氯原子吸附对氧化铟锡001表面功函数的调制

采用第一性原理计算研究了氯原子吸附对氧化铟锡半导体表面功函数的调制作用,结果表明经过氯原子吸附后的氧化铟锡表面功函数随着氯原子覆盖度的增大而线性地增大。氯原子吸附导致氧化铟锡表面形成电偶极层,这一电偶极层提升了其表面真空势能从而导致功函数的提高。     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展

ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜（ITO）相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点．因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点．综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论．     

Rh纳米粒子电化学制备及其表面增强拉曼效应

利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有着显著影响.通过对上述参数的调控实现了Rh纳米粒子的形貌可控制备,得到了准球形、岛状以及片层状的Rh纳米粒子.此外对岛状Rh纳米粒子在表面增强拉曼光谱中的应用进行了研究.结果表明该种结构具有良好的表面增强拉曼活性.     

Rh纳米粒子电化学制备及其表面增强拉曼效应

利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有着显著影响.通过对上述参数的调控实现了Rh纳米粒子的形貌可控制备,得到了准球形、岛状以及片层状的Rh纳米粒子.此外对岛状Rh纳米粒子在表面增强拉曼光谱中的应用进行了研究.结果表明该种结构具有良好的表面增强拉曼活性.     

共沸蒸馏干燥法制备氧化铟锡纳米粉体及其性能表征

以SnCl4.5H2O和InCl3.4H2O乙醇溶液为原料,采用离子交换除氯水解法及乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥法制备得到了锡铟氢氧化物干粉,用TG-DTA,FT-IR,TEM和XRD等方法对干燥粉体的形貌、物相进行了表征,锡铟氢氧化物粉体在适当的煅烧温度下得到了氧化铟锡粉末.研究结果表明:乙酸异戊酯溶剂是一种非常理想的共沸干燥溶剂,所制得的氧化铟锡纳米晶体颗粒小,分散性好.     

表面处理对柔性胆甾液晶电光特性的影响

在直流电场下,将柔性氧化铟锡聚酯（ITO-PET）膜浸于丙烯酸水溶液中进行电聚合,从而在柔性膜表面实现聚合物的凹凸结构。文章用偏光显微镜研究了不同聚合物浓度稳定的胆甾相液晶形成的聚合物网络的织构和形貌,并对其反射光谱及阈值电压进行了测试,分析得出了表面凹凸结构对双稳态胆甾相液晶显示特性的影响。     

透明隔热抗紫外涂料的研究进展

具有透明隔热性能的玻璃窗户在建筑上有很大的节能效果,氧化铟锡(ITO)、氧化锡锑(ATO)、钨青铜化合物(MxWO3)等材料具有良好的隔热透明的性能,在隔热透明领域内一直都是热门材料.此外,防紫外线性能在日常生活中也非常重要,含有二氧化钛或者氧化锌的复合材料都有很好的防紫外线性能.基于此背景,首先,介绍透明隔热原理、防紫外线涂层的隔热机理;其次,对不同透明隔热抗紫外涂料的类别及其制作方法进行综述;最后,对涂层绝缘透明和抗紫外线性能的影响因素以及隔热透明材料的问题等进行总结和展望.     

氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象

用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1 h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.     

室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射法研究了ＩＴＯ薄膜的结晶形貌和晶体结构     

改性方法对氧化铟锡衬底表面形貌和化学组分的影响

采用溶剂超声、酸、碱处理等方法对氧化铟锡衬底进行表面改性,研究了改性方法对衬底表面性质及其发光二极管器件性能的影响.实验结果表明：衬底表面性质跟改性方法密切相关,酸、碱处理更加有效降低了衬底表面粗糙度和碳污染,优化了衬底的表面形貌和化学组分.另外,器件性能也依赖于衬底表面改性方法,溶剂超声处理的器件存在有明显的电流异常行为,而酸、碱处理的器件表现为正常的二极管伏安特性,并且具有较小的驱动电压.     

ITO薄膜微结构对其光电性质的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3 的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.     

不同表面活性剂对电沉积半金属Bi膜的影响

采用电沉积方法在氧化铟锡玻璃(ITO)基板上制备出Bi薄膜,研究了阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、阴离子表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)以及非离子表面活性剂(Brij56)对Bi3+的循环伏安行为、Bi膜的结构以及表面形态等的影响.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对Bi膜的表面结构形态进行了表征.结果表明,Brij56对Bi纳米颗粒的形态影响较小,以CTAB和SDS为添加剂可分别获得片状和树枝状结构的Bi纳米颗粒.     

用电子能谱研究n~+/p结太阳能电池减反膜ITO

优质氧化铟、氧化锡及铟锡氧化物(ITO)等透明导电膜的制备和研究对于改善光电器件中薄膜的减反射特性和信噪比都有重要的现实意义,它独特的光电特性使其在电子工业特别是半导体光电器件应用上有着特别重要的地位.例如在太阳能电池中,具有良好的光减反射特性的氧化铟膜已成为电池的一个重要组成部分.用ITO于浇铸多晶硅的n~+/p电池上作减反射膜已取得了较好的效果.ITO用于光电器件的效果直接与ITO薄膜的性能有关,搞清工艺对薄膜性能的影响,从而寻找合适的工艺条件是非常重要的.透明导电膜的制备工艺有电阻加热蒸发、溅射、化学汽相淀积以及离子镀等,其中以电阻加热蒸发方法最为方便和经济,缺点是蒸发时氧化物易受热分解放氧形成多种低价氧化物     

镀锡板表面黑灰形成机理的研究

应用扫描电子显微镜和光学显微镜观察镀锡板表面黑灰宏观形貌及显微组织形貌,应用X射线能谱仪分析黑灰的成分,应用红外光谱分析处理后黑灰的残余成分,并结合相关实验结果,得出镀锡板表面黑灰的形成机理:黑灰主要产生于电镀和软熔两段工艺及生产中的摩擦过程.电镀中由于部分锡化合价改变而形成锡的氧化物,这些氧化物以共沉积的方式进入镀层,后续软熔导致氧化物在表面浮出,同时软熔工艺也会导致锡化合价的改变,这些构成了黑灰产生的重要原因.黑灰的红外光谱分析证实了黑灰中存在聚氨酯成分,聚氨酯来自机组中的胶辊,说明黑灰的形成与胶辊表面的摩擦有关.     

掺锡氧化铟导电玻璃的表面改性及其性能研究

采用溶剂超声、H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理等方法对掺锡氧化铟(In2O3:Sn)导电玻璃进行了表面改性,基于原子力显微镜(AFM)和接触角表征以及表面能计算,研究了改性方法对其表面形貎和润湿性能的影响.研究结果表明:In2O3:Sn导电玻璃的表面性能与改性方法密切相关,H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理能够更为有效地降低表面粗糙度、改善表面形貎、提高表面能和表面极性度,并且In2O3:Sn导电玻璃表面能的变化主要来源于表面能极性分量的变化.     

氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究

以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10~(-3))、位错密度最小(3.409×10~(14)m~(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能.     

锡掺杂氧化铟纳米线的制备及场发射性能研究

由于晶格失配,使得直接在硅衬底上生长有序的锡掺杂的氧化铟(ITO)一维纳米阵列非常困难.本文使用化学气相沉积法,利用升温过程中形成的ITO颗粒为生长点,成功地在硅衬底上制备出排列有序的氧化铟锡(ITO)一维纳米结构.对生成物进行了扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDS)和X射线衍射(XRD)表征;对其进行的场发射性能测试表明,ITO纳米线阵列的场增强因子大约为1 600,有望在冷阴极材料领域得到应用.     

锡掺杂的氧化铟透明导电膜的霍尔系数测量

采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法在玻璃基片上沉积了锡掺杂的氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电膜。在沉积过程中保持了辉光放电电流、氧分压、氧流量、蒸发速率等工艺参数不变，而基片温度由室温变化到达３００℃。用四探针法测量了膜的方阻和用直流法测量了膜的霍尔系数，计算出膜的电阻率ρ、霍尔迁移率μ、载流子浓度ｎ，从而研究了基片温度对膜的导电性能的影响。     

介电常数近零复合超表面偏振相关非线性光学特性研究

介电常数近零(Epsilon-near-zero, ENZ)复合超表面是一种由ENZ材料和金属纳米单元构成的超结构,因其可有效增强光场与物质相互作用而受到关注.本文设计并制备了基于氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)薄膜和金属纳米结构的非线性超表面,实验研究了该ENZ复合超表面宽波段偏振相关的非线性光学响应特性.与单一ITO薄膜相比,该ENZ复合超表面的非线性吸收系数和非线性折射率提高了2个数量级,并且可以有效增强三次谐波的产生.通过改变入射光的偏振状态,可以实现该复合超表面非线性折射和非线性吸收系数符号和大小的调控,并在x偏振入射条件下观察到最大～1.97 THz的蓝移.研究结果表明,该ENZ复合超表面可为发展高集成微纳光电器件提供材料平台,并可为微纳尺度下光场高效调控提供超快全光手段.