微波MESFET上变频器

微波ＭＥＳＦＥＴ上变频器张锦卫＊冯立民苗敬峰（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）随着微波ＦＥＴ的迅速发展，微波场效应管上变频器的研究引起了人们的兴趣．１９８０年Ａｂｌａｓｓｍｅｉｅｒ等人利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作了频率较低的上变频器［１］，...     

微波宽带放大器网络的新型综合方法

从微波晶体管、场效应管管芯的单片化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等皮纹函数型阻抗匹配网络综合方法。对于微波晶体管场效应管的增益随频率“下滑”的现象给出新的更为简单的补偿方法。以ＨＦＥＴ－１０００管芯为例,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的６ＧＨｚ－１２ＧＨｚ的输入输出阻匹配网络与传统的切比雪夫型相比,所用的Ｌ、Ｃ元件不足后者的一半且其增益、稳定性及平坦度均有明显的改善。     

一种快速有效提取微波场效应管模型参数的新方法

本文介绍了一种在大的微波系统优化中非常有效的方法——分离法。本文是将总的优化问题化为一系列子优化问题,在每个子优化问题中都用电路响应最灵敏的参数组成目标函数。这样就大大地提高了优化的精度和效率。本文运用分离法的基本原理自编了灵敏度分析程序MICSEN,并利用自编的优化程序MICBFGS,成功地提取了微波场效应管模型参数,其精度比传统方法大为提高,计算时间亦大大缩短。     

电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)

栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。     

一种快速有效提取微波场效应管模型参数的新方法

本文介绍了一种在大的微波系统优化中非常有效的方法——分离法.本文是将总的优化问题化为一系列子优化问题,在每个子优化问题中都用电路响应最灵敏的参数组成目标函数.这样就大大地提高了优化的精度和效率.本文运用分离法的基本原理自编了灵敏度分析程序MICSEN,并利用自编的优化程序MICBFGS,成功地提取了微波场效应管模型参数,其精度比传统方法大为提高,计算时间亦大大缩短.     

场效应管广义对象的数字公式表示方法

场效应管是放大器件。为学习掌握场效应管的特性，在教学中提出了数字公式表示场效应管规律的新方法。将场效应管的类型、沟道、开启或夹断电压、漏极电流或漏源电压以及转移特性的凹凸性表示成数字量，通过它们的关系建立了数字公式。数字公式的简洁方便，更利于通过数字化规律理解掌握场效应管的定性规律，增加学习兴趣，提高教学效率。     

场效应晶体管的数值计算仿真教学方法

场效应管的教学内容是模拟电子技术课程的重要内容,大部分学生在理解这一部分内容时都存在着困难。本文针对场效应管的教学手段方法进行探讨;提出采用数值计算仿真方法加深学生对场效应管导电沟道呈现楔形分布、出现夹断点概念的理解。从而使学生深入了解场效应管的工作原理。     

面结合场效应晶体管直接替换真空管

本文介绍把高压面结合型场效应晶体管装成真空管形式,直接插入原有设备的真空管管座里以代替原有的真空管,而原电路基本上无需更动。美国已在电话线路中进行了八个月的实际试用。本文概述了场效应管在特性上与真空管的相似之处,并认为在许多方向比真空管更为优越。可以在一个管壳内用一个场效应管,也可以用两个场效应管接成级联电路,再附加RC网络组成混合式集成电路,而在放大器、振荡器、低频和高频电路中直接替换许多种真空管。日本杂志对此也已有报导。看来这对于充分利用原有设备而又发挥晶体管的优越性具有一定的实用意义。这种管子称为“菲特隆”,即Fetron,此字前三个字母为场效应管三个英文字的第一个字母,后面四个字母是常用于真空管名称的字尾,而第三字母正好前后合用。     

一种新型的场效应管的驱动方式

场效应管广泛地应用于各个电子领域,特别是在功率驱动这一方向,场效应管以其优越的性能,有着比晶体管更广泛的应用。但当场效应管与微处理器直接接口用于PWM波的驱动时,由于其极闻电容的存在,导致PWM波的上升时间和下降时间都较长,以致降低了系统的效率,增加了场效应管的发热情况。本文提出一种新型的场效应管的驱动方式,即采用美信公司的MAX232集成电路用于场效应管的驱动,能够很好的减少上升时间和下降时间,提高系统的效率,减小场效应管的发热情况。该方式电路简单,成本低廉,总体效果较好。     

统一化的场效应管的特性方程及特性曲线

本文根据电荷控制的基本原理及载流子运动的基本规律,论证了场效应管的特性方程,分析了“夹断电压”和“开启电压”间的关系,同时定义了增强型场效应管的饱和电流。故对所有类型的场效应管都可以用统一的特性方程来表达,获得了统一化的场效应管的漏极特性和转移特性,便于增强型埸效应管放大器的定量计算。     

带阻式高隔离度场效应管开关

针对典型场效应管开关电路的缺点，提出了一种新的场效应管开关．此开关利用外加的RC网络和场效应管的分布电容构成带阻滤波器，在工作频率上得到了较高的隔离度，且对插入损耗没有影响．仿真结果表明，用此方法设计的场效应管开关有着较优的开关性能．     

正交电场作用型自旋场效应管的自旋极化控制（英文）

研究了电场调控型自旋场效应管的量子输运过程。该场效应管主要由双正交电场和Rashba自旋轨道耦合共同调制。运用散射矩阵方法并结合介观体系的相关输运理论,揭示了自旋场效应管在各参数调控下的自旋量子输运过程,其自旋输运规律可由相关理论给予解释。数值计算表明,与平行电场相比,对于自旋轨道耦合型自旋场效应管的量子输运,垂直电场的调制能够导致更加明显的自旋翻转。     

场效应晶体管(FET)电路的设计与应用

场效应晶体管的概念场效应晶体管(以下简称场效应管——译者注),通常用 FET 表示。FET 是 FieldEffect Transistor 的缩写。所以称为场效应管在于它是一种由电场来控制电流的晶体管,与一般的利用注入基极的电流来进行控制的晶体管有着根本的区别。从这一点说,场效应管     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

正交电场作用型自旋场效应管的自旋极化控制

研究了电场调控型自旋场效应管的量子输运过程.该场效应管主要由双正交电场和Rashba自旋轨道耦合共同调制.运用散射矩阵方法并结合介观体系的相关输运理论,揭示了自旋场效应管在各参数调控下的自旋量子输运过程,其自旋输运规律可由相关理论给予解释.数值计算表明,与平行电场相比,对于自旋轨道耦合型自旋场效应管的量子输运,垂直电场的调制能够导致更加明显的自旋翻转.     

一种电话外线防偷搭窃打装置

这是一项实用新型专利,提供一种能防止电话线路被偷搭窃打的装置。该装置是由两个VMOS场效应管和光电耦合器配合产生振荡来实现的。光电耦合器的发光管一端接在一VMOS场效应管的漏极,另一端接在电话线的正极端。VMOS场效应管的栅极由一电阻接向电话线的正极,同     

基于石墨烯材料的pH传感器的研究进展

石墨烯材料因其独特的性质,在电化学检测领域备受关注。介绍了近年来石墨烯材料在pH传感器中的研究进展,主要成果包括石墨烯pH电极、液栅型石墨烯场效应管(SGFET)pH传感器以及顶栅型石墨烯场效应管pH传感器。     

脉冲放大器功放级的研究

用大功率高频场效应管作为单向脉冲放大器的功放级的设计，在文献上尚未见到，作者根据需要，针对大功率高频场效应管的特点，完成这一设计。实验证明，设计是正确的，设计的关键是怎样计算场效应管的输入电容来实现推动级的设计。     

光接收机的宽带前置放大器

在光接收机中,人们通常把用作检测光缆传来的高频光信号的光检测器(由PIN管或者雪崩光电二极管组成)和前置放大器设计在一起。为了保证宽频带光信号的接收,就要求这种放大电路具有频带宽、线性好、增益高和信噪比亦高的特性。目前,性能最好的一种电路结构是:用雪崩光电二极管作光检测器,以砷化镓场效应管作前置放大器,并把电路设计为互阻抗放大器的形式。然而,雪崩光电二极管价格昂贵,场效应管,特别是低容值的砷化镓场效应管     

一种稳定可靠和高效率的全mos水声发射机

介绍了D类大功率场效应管功率放大器的特点,并以一个实用水声发射机为例,介绍了全mos场效应管D类功率放大器的电路设计和工作波形.实践证明该水声发射机具有良好的稳定性和可靠性,以及较高的效率.