ZnSe：Co^2＋晶体的光谱和EPR谱

本文通过引入两个共价因子Ｎｔ，Ｎｅ，推导了包含Ｒａｃａｈ参量Ａ的参量矩阵，并用高阶微扰方法推导了ｇ因子计算公式。在此基础上计算了ＺｎＳｅ：Ｃｏ＾２＋的晶场光谱和顺磁ｇ因子，其理论值与实验结果吻合较好。     

单晶Co^2＋：MgGa2Se4光学吸收谱的理论解释

该文考察了ｄ电子ｔ２ｇ轨道ｅｇ轨道局域性差别的影响，并计及Ｒａｃａｈ参量Ａ对光谱跃迁的贡献，导出了３ｄ＾７电子组态在Ｔｄ对称下的哈密顿矩阵公式。从理论上研究了Ｃｏ＾２＋：ＭｇＧａ２Ｓｅ４中Ｃｏ＾２＋离子的吸收光谱，理论结果与实验结果吻合很好。     

用光谱和电子顺磁共振测量值来确定顺磁离子在晶体中的局部结构(英文)

推导了３ｄ５离子在Ｏｈ对称强场图象下包括Ｔｒｅｅｓ和Ｒａｃａｈ修正的全晶体场和自旋－轨道作用矩阵，并将该矩阵应用于ＫＭｇＦ３：Ｍｎ２＋和ＫＺｎＦ３：Ｍｎ２＋．计算结果支持用吸收光谱和电子顺磁共振测量数据确定局部结构，也支持一个近似等价的ＳＣＦ－ＭＯ模型计算．另外，作为一种予测，由ＣｓＣａＦ３：Ｍｎ２＋的光谱算得电子顺磁共振参量为ａ＝４．４７×１０４ｃｍ－１．     

新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xSe和Zn＿（1－x）Co＿xS的能谱

本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ中Ｃｏ￣（２＋）离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较，获得了相应的晶场参量Ｄ＿ｑ，Ｒａｃａｈ静电参量Ｂ，Ｃ和自旋－轨道耦合参数λ。本文对Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ分别指认了观测到的Ｃｏ￣（２＋）离子能级间的跃迁。对较低能级部分，实验结果与理论计算符合较好。     

NENP和NINO的电子自旋共振分析

本文在强场框架导出了ｄ８离子基态３Ａ２（Ｆ）自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子在斜方对称下的高阶微扰公式；借助于赵等人的参量化ｄ轨道理论，计算ＮＥＮＰ和ＮＩＮＯ的自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子，得到了与实验符合很好的结果     

f^N电子构型离子的晶场理论

用Ｒａｃａｈ＝Ｊｕｄｄ可不约张量方法研究ｆ＾Ｎ电子构型离子，给出了弱场处理稀土和锕系离子配位场理论的一般方法。     

反铁磁性物质FeCO_3基态~5D的精细分裂

在弱场图象下，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法得到了三角对称ｄ４，５电子组态的完全能量矩阵．在ＶＡＸ－Ⅱ计算机上采用完全对角化方法，首次成功地解释了ＦｅＣＯ３基态５Ｄ的精细分裂谱．     

CaF2晶体中四角对称的Yb3+- F-中心的电子顺磁共振参量的理论研究

作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量，计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai)，计算结果与实验结果符合较好。     

反铁磁性物质FeCO3基态^5D的精细分裂

在弱场图象下，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法得到了三角对称ｄ＾４．６电子组态的完全能量矩阵，在ＶＡＸ－Ⅱ计算机上采用完全对角化方法，首次成功地解释了ＦｅＣＯ３基态＾５Ｄ的精细分裂谱。     

CsCrCl_3晶体的光谱研究

本文基于弱场图象，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法，建立了ｄ４（Ｃ＇３ｖ）离子含旋轨耦合作用的完全能量矩阵。借助此矩阵，利用完全能量矩阵的对角化方法，对ＣｓＣｒＣｌ３晶体的光谱进行了理论计算，其结果同实验结果很吻合。同时，本文从理论上证明了２３２２８ｃｍ（－１）、２３３１０ｃｍ（－１）这两条强谱线产生于双中心跃迁。     

LiTaO_3∶Cr~(3+)晶体中Cr~(3+)离子占位及其EPR参量的理论研究

利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法和Ｗｉｎｇｅｒ定理,建立了ｄ３（Ｃ＊３υ）电子组态的能量矩阵及其全组态ＥＰＲ理论;借助Ｎｅｗｍａｎ的叠加晶场模型和自旋哈密顿理论,研究了ＥＰＲ参量与ＬｉＴａＯ３∶Ｃｒ３＋晶体结构参数之间的定量关系。在此基础上,研究了ＬｉＴａＯ３∶Ｃｒ３＋的ＥＰＲ参量及其电子光谱,理论与观测一致。定量研究表明：ＬｉＴａＯ３∶Ｃｒ３＋晶体中,Ｃｒ３＋离子取代了Ｔａ５＋离子而不是Ｌｉ＋离子。     

晶体场理论中的三种耦合图象

分析了晶体场理论中的三种耦合图象，即：强场耦合图象、弱场耦合图象、中间场耦合图象；介绍了三种图象中基函的构造方法，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符技术及Ｗｉｎｇｅｒ定理表述了弱场与中间场图象，对三种图象进行了比较，并讨论了它们之间的关系。     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

压缩四角晶场中NH4Cl：Cu^2＋的g因子研究

本文推导了3d^3 离子在压缩上角晶场中的电子能级和EPRg因子的3阶段微扰公式，并用该公式研究了晶体CH3Cl中掺杂Cu^2 离子的电子吸收光谱和EPRg因子，结果较为满意。     

四角场S=2离子ZFS高阶微扰公式的收敛性

本文以~５Ｂ＿２为基态，在强场图象下用微扰理论推导出了轴向零场分裂参量Ｄ的１到４阶微扰计算公式（~５Ｄ近似），并就公式的微扰收敛性进行了系统的讨论．通过计算和分析表明，当第一激发态靠近基态使得其能量与旋轨耦合常数ζ可比拟时．微扰公式是发散的．这时，微扰近似方法将不再有效。但在大多数情况下，公式保持有较好的收敛性．同时，给出了使微扰松式有效的晶场参量Ｄ＿９、δ和μ的近似取值范围，为~５Ｄ近似公式的应用提供了有价值的参考。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

Cr^3＋在AgX（X=Cl,Br）四角晶位中的零场分裂和g因子

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｒ３＋在ＡｇＸ（Ｘ＝Ｃｌ,Ｂｒ）四角晶位中的零场分裂Ｄ和ｇ因子．研究表明,中心金属离子和配体（Ｃｌ,Ｂｒ）对络合物ＥＰＲ参量的贡献都应考虑．     

MgO中Cr~(3+)空位中心的电子顺磁共振分析

本文采用晶场理论,计算了ＭｇＯ中Ｃｒ３＋空位中心Ｃ４ｖ、对称四角畸变的能级和ＥＰＲ（电子顺磁共振）参量ｇ＝１．９８２４,ｇ⊥＝１．９８０８和Ｄ＝－８１１×１０－４ｃｍ－１,得到了与实验（ｇ＝１．９７８７±０．０００６,ｇ⊥＝１．９８２７±０．０００６和Ｄ＝－８１９×１０－４ｃｍ－１）一致的结果,解释了ｇ因子各向异性的起因．     

Mn^2＋离子在LiNbO3晶体中的占位研究

本文采用晶场叠加模型和应用高阶微扰公式计算了＾６Ｓ态离子在三角晶场中的零场分裂参量Ｄ、ａ－Ｆ。研究表明，ＬｉＮｂＯ３：Ｍｎ＾２＋晶体中Ｍｎ＾２＋离子占Ｌｉ＾＋位，并且在Ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｍｎ＾２＋沿Ｃ３轴向八面体中心移动约０．１Ａ。本文结论与ＥＮＤＯＲ研究一致。