MEVVA源离子束合成镧硅化物

用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用ＸＲＤ,ＳＥＭ分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量,束流密度及后续热处理条件密切相关,对Ｌａ硅化物的形成过程进行了讨论。     

共掺杂改性TiO2光催化材料的研究进展

以光催化材料TiO_2为研究对象,从金属、非金属之闻的共掺杂出发,介绍了近些年来TiO_2光催化剂与双金属、双非金属、金属与非金属共掺杂的研究现状。发现,当对TiO_2进行双元素的共掺杂,且掺入的两种元素选择适当,掺入量合适时,能够进一步提高光催化材料TiO_2的光催化性能,指出其制备方法的多样化及其逐渐完善,将是其发展方向。     

~（51）VNMR可以作为铁传递蛋白中金属键合的探针

本文给出了利用５１ＶＮＭＲ研究鸡卵铁传递蛋白的实验过程和结果，显示出卵铁传递蛋白的两个结合金属的部位（Ｃ末端与Ｎ末端）在结构和作用上的相似性和差别，并表明了５１ＶＮＭＲ是钒与卵铁传递蛋白结合的高灵敏度的探测工具，可用于研究钒与其它金属蛋白的结合。     

高性能PTCR陶瓷材料的制备

采用正交试验法设计实验,用溶胶－凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 ＰＴＣＲ（Ｐｏｓｉｔｉｖｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 ４种元素掺杂量的改变和烧结制度的改变对ＰＴＣＲ陶瓷材料性能的影响,结果在一定的锰掺杂物浓度范围内,只要各掺杂物彼此搭配合理,利用较高受主浓度掺杂也能获得高性能的低阻 ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究

用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｎｄ离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层,用ＸＲＤ分析了掺杂层的物相,用ＡＥＳ分析了掺杂层中离子的浓度分布,分析表明,在强流钕离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类随注量,束流密度及后续热处理条件的改变而变化,还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。     

Cr元素掺杂碳化硅导致铁磁性的第一性原理研究

基于第一性原理研究了Cr元素掺杂3C-SiC的电子结构和磁性,揭示了Cr元素掺杂3C-SiC的磁矩形成以及铁磁耦合的微观物理机制,发现同时引入N元素后Cr元素掺杂3C-SiC的形成能大幅降低,并对其形成能降低的机理进行了系统的讨论,给出了合理的解释,在过渡金属掺杂时引入N元素能够显著地降低磁性杂质的形成能。     

Fe2O3／TiO2纳米粒子的制备及其结构表征

利用酸催化的溶胶凝胶法（ｓｏｌｇｅｌ）制备了一系列不同Ｆｅ３＋掺杂量的二氧化钛半导体纳米粒子．用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＰＬ、ＵＶ等技术对其结构及其光谱特性进行了研究．     

2019年新型炭电极材料热点回眸

2019年,非金属及金属掺杂和负载的炭电极材料在水分解、H2O2合成、燃料电池、金属-空气电池等领域的应用研究是一个热点,主要集中在非金属掺杂炭材料和单原子金属(M)-N-C材料的制备、原理及相关催化反应机制。采用含掺杂元素的有机前驱体高温热解法,正在成为重要的相关材料制备方法。     

掺铁TiO2用于NO-2光催化降解研究

采用溶胶－凝胶法制备了掺杂铁的ＴｉＯ２粉未,并用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＵＶ－Ｖｉｓ漫反射光谱等技术手段考察了掺入铁ＴｉＯ２粒子形态的变化,以及掺杂与否对氧化降解ＮＯ２＾－的影响。研究结果表明,铁的掺入可影响ＴｉＯ２的结构相变及粒子大小,并且发现掺杂后ＴｉＯ２对ＮＯ２＾－的氧化活性显著提高,在掺杂量３．０％时具有最佳活性。     

球烯C60掺杂过渡金属酞菁配合物在GaAs电极上的光伏效应

在光电化学电池中测定球烯Ｃ６０掺杂的过渡金属酞菁（ＭＰｃ）在ＧａＡｓ电极上所形成异质结的光伏效应，研究不同介质及不同过渡金属酞菁对光伏效应的影响．结果表明：１）Ｃ６０与ＭＰｃ在特定的有机溶剂中可形成新的加合物，以ＵＶ－Ｖｉｓｉｂｌｅ光谱表征，在长波部分有新峰出现；２）Ｃ６０掺杂增强了ＭＰｃ在ＧａＡｓ电极上的光伏效应．与ＧａＡｓ相比，△Ｖ可增强２～３倍；３）不同介质电对对光伏效应有较大的影响，Ｉ３／Ｉ是较好的介质电对．     

生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响

采用MOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征．研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大．在高温GaN生长初期,适当延长GaN的三维生长时间,能明显改善GaN薄膜的结晶性能,降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度,使GaN质量明显提高．     

氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响

采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌．研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响．合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜．研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式,促使GaN三维生长所导致的．     

离子束生物技术改良同源四倍体水稻的设想

利用离子束注入技术对同源四倍体水稻进行遗传改良，有可能为进一步利用水稻强大的杂种优势效应和深入研究水稻无融合生殖现象寻找到新的突破口。对同源四倍体水稻进行遗传改良的技术思路是，瞄准2个总体目标(挖掘水稻的产量潜力和简化水稻杂种优势利用的确定)；采用3种有效技术(离子束生物技术、组织培养技术和多倍体诱导技术)；确定4个研究方向(直接利用同源四倍体水稻的增产潜力、利用同源四倍体水稻的强大杂种优势效应、固定其杂种优势效应和深入研究同源四倍体水稻的生殖发育特性)；达到5个预期目标(探索物种形成的途径、研究生物学特性、寻找遗传变异规律、挖掘潜在利用价值、建立新的育种技术体系)。     

Fe离子注入ZrO2的研究

陶瓷材料的表面性能在很大程度上取决于其表面条件.例如:陶瓷的表面微裂纹影响着机械强度,而磁学及电学性能则对其表面结构及化学成份非常敏感.近年来离子注入法已经开辟了研制现代材料的新途径,并被广泛应用于金属、半导体及部分聚合物材料中.对于陶瓷材料,目前大多数有关这方面的研究集中于改善陶瓷表面的机械性能,很少有论文涉及其表面电性能的改善.本文介绍了一种改善ZrO2陶瓷表面导电性能的新方法.ZrO2陶瓷是绝缘体,常温下其电阻率大于1012Ωcm.通过不同剂量的离子注入可以使得样品表层产生不同程度的电性能变化.试验表明,当采用2×1017Fe/cm2注入,并在950℃下真空退火30分钟,ZrO2的表面电阻率将下降十余个数量级,从而大幅度提高了样品的导电性.文中还通过应 用X射线衍射及光电子能谱技术,分别对注入元素的化学结合状态及表面注入层的结晶相进行了较为详细的讨论.从XPS测试发现,注入离子在ZrO2表层中以Fe2+、Fe3+及Fe0三种形式的状态存在;X射线衍射数据表明,注入层中除ZrO2主晶相外,还存在少量的FeZrO3等晶相.文章的最后部分讨论了离子注入样品的导电机制.     

非磁性/磁性掺杂剂对SnO2体系的性能调控

本文通过第一性原理计算在GGA + U 框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质. 计算得到的形成能结果表明, V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定. 其中, VO存在的掺杂体系稳定性更高, 而VSn对掺杂体系的稳定性不利. 磁性分析表明, Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩. 当有点缺陷存在时, VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性, 而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同：当VO存在于Li掺杂体系时, Li原子周围的O原子自旋极化减少, 因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在, 磁性不仅来源于V原子的自旋极化, 同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大. 结合电子结构分析可知, Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的, V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的. 键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性. 在可见光区域内, Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度. 以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.     

金属杂质对二氧化钛光催化性能的影响

在二氧化钛中引入金属杂质以提高二氧化钛的光催化活性受到人们的广泛研究。本文对金属杂质引起的二氧化钛光催化性能的改变进行了综述，总结了含有金属杂质的二氧化钛光催化降解有机物的机理，并对今后可能需进行的研究进行了探讨。     

过渡元素离子表面改性锐钛型TiO2光催化活性规律探讨

试验考察第一过渡周期元素离子掺杂改性对锐钛型TiO2（A-TiO2）光催化降解水中十二烷基苯磺酸钠（DBSNa）效果的影响。结果表明，与未改性样品比较，改性后TiO2光催化活性大部分得到提高，除Cu元素掺杂外，掺杂元素电子亲和势与离子半径的比值（Ea／r）与催化活性之间存在一致性；Cu-TiO2光催化活性的降低归结于以一价形式存在。     

可见光响应型TiO2光催化剂研究进展

综述国内外在TiO2可见光光催化研究方面的最新进展.从染料光敏化、阳离子掺杂、阴离子掺杂及新型复合光催化剂四个方面详细探讨该类复合TiO2的制备方法、催化机理、实际效果和缺点;较系统地介绍可见光化光催化剂的研究现状、成果及前景.     

Ce，Sm联合掺杂TiO2薄膜制备及其电致变色特性

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备Ce,Sm联合掺杂TiO2电致变色薄膜,Ce,Sm掺杂的摩尔分数分别为0,2%,5%和10%.采用电化学工作站和紫外可见分光光度计,研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性.结果表明,Ce,Sm的摩尔分数为2%时,薄膜的峰值电流最大,电荷存储能力最强,注入电荷密度为1512mC·cm-2,循环可逆性K值为07.Ce,Sm的摩尔分数为5%和10%时,随着掺杂量的增加,薄膜的峰值电流减小,电荷存储能力变弱.Ce,Sm掺杂TiO2薄膜在可见光范围内具有更好的光学透明度,着色时颜色很浅,着色态和褪色态的光谱透过率几乎一致,均在90%以上,可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料.     

填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究

应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4 Oi.