蛋白石薄膜及其异质结构的可控制备

利用毛细管辅助沉积方法制备了厚度及膜内裂缝的形状、分布可控的三维蛋白石薄膜。讨论了所得薄膜光学性质以及膜的形态特性与薄膜厚度之间的关系。用同样的方法制备了由不同粒径的球体基元晶体带构成的横向交替异质结构。     

非晶态硅薄膜的生长规律及其特性

非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄膜的结构与晶粒度,作了动力学理论分析,其结果与实验相一致。     

氧化物薄膜的高热稳定性能及其在晶体生长中的应用

通常过冷液态可作为亚稳态存在而不发生凝固,但实现高于熔点的过热却非常困难.REBa_2Cu_3O_7-y(REBCO)薄膜过热性能的发现突破了传统理论对过热现象的认识,掀起了相关课题的研究热潮,激发人们在应用上实现它的实用价值.简单介绍了REBCO超导薄膜的过热现象、物理机制,着重综述了其在超导材料生长应用领域的重要结果和最新进展,为新型高热稳定性薄膜结构的探索提出了一种新思路,为籽晶诱导生长高熔点材料提供了一种新途径.     

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm²/(V·s).      

热蒸发分解法制备多晶氧化锌薄膜以及性能分析

以Zn(CH3COO)2·2H2O为蒸发源,利用热蒸发分解法在Si衬底上沉积了多晶ZnO薄膜.使用多种分析测试手段(XRD,SEM,PL,霍尔效应)对不同的衬底温度下得到的ZnO薄膜的物理性质及结构特征进行分析表征.ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,但在高角度时可以观察到衍射峰的分裂,表明ZnO薄膜中结构的非均一性.所得到的ZnO薄膜在蓝光波段具有强烈的受激发射.霍尔效应测量显示在衬底温度低于480℃时,薄膜为空穴导电(p-type),而高于480℃时,为电子导电(n-type).在不同衬底温度下,薄膜表面具有不同形貌特征.还探讨了对于ZnO薄膜的热蒸发分解法的成膜机理.     

DSC控释花肥的研制及其对一串红生长的影响

以无水硫酸钙为栽体，将不同浓度的二苯基脲磺酸钙(DSC)与适宜花卉生长的全营养素混合，制成固体缓释花肥，并用石蜡进行包膜处理，以一定的剂量施以一串红，观察、比较其对花卉生长发育的影响．结果表明，5g全营养素与5mg～10mg的DSC配合使用对花卉生长的促进作用最好，能明显促进叶绿素含量的增加，并且这种促进作用是持久的、长效的．     

均质条件对明胶乳液膜物理性能及控释性的影响

针对蛋白膜材料机械性能和水汽阻隔性能较差的问题,采用微射流乳化的方法制备了新型橄榄油/明胶乳液膜材料,分析了均质条件对成膜乳液粒径分布和乳液膜物理性能的影响,并探讨了膜材料中油滴分布与膜材料的机械性能和水汽阻隔性之间的关联性,以及膜材料对溶菌酶的控释性.结果表明:高速分散处理的成膜乳液的油滴粒径较大且分布不均,成膜过程中部分油相富集在膜表面形成类似双层结构,膜材料机械性能较差;而经过微射流处理可以获得纳米尺度的粒子集中分布的成膜乳液,膜材料中油相均匀分散,具有良好的的抗拉强度;与对照膜相比,两种处理方法制备的乳液膜均有着较强的水汽阻隔性,但对于不同均质处理呈现不同的机制;利用微射流处理制备的膜材料具有良好的机械性能和水汽阻隔性,并对溶菌酶良好的控释性.     

计算机控制LB多层分子膜制备研究

简述了ＬＢ多层分子膜制备装置的结构组成以及计算机控制方法，叙述了多层ＣｄＡＡ２ＬＢ分子膜的制备及其结构有序性     

快速沉积的金刚石薄膜生长特性

本文研究了用直流电弧等离子体喷射法快速沉积的金刚石薄膜的生长特性,并与用热解CVD法沉积的金刚石薄膜生长特性做了比较。     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．     

镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究

采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga Zn O样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性;其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,Ga Zn O样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,Ga Zn O样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4).     

并 五 苯 晶 体 薄 膜 的 生 长

用物理气相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜. 用10～30 mg的源生长出20～30 mm²大小的适合特性测量和器件 制备的晶体薄膜. 利用TEM， SEM和X光透射电镜等仪器对并五苯晶体薄膜进行了测试分析.     

Controlled Growth and Field-emission Application of 1D ZnS Nanostructures

1 Results One-dimensional (1D) nanostructures have recently stimulated great interest due to their potential value for understanding fundamental physical concepts and for applications in constructing nanoscale electric and optoelectronic devices since the discovery of carbon nanotubes[1]. ZnS is one of the first semiconductors discovered and probably one of the most important materials in the electronics industry with a wide range of applications[2]. Controllable growth of nanostructures is a crucial is...     

可控脉冲压裂技术的发展及应用

本文回顾了可控脉冲压裂(CPF)技术的发展过程,概述了该技术的应用范围,通过对大量事实的分析研究,说明该技术是在压裂机理研究,装药技术提高,装药性能改进的基础上,适应油气资源开发和经济建设的需要,经过十余年的试验研究而发展起来的;尽管它不能代替水力压裂,可以解决水力压裂和酸化所不能解决的许多难题,在酸化和水力压裂予处理、选择性压裂、近水层开采、油气藏分析、提高吸水能力、清理射孔、完井、薄层开发等方面有广泛用途,可单独使用,也可与其他压裂技术配合使用,是尚处于发展阶段颇有前途的一项压裂技术。     

Cu薄膜生长初期的计算机模拟

基于Monte Carlo模型, 在理想基底上设置100×100的二维方形格, 利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型, 并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律. 结果表明: 当沉积粒子数逐渐增加时, 基底表面的粒子团簇结构逐渐增大; 在温度不变的条件下, 随着最大迁移步数的增加, 团簇逐渐增大, 团簇数量逐渐减小, 且团簇分布逐渐稀疏; 温度升高使粒子聚集为岛状, 薄膜呈岛状生长.     

纳米薄膜晶粒生长的厚度效应

应用各向异性蒙特卡罗方法模拟不同厚度纳米薄膜退火时的晶粒生长过程,通过引入厚度因子来修正Burke提出的动力学模型.结果表明:厚度效应对晶粒生长的抑制作用并非表现在晶粒生长初期,而是当晶粒尺寸达到薄膜厚度的0.8~1.2倍时才变得明显;修正后的抑制晶粒生长动力学方程可清晰描述纳米薄膜中的厚度效应,且与模拟结果更吻合.     

磁性石榴石薄膜的液相外延生长机理

为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生长速率与生长温度的关系.     

低粗糙度金刚石薄膜的制备及其光学性能的表征

采用热丝化学气相沉积（HFCVD）方法,在反应气压、衬底温度一定的情况下,通过改变碳源浓度以制备低粗糙度金刚石薄膜.扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）测试结果表明,随着碳源浓度适当增加（从2％增加到3％）,金刚石薄膜表面晶粒尺寸减小到纳米量级,平均粗糙度从45 nm降低到21 nm,同时光学透过率下降.椭圆偏振光谱拟合结果显示,随着碳源浓度的增加,薄膜折射率n稍有偏离理想值.拉曼散射光谱显示随着碳源浓度的增加,薄膜中非金刚石相含量增加,一定程度上影响了薄膜的光学质量.结果表明,在表面粗糙度相差不大的情况下,薄膜的质量决定了其光学性质.     

LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜

本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.     

超薄膜多中心生长的多重分形分析

模拟不同沉积速率下超薄膜多中心生长过程。结果显示:随着沉积率的降低,团簇数减少,团簇的平均分形维数增加。在团簇生长期间,当沉积率保持不变时,团簇的内部粒子在聚集之前比其边缘粒子经历更长时间的台面扩散。团簇不同部分的粒子的扩散时间分布能用多重分形谱来描述,沉积率越低,多重分形谱越宽。