dB,反射损耗小于-15 dB,实测结果与仿真结果基本吻合.实验表明,半模基片集成波导能够保持基片集成波导的传播特性.