输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触载流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型．模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的．研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响．结果表明：空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载流子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流．     

Study on temperature characteristics of organic light-emitting diodes based on tris-（8-hydroxylquinoline）-aluminum

Both single-layer and double-layer organic light-emitting devices based on tris-（8-hydroxylquino- line）-aluminum （AIq3） as emitter are fabricated by thermal vacuum deposition. The electroluminescent characteristica of these devices at various temperatures are measured, and the temperature characteristics of device performance are studied. The effect of temperature on device current conduction regime is analyzed in detail. The results show that the current-voltage （I-V） characteristics of devices are in good agreement with the theoretical prediction of trapped charge limited current （TCLC）. In addition, both the charge carrier mobility and charge carrier concentration in the organic layer increase with the rise of temperature, which results in the monotonous increase of AIq3 device current. The current conduction mechanisms of two devices at different temperatures are identical, but the exponent m in current-voltage equation changes randomly with temperature. The device luminance increases slightly and the efficiency decreases monotonously due to the aging of AIq3 luminescent properties caused by high temperature. A tiny blue shift can be observed in the electroluminescent （EL） spectra as the temperature increases, and the reduction of device monochromaticity is caused by the intrinsic characteristics of organic semiconductor energy levels.     

有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定

以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10-5~3.5×10-4 cm2 V-1s-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.     

一种新型有机电子传输材料

报道新型有机电子传输材料N-乙基-4-乙酰氨基萘亚胺及其在有机电致发光器件中的电子传输性．     

正充电性单层有机光导器件的制备及性能研究

制备了新型化合物2,5,7,10-四叔丁基联苯醌,以此作为电子传输材料制备了正充电性有机光导器件,并对其光电性能进行了研究。研究结果表明,该新型化合物作为电子传输材料制备的光导器件具有较好的光电性能。     

Comparison of photovoltaic devices based on MEH-PPV with various molecular weights

Theneedforefficient,inexpensiveandrenewableenergysourcesisstimulatingnewapproachestothepro-ductionoflow-costphotovoltaicdevices.Althoughinor-ganicsemiconductorsaretheprimaryproductions,highfabricationcostsmakeinorganicsolarcelldifficulttomeetlarge-scaleapplicationsduetoitscomplicatedtech-nology,highcostandrigormaterialprocessing.Thesolarcellsbasedonorganicmolecule[1]andconjugatedpoly-mer[2—6]havealreadywelldeveloped.Conjugatedpolymerphotovoltaicdeviceshaveattractedagreatdealofatten-tionduetot…     

混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算

针对混合掺杂情况下的半导体材料,运用费米分布函数对其载流子浓度进行计算,推导出了一般情况下的电中性方程,对所推导出的电中性方程进行计算机数值求解,得到了对应不同材料、不同掺杂浓度、不同温度时的载流子浓度。对于计算中可能出现的溢出问题进行了妥善处理,并采用预划分积分区间的办法,加快了费米积分的计算速度。文中所提出的计算方法对于简并半导体和非简并半导体均适用。     

有机小分子及金属有机配合物电子传输材料的研究进展

概述了有机小分子及金属有机配合物电子传输材料的研究进展,对由小分子电子传输材料构成的有机电致发光器件的发光性能、发光效率等方面进行了比较,并对小分子材料的研究前景进行了展望.     

PIN管正偏注入的载流子在Ⅰ层中分布的研究

本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解电子和空穴的连续性方程,导出这两种浓度都按扩散距离的负指数函数在Ⅰ层中分布.这样,其载流子一载流子散射效应可忽略不计,其俄歇复合较小,比用电中性近似求得的载流子分布的俄歇复合要小许多倍.     

量子化学研究不同取代基对六苯并蔻电荷传输性能的影响

应用密度泛函理论在B3LYP/6-311+G(d)、M06-2X/6-311+G(d)、CAM-B3LYP/6-311+G(d)理论水平, 分别计算12个不同取代基取代的六苯并蔻分子的电荷传输速率. 研究结果显示,采用长程较正泛函CAM-B3LYP更适合目标体系的电荷传输性能研究. 在六苯并蔻环上,引入6个—CH₃与—CN取代基,得到的六苯并蔻衍生物分子与母体六苯并蔻相比,空穴迁移率相对较大,分别为2.51、0.92 cm²·V⁻¹·s⁻¹,可设计为性能优良的p型有机半导体分子;引入6个—SH、—CH₂SCH₃及—COOCH₃取代基,得到的3个分子与母体六苯并蔻相比,对分子的电荷传输速率改善较小;引入—SCH₃、—OCH₃、—OH、—NHCH₃、—N(CH₃)₂等5个取代基,所得到的5个分子电子迁移速率为空穴迁移速率的1.7～18倍,有望设计成性能优良的n型有机半导体材料.     

Recombination Region in LED and Aspects of Influence on It

以ＰＤＤＯＰＶ作空穴传输层,配合两类不同厚度的Ａｌｑ３电子传输层制作了两种有机ＬＥＤ器件。两种器件的电致发光特性有很多的不同处,本文讨论了发射光谱与各处合区域之间的关系     

超导“邻近效应”与电子能态分布研究

运用稳恒条件和动量守恒定律说明了稳恒电路中,穿过任意横截面的全部载流子的定向运动总动量在数值上是守恒的;比较了超导薄膜中和正常导体的外表面层中载流子的能态,用以上的两个结果解释了超导“邻近效应”.     

电荷载流子倍增输出概率分布对图像均匀性影响因素研究

为了研究电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)中电荷载流子倍增(CCM)结构的输出概率分布及其对图像均匀性的影响,建立了EMCCD中CCM结构的概率模型,利用概率生成函数(PGF)推导了多级CCM倍增结构的输出概率密度函数(PDF),讨论了PDF在提高图像均匀性中的应用。仿真及实验结果表明:当输入信号一定时,输出图像均匀性随倍增增益的增加而逐渐变差;当倍增增益一定时,输入信号越大则输出图像均匀性越差。因此,EMCCD在微光探测条件下图像均匀性较好,且适当地降低倍增增益有利于提高输出图像的均匀性。     

2017年有机功能材料研发热点回眸

 从高效柔性有机半导体器件、高效有机太阳能电池、高效有机白光二极管、有机光伏器件的磁效应、有机自旋光伏器件设计等5个方面,盘点了2017年有机功能材料领域的重要研究进展;从有机电子学、有机光电子学和有机自旋电子学等多个角度,回顾了有机功能材料新奇的物理现象及原理;预测了该领域未来的发展方向。     

有机发光二极管的最新发展

本文介绍了有机发光二极管的构造与发光机理，并结合我们自己的工作展望了有机发光二极管的发展趋势。     

ZnS电致发光材料中电离杂质的散射

基于量子理论中分波法的思想,利用相移分析的方法,建立了电致发光材料中电离杂质对电子散射的物理模型,通过数值分析,得出了散射概率随电子能量、温度、杂质电荷及杂质浓度的变化规律.     

电子电量与荷质比测定实验的数据处理

在电子电量与荷质比测定实验的数据处理过程中,采用分步处理取峰值的方法,使结果更准确、更科学.     

聚丁二炔晶体中的光生载流子及光导

以聚丁－２,４－已二炔－１,６－二醇酯ｏｆ,２,４－ｈｅｘａｄｉｙｎｅ－６－ｄｉｏｌ,缩写为ＰＤＡ－ＴＳ为例,研究了聚丁二炔单昌中的光生载流子及光导;在分析了双分子成对复合的Ｏｎｓａｇｅｒ模型的局限性之后,提出了一个新的载流子光产生模型,并用它首次解释了稳态光电流Ｉｐｈ对入射光子能量ｇω的依赖关系。     

异形介观体系电子输运计算的一种简便处理方案

介观体系的电子输运是凝聚态物理中探索材料新奇电子态性质的重要手段,也为设计未来微纳电子器件提供理论依据。数值计算中通常采用紧束缚模型来处理高于零维（量子点）的自由电子体系：比如电子气、蜂窝格子等二维材料和三维导体、拓扑半金属、拓扑绝缘体等。但对于形状不规则的样品,通常需要处理复杂的体系哈密顿和巨大的计算量。文章介绍了一种基于紧束缚模型处理二维、三维电子体系的简便方案,将体系的尺寸参数引入到近邻耦合系数中,从而极大地简化了体系哈密顿,也减少了计算量。此外,以纺锤形、瓶颈形二维、环形三维电子气为例,我们用非平衡格林函数方法计算了异形介观体系的电子输运性质。该方法广泛适用于计算各种三维材料的电子能带结构性质和输运性质。     

Ferromagnetism at 230 K in （Ba0.7K0.3）（Zn0.85Mn0.15）2As2 diluted magnetic semiconductor

We report the ferromagnetism with Cure temperature Tcat 230 K in a new diluted magnetic semiconductor(DMS)(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2isostructural to ferropnictide 122 superconductors synthesized via low temperature sintering.Spin is doped by isovalence substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is introduced by heterovalence substitution of K1+for Ba2+in(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS,being different from(Ga,Mn)As where both spincharge are induced simultaneously by heterovalence substation of Mn2+for Ga3+.The(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS shows spontaneous magnetization following T3/2dependence expected for a homogeneous ferromagnet with saturation moment 1.0μB for each Mn atom.