SF6-CO2混合气体中电子输运特性的蒙特卡洛模拟

在E/N=192～418 zV     

电气设备中SF6气体的应用分析

六氟化硫（SF6）具有良好的绝缘性能和灭弧性能,其化学惰性、无毒、不易燃及无腐蚀性,广泛应用于电器工业、金属冶炼等行业。为了符合国际上对环保的要求,很多应用SF6的行业都已经基本停止了SF6气体的使用,或大幅降低了SF6的用量,并且还在不断改进之中。而作为最大消耗量的电气设备方面,国内对SF6的环保要求相对较少,电力设备行业还在不断的拓展SF6设备的应用领域。     

SnO2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性

将sol-gel方法制备的SnO2纳米颗粒涂覆在ITO(Indium-Tin-Oxide)导电玻璃上,用原子力显微镜的I-V测试功能测试其微区电特性.结果表明,不同粒度的伏-安特性曲线具有不同的双向阈值电压,随颗粒度的减小,开启电压减小.用表面能带理论分析结果表明,此现象与纳米SnO2颗粒度尺寸效应和氧空位有关.     

SF6／N2混合气体绝缘介质的研究

对有工业应用前景的SF_6/N_2混合气体绝缘介质进行了全面的研究.在均匀电场中SF_6/N_2的耐电强度可由Wieland近似式估算,电极表面粗糙度效应可由已知的SF_6/N_2优异值用多个突起的表面粗糙度模型算得.文中给出SF_6/N_2在陡波和雷电冲击波下伏秒特性及其放电生成物的分析结果.计算和实验还表明,即使在垂直敷设的情况下,SF_6/N_2的混合比随高差的变化也可以忽略不计.     

等离子体阴极鞘层电子输运过程的随机模拟

提出了描述电子运动的动力系统模型,应用模糊数学方法,建立了随机向量过程的随机度函数概念,用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法对氦直流辉光放电平板阴极中电子输运过程进行了计算机随机模拟和数值分析,对电子运动若干因素及特征作了较细致的刻划,结果与实验相符。     

H2分子器件电子输运性质的模拟计算

理论计算H2分子在一维Pt链电极间形成的分子桥的伏安特性和电导,结果表明在两端金属电极作用下,H2分子的能隙减小,使得体系导电性能提高。     

2种局部放电类型下SF6分解组分检测及特性分析

为研究不同绝缘缺陷引起的局部放电下SF6气体的分解特性,探索识别不同绝缘缺陷的分解气体特征量,笔者在研制的SF6气体分解试验平台上,模拟了金属突出物和绝缘子金属污染物2种典型绝缘缺陷引起的局部放电下SF6气体的分解,检测了2种缺陷下CF4、SO2F2、SOF23种分解气体的含量随时间的变化规律,并研究了2种缺陷下SOF2/SO2F2、SO2F2/CF4、SOF2/CF43组组分含量比值的特性.结果表明,2种局部放电下SF6分解生成的主要稳定衍生物中均能检测到SOF2、SO2F2和CF4,但2种缺陷下这些组分的变化规律具有显著的差异,同时研究表明,2种绝缘缺陷下SOF2/SO2F2、SO2F2/CF4、SOF2/CF43组组分含量比值具有明显的不同,因此,可以将SF6分解气体的含量比值作为识别2种绝缘缺陷类型的特征量.     

一维周期调制磁场中二维电子气的热学输运特性

在线性响应理论的框架内讨论了一维调制磁场中二维电子气的热电系数Ｓμｖ，热传导系数ｋμｖ及热阻系数（ｋ＾－１）μｖ等热力学输运特性。结果表明，由于磁场调制部分的存在，使二维电子气的热力学输运系数中除了通常ＳｄＨ振荡特性外，还表现出与磁场调制周期相关的新的振荡特性，即Ｗｅｉｓｓ振荡。     

电负性气体电子崩发展的四参数模型

提出了一种分析电负怀气体中电子崩发展过程的四参数模型。在该模型中，不仅存在电离附着过程，而且存在着不稳定状态负粒子的去附着和转化过程。依据该模型着重对去附着和转化过程对电子崩的发展进行了仿真分析。结果表明：随着去附着的加剧，电子崩增长速度加快，出现峰值的时间滞后；随着非稳定负粒子转化为稳定负粒子过程的加剧，电子崩发展受到抑制，峰值滞后时间减少。     

辉光放电阴极区氮离子（N2^＋）的蒙特卡罗模拟

采用蒙特卡罗方法对氮气辉光放电等离子体阴极区离子（Ｎ２＾＋）的运输过程进行了。考虑了离子（Ｎ２＾＋）与慢分子（Ｎ２＾０）的电荷交换碰撞和弹性散射,利用由实验数据拟合得到了精确依赖于离子能量的电荷交换和动量输运截面,计算了阴极区中离子（Ｎ２＾＋）的能量分布及角分布的空间变化,并与实验结果进行了比较。     

氮气直流辉光放电阴极鞘层区电子行为的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟对氮气直流辉光放电等电子体阴极鞘层区内电子的输运过程进行了研究,计算了阴极鞘层中电子的能量及角分布的空间变化.模拟讨论了电子密度和电子平均能量在鞘层的轴向分布规律.结果表明:在鞘层电子主要以高能束的形式朝前散射,电子在输运过程中表现出的这一特征依赖于放电条件,电子碰撞电离和离解电离产生的次电子在鞘层边界附近迅速倍增.模拟结果为分子气体辉光放电等离子体过程的机理的认识提供了参考依据.     

低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

用蒙特卡罗法研究非均匀电场的放电特性

采用蒙特卡罗模拟法研究非均匀电场中的放电参数。研究表明非均匀电场中的电子能量分布及电子参数不能达到当地电场的平衡值。电子在上升电场和下降电场中的行为不同是引起沿面放电的电极效应的原因。     

电子束在不同介质界面附近剂量跃变的蒙特卡罗模拟

在许多辐射剂量的应用中,都会涉及到如何精确地计算两种介质界面附近的剂量问题。作者用不同的多次散射模型,对多种介质界面附近的剂量跃变进行了蒙特卡罗模拟,并与相应的实验结果进行比较,研究了使用不同的多次散射模型对计算结果的影响。     

N2/H2辉光放电等离子体电子碰撞电离的Monte Carlo模拟

采用N2/1-12直流辉光放电等离子体综合的Monte Carlo模型,通过计算N2/H2混合气体直流辉光放电等离子体电子碰撞电离及离解电离率,电子密度及电子能量分布函数,研究了H2的浓度对氮辉光放电等离子体电子碰撞电离过程的影响.研究结果表明:随着H2浓度的升高,电子的电离及离解电离碰撞率减少;但在一定的放电条件下,加入少量的H2,可以提高电子碰撞电离及离解电离率,即选取合适的放电参数,加入少量的氢,可以提高放电空间的电子及离子的密度.模型考虑了12种和电子相关的反应,在氮气中加氢的比例为0～30%.这些影响能通过放电中发生的碰撞过程及鞘层厚度的改变得到解释.研究结果为认识N2/H2混合气体辉光放电等离子体过程机理提供参考依据.     

用Monte Carlo方法1模拟股票价格

本文总结了金融计算方法中利用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 模拟求解股票预测问题的历史发展和研究现状－文中经数学推导简化, 得到一个利于运用计算机进行模拟计算的模型表达形式, 并且给出了应用Ｂｌａｃｋ ＆ Ｓｃｈｏｌｅｓ 模型预测股市发展的Ｃ 语言程序实例及计算结果－ 此计算结果可以直接应用于当前股市投资分析－ 文章还探讨了该领域研究热点和发展方向     

单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定。     

稀薄气体直接仿真蒙特卡洛方法交互式并行化系统研究与实现

在分析稀薄气体直接仿真蒙特卡洛（Direct Simulation Monte Carlo,DsMc）方法特点的基础上,研究了基于高性能计算平台的DSMC问题交互式并行化技术,提出了DSMC交互式并行化流程和DSMC程序并行化系统体系结构,实现了能对DSMC问题进行处理的交互式并行化软件系统,并应用到两个微通道DSMC方法算例的并行化中,并行化后的两个算例在8个节点的并行集群系统上的计算结果与原串行程序完全吻合,证明了该交互式并行化方法的正确性．     

直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子（N^＋_２,N ^＋）混合的蒙特卡罗模型, 模拟研究了 e^－+ N_２___N^＋+N+2e和N ^＋_２+N_２___N^＋+N+N_２ 过程离子N^＋的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布 . 结果表明, 两种 离解过程中氮原子离子（N^＋）的产生率均随气压和电压的增加而增大, 随 放电气体温度的升 高而降低; 但N^＋_２-N_２离解碰撞主要发生在 阴极附近. 在电压较高时, 阴极处的N^＋主要由N^＋ _２-N_２离解过程产生; 在电压较低时, N^＋ _２-N_２离解过程可忽略.