LED用CaMoO_4:Eu3~(+),Tb~(3+)白光荧光粉的制备及发光性质的研究

采用化学共沉淀法制备了荧光粉Ca Mo O4:Tb3+、Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+,并对其发光性质进行了研究.Ca Mo O4:Tb3+样品在488nm激发下能发出很强的绿光,此时Tb3+的最佳掺杂浓度为15%;在Eu3+和Tb3+共同掺杂的体系中,可以观察到由于Tb3+向Eu3+的能量传递使Tb3+敏化Eu3+的发光现象.该荧光粉在近紫外光(379nm)激发下发出较强的白色荧光,光谱测试显示Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+的发射光谱存在三个激发峰,分别位于488、543和613 nm处,能够合成较理想的白光.     

CaMoO_4:Eu~(3+)荧光粉的制备及发光性质

利用共沉淀法制备了纳米CaMoO4∶Eu3+发光粉体.并对不同掺杂浓度和不同煅烧温度下所制备的CaMoO4∶Eu3+发光粉体进行室温发光性质的研究.在室温下观测到CaMoO4∶Eu3+样品具有较强的Eu3+离子特征发射.通过对不同煅烧温度下样品发射谱的对比,发现800℃下煅烧的样品,荧光强度最强,样品的晶相与发射性质的研究表明:所制备的样品经不同温度热处理后,晶相与标准卡07-0212一致,荧光强度与Eu3+离子掺杂浓度关系研究表明:在不同掺杂浓度中,Eu3+离子浓度为20%时,其相对发射强度最强.在四个不同的煅烧温度中,经800℃煅烧的样品其发光效果最好.此外,还观察到基质与Eu3+之间的能量传递.CaMoO4∶Eu3+与CaWO4∶Eu3+的激发谱、发射谱进行比对,并且通过计算发现M6+-O的共价键比W6+-O结合的强.     

纳米晶α-Ga2O3: Eu3+的制备与发光性质研究

利用共沉淀法制备纳米晶α-Ga2O3: Eu3 发光粉体.对不同掺杂浓度、不同煅烧温度的系列样品,均观测到Eu3 的室温强特征发射.样品的晶相与发射性质的研究表明,所制备的样品经600℃到950℃热处理后,晶相为三方相;最佳的掺杂浓度为2%,特征峰613nm (5D0→7F2)最强;能量传递主要是电荷转移(CTB).     

电子束蒸发法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质

采用电子束蒸发法在蓝宝石衬底上制备了ZnO∶Eu3+薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和光致发光(PL)光谱仪测试了不同退火温度下薄膜结构、形貌以及光致发光谱,分析了薄膜光致发光中的能量传递原理.结果表明:ZnO∶Eu粒子为六角纤锌矿结构,且600℃退火后结晶更好;光致发光谱中Eu3+的特征发光中心波长分别位于617 nm和667 nm,且600℃退火温度下的Eu3+特征发光最强.适当的退火温度可有效形成Eu离子的发光中心.     

共沉淀法制备Eu~(3+)掺杂Gd_2(MoO_4)_3荧光粉及其发光性质研究

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3∶Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3∶Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

共沉淀法制备Eu3+掺杂Gd2(MoO4)3荧光粉及其发光性质研究术

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3:Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

电荷补偿增强SrCaMoO4∶Eu3+/Eu3+,Sm3+的红光发射

采用共沉淀法制备了无电荷补偿和有电荷补偿SrCaMoO_4:Eu~(3+)/Eu~(3+),Sm~(3+)红色荧光粉,研究了样品的晶体结构和发光性质.结果表明,样品具有白钨矿结构,属于四方晶系,电荷补偿明显增加了红光发射,在Eu~(3+),Sm~(3+)共掺样品中,发现红光的发射也明显增强且存在从Sm~(3+)到Eu~(3+)的能量传递现象.在有电荷补偿的样品中,观测到Eu~(3+)的最佳掺杂浓度为20%.     

一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb3+离子的5 D4→7FJ和Eu3+离子的5D0→7FJ跃迁,表明部分Eu3+离子在还原气氛下被还原成Eu2+.红光、绿光和蓝光发射强度相当,复合得到白光.色坐标(CIE)计算结果显示,荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:0.01 Eu3+,7.0×10-4 Tb3+的白色发光(CIE:x=0.321,y=0.322)接近纯白色(CIE:x=0.33,y=0.33),表明它是一种很有应用前景的基于紫外光芯片的单基白光荧光粉.     

一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb...     

La2O3:Eu3+纳米棒的水热合成以及光学性质研究

以La(NO3)3·6H2 O,Eu(NO3)3·6H2 O和正丁胺等为原料,采用水热法合成La(OH)3:Eu3+纳米棒前驱体,进而退火制备La2 O3:Eu3+纳米棒,并通过X射线衍射、扫描电镜及荧光光谱分析等手段对产物进行表征.结果表明,所得纳米棒呈现出多孔的棒状形貌,具有较高的结晶度.通过荧光光谱分析,La2 ...     

Y2O3:Eu3+红色荧光粉的制备及其发光性质研究

采用固相法、溶胶凝胶法、共沉淀法和水热法4种实验方法,分别制得Y2O3:Eu3+红色荧光粉,并对所制得的样品进行了XRD、SEM以及荧光光谱等表征.结果表明：所制得的Y2O3:Eu3+样品均为纯的立方晶相;都能够被256 nm的紫外光激发,在612 nm处发出强烈的红色荧光,对应于Eu3+ 的5D0→7F2电偶极跃迁,当检测波长为612 nm时,4种实验方法制得的荧光粉体均在256 nm附近出现较明显的激发峰,该处的激发峰对应于从O2-的2p轨道到Eu3+的4f轨道的电荷转移跃迁.且3种湿化学方法（溶胶凝胶法、共沉淀法和水热法）的发光强度强于固相法.     

Gd2O3：Dy^3＋纳米晶的制备和发光性质研究

以Gd2O3和Dy2O3为反应物,共沉淀合成了镝掺杂氧化钆纳米粉体．研究了Gd2O3：D6^3＋的光致发光性质随着Dy^3＋掺杂浓度和煅烧温度的变化关系．通过对荧光强度与激活离子Dy^3＋离子浓度的关系研究发现,Dy^3＋在纳米Gd2O3基质中存在浓度猝灭现象,最佳掺杂浓度为0．7％．     

Ba2-xMgxSiO4:Eu2+绿色荧光粉发光性质研究

运用固相反应法在弱还原气氛下1473 K合成Ba2-xMgxSiO4:Eu2 荧光粉,用发光光谱和激发光谱,X射线粉末衍射等手段研究样品的发光特性和晶相结构.X-ray衍射图表明了Ba2-xMgxSiO4和Ba2SiO4的相位,同时证明Eu2 有助于绿光发射.激发光谱分布在300~450 nm的波长范围,峰值位于337 nm处,表明了这种荧光粉可以通过InGaN管芯产生的300~420 nm辐射有效激发.发射谱带由于Eu2 4 f65d1→4 f7的跃迁形成.随着Mg2 浓度的增加,讨论发射主峰蓝移的原因.     

Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.     

SrNb2O6:Eu3+, Bi3+红色荧光粉的固相合成及发光性质研究

采用高温固相反应法合成稀土离子Eu3+掺杂的铌酸锶红色荧光粉，对其晶体结构和荧光性质进行了X射线衍射（XRD）、荧光光谱（PL）的表征，同时研究了共激活剂Bi3+对SrNb2O6:Eu3+发光性质的影响结果表明，在1 200 ℃焙烧后可得到SrNb2O6纯相；Sr1-xNb2O6:Eux3+荧光粉可以被395 nm近紫外光有效激发，发射峰以Eu3+的5D0→7F2（614 nm）电偶极跃迁为最强峰，Eu3+ 在SrNb2O6中应处于偏离反演对称中心的格位，当x=015时，SrNb2O6:Eu3+在614 nm处的发光强度最大；共激活剂Bi3+的掺入可以增强SrNb2O6:Eu3+荧光粉在325 nm左右激发峰的强度     

Sr5（PO4）3C1：Tb3＋，Tm3＋的制备及Tm3＋对发光性能的影响

采用溶胶一凝胶法合成Sr5（PO4）3C1：Tb3＋,Tm3＋荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响．结果表明：适量掺杂Tb3＋,Tm3＋后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度．     

掺杂铕硅酸锶Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4的发光及结构特性

用高温高压方法合成了Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4。研究了高压对其结构及发光性能的影响。与用溶脑－凝胶法和常压高温法合成的产品相比较，常压制备的Sr(Eu,Bi)SiO3为六角结构，而在2．34－4．10GPa的合成压力下，未发现其结构相变。高压能显地改就样品的发光特性。其发光强度和相对量子发光效率降低，半宽明显增加，且伴有红移发生。发光强度的改变是压致晶场的变化引起的。     

水基Fe3O4磁流体的制备及其性能研究

最近几年,许多研究集中在兼具液体流动性和固体磁性的双重性质的磁流体的制备上．磁流体中悬浮在液体中的固体颗粒大约10nm左右．为防止粒子团聚必须将粒子进行很好的分离,这种分离由向液体中滴加表面活性剂来完成．所以表面活性剂对形成稳定的磁流体来说是非常重要的．本文中我们找到了有效形成水基磁流体的两种表面活性剂．用化学共沉淀法制备了Fe3O4纳米粒子,并且用双层表面活性剂对粒子进行包裹．纳米粒子的大小通过XRD及TEM分别进行了表征．本文获得了粒子分散良好的稳定的水基磁流体．主要对磁流体的粘度进行了讨论．结果表明该流体的粘度很小并随外磁场增加而增加,随温度升高而降低．     

纳米晶ZrO_2(CaO)∶Er~(3+)的制备及发光性质研究

用化学共沉淀法制备了Er3+掺杂浓度不同、煅烧温度不同的纳米晶ZrO2(CaO)∶Er3+系列发光粉体,所制备的粉体均具有Er3+离子特征强室温荧光发射.同时观测到Er3+离子的上转换发射.讨论了上转换发射的跃迁机制,976 nm激发下的上转换过程是双光子过程.荧光强度与掺Er3+浓度关系研究表明:在相同条件下,用378nm荧光激发,分别测量了Er3+不同浓度800℃煅烧样品的发射谱,掺Er3+浓度达0.6%(摩尔分数)时达到最大,然后又随之降低.     

LED用CaMoO_4:Dy~(3+),Eu~(3+),Tm~(3+)白色荧光粉的制备及发光性质研究

采用共沉淀法制备了Dy~(3+)、Eu~(3+)共掺杂;Dy~(3+)、Tm~(3+)、Eu~(3+)三掺不同掺杂浓度的CaMoO_4纳米发光材料,并且研究了其发光性质.在Dy~(3+)、Eu~(3+)共掺杂CaMoO_4体系中,在蓝光454 nm波长激发下,随着Eu~(3+)离子浓度变化色坐标逐渐向红光区移动,并发现了Dy~(3+)对Eu~(3+)的能量传递现象.在Dy~(3+)、Eu~(3+)、Tm~(3+)三掺杂体系中在365nm光激发下色坐标更为接近白光的标准色坐标值,能够合成比较理想的白光.