多孔硅的形成机制及吸收特性

用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明（αｈω）２与（ｈω－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。     

简讯.声明.启事

本刊荣获首届《CAJ-CD规范》执行优秀奖 　　在日前结束的全国首届《中国学术期刊(光盘版)检索与评价数据规范》执行评优活动中,《沈阳师范学院学报(自然科学版)》主要数据规范达到标准要求,荣获执行优秀奖。 　　此次评优不设奖级,全国5100余种入编期刊中近2000种期刊参评。本刊自1999年第1期入编《中国学术期刊(光盘版)》和“中国期刊网(Chinajournal.net)”,1999年第3期起,在执行有关国家标准和《中国高等学校自然科学学报编排规范》的基础上,全面执行《中国学术期刊(光盘版)检索与评价数据规范》,编辑出版质量稳步提高。本刊获此殊荣,也得益于广大作者和读者的大力支持和配合,在此谨致谢意。 本刊加入万方数据资源系统(ChinaInfo)数字化期刊群的声明 　　为实现科技期刊编辑、出版发行工作的电子化,推进科技信息交流的网络化进程,《沈阳师范学院学报(自然科学版)》已入网“万方数据资源系统(ChinaInfo)数字化期刊群”。向本刊投稿并刊发的稿件文章,将一律由编辑部统一纳入万方数据资源系统(ChinaInfo),进入因特网提供信息服务。凡有不同意者,请另投它刊。本刊所付稿酬包括刊物内容上网服务报酬,不再另付。欢迎广大作者和读者通过因特网进入万方数据资源系统(ChinaInfo)查询浏览本刊内容,投稿并提出宝贵意见和建议,或征订本刊。 沈阳师范学院学报编辑部 本刊迁址启事 　　本刊已随校迁入新址：沈阳市皇姑区黄河北大街253号。邮政编码：110034,编辑部电话：024-86574467。 沈阳师范学院学报编辑部     

蒙特卡罗改进法求解可靠度编程中的 问题及解决方法

用蒙特卡罗改进法对编程中的关键问题进行了探讨并给出了解决方法.这些问题主要包括正态分布函数Φ(x)及其反函数Φ     

农田水利建设指标评估体系和信息系统的研究

According to the present situation of irrigation and drainage engineering in Jiangsu Province, an index system of evaluation is established, and two methods-AHP and fuzzy comprehensive evaluation combining qualitative analysis with quantitative analysis are adopted for evaluation of the irrigation and drainage engineering. With the help of GIS and WangTeMIS2000 software, an information system of irrigation and drainage engineering is designed. Taking advantage of the computer, it is easy to renew, store and inquire the information of irrigation and drainage construction.     

多孔硅及其分形特性研究

利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅（ＰＳ）样品，测出其结构参数，并摄得相应的ＳＥＭ微观形貌图片．针对多孔硅的结构特点，确立相应的离散分形布朗随机增量（ＤＦＢＩＲ）场模型，应用图像处理方法，求出不同ＰＳ微观图像的分形参数．发现了ＰＳ结构参数和分形参数的内在联系与规律性，为ＰＳ的定量化研究提出了新的方法     

多孔硅及其应用研究展望

介绍了多孔硅的形成机制、光致发光机制,并对多孔硅的应用前景作了展望。     

二氧化锡／多孔硅／硅的吸附特性

研究了二氧化锡／多孔硅／硅（ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ）的光伏谱和吸附性质，由分析光伏谱得出在ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ之间存在着二个异质结：一个是ＳｎＯ＿２／ＰＳ异质结；另一个是ＰＳ／Ｓｉ异质结，当样品吸附ＣＯ气体后，光电压明显减少，实验结果表明，利用光电压的变化可以检测ＣＯ等有害气体．本文对新气体敏感材料ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ的有关气体吸附机制进行了讨论．     

碳化硅薄膜的光学特性研究

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HW-PECVD)技术制备了纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜,利用傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构、光学带隙、发光特性等进行了测量和分析.结果表明,所沉积薄膜主要以Si-C键合结构存在,薄膜中包含有立方结构的3C-SiC晶粒,光学带隙2.59 eV,室温下薄膜表现出强的可见蓝色光致发光,发光峰位随氙灯激发波长的增加呈现红移现象,并将此发光归因于量子限制效应作用的结果.     

多孔硅电学性质的初步研究

采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构．Ⅰ－Ⅴ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ⅰ－Ⅴ特性随温度变化的关系．在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）的测量中发现：多孔硅的禁带中可能存在大量的缺陷态，它们将显著影响多孔硅的电学特性．     

氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型

关于纳米硅／氧化硅系统的光致发光(PL)机制，有很多争议．该系统包括氧化多孔硅(PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒(NSP)镶嵌氧化硅．提出二种PL竞争机制：量子限制(QC)过程和量子限制-发光中心(QCLC)过程．两个过程中光激发都发生在NSP中，光发射在QC过程是发生在NSP中，而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上．对两种过程的几率大小进行比较．哪一过程对PL起主要作用，取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸．对于一个有固定的俘获截面、发光效率和LC密度的纳米硅／氧化硅系统，LC密度越高，NSP尺寸越大，越有利于QCLC过程超过QC过程，反之亦然．对于固定的发光中心参数，NSP尺寸有一个临界值，当NSP的最可几尺寸大于临界值，QCLC2过程主导发光，当NSP的最可几尺寸小于临界值时，QC过程主导发光，当NSP大小接近临界值时，Qc与QCLC都要考虑在内．利用这个模型讨论了一些已报导的纳米硅／氧化硅系统PL的实验结果．     

聚苯胺的光学吸收及其染料增感作用研究

对不同结构与性能的聚苯胺,因电子或极子跃迁而引起的可见－近红外区的光学吸收特性进行了研究,详细讨论了掺杂聚苯胺分子构象对其光学吸收的影响．从该聚合物的染料增感作用研究中发现了孔雀绿、酞菁铜和分散橙对该聚合物均有增感作用,可较大幅度地提高其光吸收特性．     

氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术以SiH4和N2为反应气体沉积了氮化硅(SiN)薄膜,利用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、紫外-可见透射谱(UV-VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析.结果表明,采用HWP-CVD技术能在较低的衬底温度下制备低H含量的SiN薄膜,所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构.适当提高N2/SiH4比例将有利于薄膜中H含量的降低.