真实磁垒作用下的量子线的霍尔电导

研究了长量子线系统在一真磁叠作用下的霍尔电导,结果发现了台阶状的霍尔电导,随费米能的增加,将出现了霍尔电导的淬灭及负的强振荡性的霍尔电导。     

钡铁氧化中自旋—轨道耦合对磁光偏转的影响

计算了Ｎｉ％２＋离子取代后的钡铁氧体的Ｆａｒａｄａｙ偏转角，结果表明：对Ｆａｒａｄａｙ偏转角起主要作用的是Ｎｉ＾２＋的基组态中的自旋－轨道耦合，而激发组态中的自旋－轨耦合作用的影响极小，可以忽略。     

铅原子6p7p组态Slater—Gondon参数和自旋—轨道耦合系数的计算

利用ｊｊ－耦合下二阶原子精细结构能级表达式,计算ＰｂＩ电子组态６ｐ７ｐ组态Ｓｌａｔｅｒ－Ｇｏｎｄｏｎ以在数－Ｇ＾０,Ｆ＾２,Ｇ＾２和自旋一轨道耦合系     

自旋系统量子热机循环

建立了一种以无相互作用的自旋系统为工质的量子热机循环模型,基于量子主方程和半群方法,分析了循环的性能特征及其时间演化公式,推导出效率和输出功率的一般表达式,在高温极限下详细推导出它们的具体优化特征.从微观上分析了热机循环的性能优化.     

无耗散介观电感耦合电路中电压和电流的量子涨落

从经典运动方程出发,对无耗散介观电感耦合电路体系进行了量子化处理,并研究了体系处在任一本征态时电流、电压的量子涨落,结果表明:每个回路中电流、电压的量子涨落不仅与体系所处状态、该回路的元件有关,而且与体系中另一个回路的元件、两个回路的互感系数有关.     

d~8低自旋配合物分子轨道稳定化能曲面研究

本文自编程序计算了d~8低自旋配合物中不同方向上的配体与不同电子构型的中心离子相配位所产生的分子轨道稳定化能(MOSE),并绘制了分子轨道稳定化能曲面,从而满意地解释了d~8低自旋配合物的几何构型.     

通过分子轨道稳定化能曲面研究d~8低自旋配合物的几何构型

自编程序计算了d8低自旋配合物中心离子不同d电子分布时配体在不同空间方向上与中心离子配位所产生的分子轨道稳定化能 ,并首次绘制了分子轨道稳定化能曲面 ,由此阐明了该类配合物的配位数、几何构型、配体配位方向等随中心离子电子排布不同而发生的变化     

电子波函数相位对耦合量子点系统电子遂穿谱的影响

利用格林函数方法得到了电子遂穿耦合量子点几率谱的表达式,研究了量子点相位对耦合量子点系统电子遂穿几率谱的影响.结果表明,当改变电子通过介观环上臂波函数相位时,电子隧穿量子点的几率幅随着它的增大而增高,同时电子隧穿第一个量子点几率幅的相位随着几率幅的增高而增高.当减小两个量子点间的耦合强度时,共振峰发生了明显变化.     

INDO级别上的最大重迭对称性分子轨道 Ⅲ C—N核自旋偶合常数的计算

采用已建立的INDO级别上的最大重迭对称性分子轨道方法计算得到的密度矩阵和分子中各原子净电荷,求得分子的最大键级杂化轨道,进而研究了C－N核自旋偶合常数,所得计算结果与实验数据一致,结果表明我们建立的理论方法是可行的。     

不变本征算符法求解三模坐标-动量耦合量子谐振子的能级间隔

利用不变本征算符法给出了坐标-动量耦合的三模耦合量子谐振子的能级信息.计算结果表明:不同坐标-动量耦合形式的三模耦合量子谐振子的能级间隔是相同的.     

金属纳米线弯曲形状引起的量子电导相干振荡

利用自由电子模型和散射矩阵方法，研究两端直中间部分呈圆弧形弯曲的金属纳米线电导的量子相干振荡，发现低温下系统的电导在完全直金属纳米线电导常数下振荡，它起源于金属纳米线形状引起电子横向模式间的混合导致传导电子相干，这种效应在未来纳米电路工程设计中可能有重要应用价值。     

宽度非绝热变化量子线的电子输运性质

在自由电子近似下，利用散射矩阵方法研究了两端光滑连着电子库、宽度呈宽-窄-宽和窄-宽-窄非绝热变化量子线（量子波导）的电子输运性质，用Landauer-Biittiker公式解析地计算出了两种情况下系统电子透射率作为入射电子能量和系统几何参数的函数表达式，从而分析得出丁由于量子干涉产生透射极大与极小值时入射能量与几何参数所满足的条件关系并得到了数值验证，这种简单体系的精确解除有重要的基础性意义外，能为研究考虑各种相互作用、外场特别是含时外场作用下的介观电子输运问题提供一个“零级近似”的参考。     

两个人造原子与单模光学腔共振耦合的量子计算方案

阐述了一个小的约瑟夫森结（人造“原子”）与单模光学腔共振耦合的系统，给出了系统的哈密顿量．在一定条件下得到了哈密顿量的简化形式，研究了两个同样的人造“原子”与光学单模腔的共振耦合．提出并进行了量子计算，实现了一个控制一非门逻辑操作的方案．     

半导体量子阱共振隧穿特性分析

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性.利用电子波函数的连接条件,先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率,再利用转移矩阵方法得到电子通过双势垒的隧穿几率.所得结果能较好地解释半导体量子阱结构中的共振隧穿现象.     

适用于精密设备的一种多介质耦合型减振器的减振特性研究

基于电子信息设备等精密设备振冲防护中抗大冲击并兼顾衰减振动的要求,通过巧妙结合空气阻尼和油阻尼及橡胶元件和金属弹性元件,设计了结构微小的多介质耦合减振器原理样机.原理样机的多参数匹配试验研究表明它具有强非线性动态特征,在此基础上结合理论分析形成复合建模方法建立了样机非线性动态特性模型;此建模方法直接引入结构参数,为直接设计具体器件建立了理论基础.研究表明此多介质耦合减振器性能优越并具有良好的设计可控性;此方法还可以应用于其他减振器件研究和设计.