硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究

为了通过加速寿命试验评估硅雪崩光电探测器的工作寿命,通过FMEA分析和摸底试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式、敏感应力和极限应力,设计并实施了加速工作寿命试验,得到了与理论分析和摸底试验相同的结果:温度应力是影响硅雪崩光电探测器工作寿命的主要应力,最高工作温度应力极限是130℃,对温度应力敏感的参数是暗电流和前放静态输出电压,验证了加速工作寿命试验方案的合理性和可行性。     

硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制

在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下。背面的浅结可以得到比较好的短波响应,而相对大的耗尽宽度可以在近红外处得到比较好的响应。测试结果表明器件在偏压为30V时,1μm处的峰值响应达到0.72A/W,量子效率达90%。     

光电火灾探测器综述

我国当前的火灾形势十分严峻,火灾早期探测对于火灾扑救及火场人员逃生都十分重要。随着经济的迅速发展,当前建筑空间结构及布局呈现多样化,文章介绍了各种光电火灾探测技术的探测原理,并对不同类型光电火灾探测技术在不同建筑空间形势下的适用性进行了综合讨论和分析。     

光电探测器的噪声分析

探讨了光电探测器噪声,从统计物理的角度解释了热噪声对光电探测器的探测能力的影响。     

光电探测器响应时间的测试

光电探测器是光电系统的核心组成部分,其性能直接影响着光电系统的性能.该文通过用探测器的脉冲响应特性测量响应时间,利用探测器的幅频特性确定其响应时间.该文分析了光电探测器的响应度不仅与信号光的波长有关,而且与信号光的调制频率有关,在提出测量探测器响应时间的方法的同时分析了误差的产生原因和解决办法.     

用薄型金-硅面垒探测器测定硅的表面复合速度

§1.引言表面复合速度是研究半导体非平衡载流子性质的一个重要参量.借助于表面复合速度的测量可以对半导体表面的基本性质有所了解.而且表面复合速度还直接影响半导体内非平衡载流子的复合,从而影响少数载流子的有效寿命.而半导体两极管的反向饱和电流,击穿电压,三极管的电流放大系数以及噪声水平亦都与表面复合速度有关.测出经各种表面处理后的表面复合速度,并找出减小表面复合速度的途径,对改善器件的性能是很重要的工作.     

子带间红外线光电探测器

本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第27卷。红外线辐射覆盖了从1～1000微米波长范围的电磁辐射。为了检测红外线辐射，通常将它转换成电信号。红外线检测器的历史是从19世纪开始的，那是在1800赫歇尔发现红外线辐射之后。红外线技术对于军事、科学和商业的应用都是非常重要的。根据工作原理，     

二维钙钛矿窄带光电探测器

识别光信号的波长在生物医学传感、机器视觉及图像处理等方向都有极大的应用价值。传统的方式是由光学滤波片或光谱仪对宽带光谱进行滤波或分光,再结合宽带光电探测器件检测,从而实现对波长的鉴别。但这种实现方式的成本高、系统体积大。为了解决这一问题,文中提出一种基于二维钙钛矿材料的窄带光电探测器,它无需任何额外光学元件,也能够实现对光波长的鉴别功能。该探测器的光谱响应峰在552nm处,其峰值半高宽仅为22 nm,峰值的响应度达到0.55A/W,对应的外量子效率为124%。探测器的比探测率高达3.5×10~(11) Jones,暗电流低至10~(-13)A,开光比为10~3。这种高性能的窄带探测可归因于材料内存在的自陷态激子的辅助吸收作用及各向异性的电导率对于窄带电荷收集的促进作用。     

SMA同轴封装高速光电探测器

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管过对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少～０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。     

光电位置灵敏探测器及其应用

介绍了一种建立在横向光电效应基础上的新型位置灵敏探测器，它不存在死区，可给出了入射光点在整个光敏面上移动时的连续性位置数据，文中介绍了其结构，工作原理和和特性，给出了位置坐标函数表达式和相应的检测电路框图。并讨论了ＰＳＤ的几个应用实例。     

高频光电探测器的信号处理电路设计

利用光学进行精密测试已经成为现代测试技术领域中的主要方法之一。20世纪七十年代以来国内外主要发展以激光为中心的精密测试技术,特别是激光与计算机结合的近代光学测试技术。本设计的光电探测器主要用于以激光为照射源的增量式光栅测量系统信号接收,目的是将高频光信号转换为电信号再送入数据采集卡中进行后续处理。该电路主要包括信号的放大、去噪、加减运算等处理,同时提出了一些设计过程中需要注意的问题。     

基于 DSP的光电探测器数据采集

文章介绍了以DSP芯片TMS320F2812为核心开发的光谱仪数据采集和控制硬件系统,在DSP开发环境Code Composer Studio v3.3下编程实现对滨淞公司NMOs线阵探测器的驱动、数据采集和其它辅助控制.由于该型号的DSP芯片具有高效率的硬件和指令集、丰富的外设配置、灵活的中断设置以及良好的稳定性,系统在光谱仪数据获取中具有良好的应用前景.     

InGaAs近红外激光雷达光电探测器研究进展

激光雷达是激光探测及测距系统的简称,它可以发射定位激光束,通过测定传感器、发射器与目标物体之间的传播距离来定位目标物体的位置,并呈现目标物体的三维结构信息。InGaAs是一种典型的Ⅲ-V族半导体材料,它在(0.35～1.42)eV范围内可调的禁带宽度使其在(0.9～1.7)μm波段具有广泛的应用,被认为是1 550 nm激光雷达探测器的理想材料。本文综述基于InGaAs的激光雷达光电探测器的器件结构、光电特性及InGaAs焦平面光电探测器在激光雷达探测领域的研究进展。目前,基于InGaAs光电探测器的最大响应度达0.57 A/W,最低暗电流低于0.75 pA/μm²,焦平面阵列已经发展到1 280×1 024,像元间距15μm。InGaAs近红外激光雷达探测器的响应波段位于1 550 nm,具有人眼安全、发射激光功率大、大气透过率高等优势,探测距离可达150 m,大视野120°×25°,在高阶辅助驾驶、无人驾驶、服务机器人等领域具有较大的应用潜力。     

ALD探测器的研制

论述了一种自动线路探测器(ALD)结构及其工作原理,并借助ANSOFT HFSS13.0软件的可视化功能,模拟出探测器附近的磁场强度分布,将复杂的磁路理论问题进行了简化,仿真所得结果印证了其原理性的逻辑描述.利用仿真所得数据,根据法拉第电磁感应定律,计算出接受线圈产生的感生电动势,计算结果与实际测量结果相一致.探测器组装简单,经过调试和封装后即可安装在轨检车上使用,目前,ALD探测器已在多个铁路局轨检车上推广使用,并取得了良好的效果.     

TGC探测器的研制

ATLAS是将要在欧洲核子研究中心(CERN)开展的大型国际合作粒子物理实验．ATLAS实验采用TGC探测器作为其第一级触发探测器．山东大学建立了专门的实验室用于TGC的研究，研制了部分样品，并通过了测试．本文介绍了TGC探测器的研制和样品的部分测试结果．     

低硅冷轧电机钢用热带的研制

结合承德钢厂电机硅钢开发项目,针对其无精炼设备,不采用电磁搅拌技术的现状,对比电机钢传统生产工艺,确定以中小型电机转子用硅钢为目标,通过合理的冶炼、连铸、热轧工艺设计,严格控制各工序工艺参数,在承钢普碳钢生产工艺流程的基础上进行工业试验,以开发研制低硅冷轧电机钢用热带.结果表明:成品电机钢的各项性能均达到国标50w1300标准,铸坯表面、内部没有明显缺陷,热轧、冷轧钢带表面良好,特别适合小电机转子的制造.     

对紫和近紫外区有较高灵敏度的硅光电二极管研制

物理系半导体教研室和半导体车间,在原来研制的兰硅光电二极管的基础上,根据新的设想,采用新的工艺措施、研制出光谱响应峰值更向兰移,而且在紫和近紫外区有较高灵敏度的硅光电二极管。光电二极管是一种光探测元件,广泛应用于光辐射的测量、光通讯和自动控制等方面。通常的硅光电二极管或硅光电池的光谱响应波长范围是从400毫微米至1100毫微米,响应的峰值波长大致在900毫微米附近。鉴于通常硅光电二极管的光谱响应特牲,它最适用于900毫微米附近的近红外     

圆柱形光电探测器透镜聚光特性研究

运用透镜聚光原理,以光线追迹法建立平行光偏转角α与透镜焦距、光强分布的光学仿真模型,模拟仿真得到随偏转角α的变化焦平面聚焦光斑位置与光强分布图,进一步研究分析光焦斑位置大小变化、焦距长度和光强分布特性.结果表明:平行主光轴的入射光线经透镜后光斑区域集中、光强分布均匀,并且随α的增大,焦斑中心位置偏离主光轴越大,且焦斑区域的光强分布越不均匀.结论为光电探测器设计需要确定圆柱的高度和半径等参数提供了理论参考依据.