MnO2和PbO2共沉积电极的阳极行为

探讨了ＭｎＯ２和ＰｂＯ２共沉积电极在硫酸介质中的阳极析氧行为,发现当锰与铅的原子比约为７．１：１。该电极以表面锰原子为析氧活性中心,共沉积的铅对的析氧性能基本无影响。     

铅晶体蓄电池正极的多孔电极性质研究

由速冷Ｐｂ－Ｃｄ合金循环氧化而形成的Ｐｂ晶体电极具有优异的电化学性能，与纯铅阳极膜相比，其氧化层中活性成分形成速度快、单位面积含量高、β－ＰｂＯ２含量大并具有良好的多孔性结构；与薄型涂膏式ＰｂＯ２电极相比，其氧化层比表面积大并具有突出的快速放电能力．以小三角波电位扫描方法在Ｈ２ＳＯ４体系中测定电极双电层电容，可以用来表征活性物质比表面积．结果表明，Ｐｂ晶电极活性层的比表面　　积是涂膏式电极的十几倍，同时其氧析出过电位也明显高于涂膏式ＰｂＯ２电极．     

Mn2+在Ti/SnO2+SbOx/PbO2电极上的电氧化研究

比较了Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂｘ／ＰｂＯ２电极与Ｔｉ／ＰｂＯ２电极在电解Ｍｎ＾２＋体系中的析氧极化曲线、Ｍｎ＾２＋的氧化极化曲线和电极寿命,发现加入中间层后的Ｔｉ／ＳｉＯ２＋ＳｂＯｘ／ＰｂＯ２电极对Ｍｎ＾２＋的电氧化有更好的催化活性和较长的使用寿命。用正交实验法探讨影响Ｍｎ＾２＋→Ｍｅ＾３＋＋ｅ电极过程的因素,找出以Ｔｉ／ＳｂＯｘ／ＰｂＯ２电极为阳极用无隔膜电解槽电解Ｍｎ＾２＋的最佳工艺条件,在此条件     

β—PbO2修饰电极的研究（Ⅱ）

进行了β－ＰｂＯ２／ＳｎＯ２／Ｔｉ电极的研制及其性能的研究，与以前做的β－ＰｂＯ２／Ｔｉ进行比较，显示了β－ＰｂＯ２／ＳｎＯ２／Ｔｉ修饰电极导电性能好并节省电能等方面的优越性。     

场控变阻材料在高压陶瓷电容器边缘电场改善中的应用

利用场控变阻材料电阻率随电场变化的特点，改善留边型平板高压陶瓷电容器电极边缘的电场，可以大幅度提高陶瓷电容器的性能，探讨了ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃加入掺杂ＺｎＯ制成的半导体玻璃釉对陶瓷电容器电击穿强度，充放电寿命的影响，通过配方，工艺、电极结构的优化可以使留边型高压陶瓷电容器的击穿强度提高８０％以上，充放电寿命提高了１０倍以上，并与具有类似场控变阻性能的半导体漆作了对比。     

温度对Cr2O7^2—阳极形成过程的影响

用分解极化曲线法研究了在０．１ｍｏｌ／ＬＣｒ２（ＳＯ４）３＋１ｍｏｌ／ＬＮａ２ＳＯ４溶液中Ｐｔ和ＰｂＯ２电极上Ｃｒ２Ｏ７＾２－阳极形成和Ｏ２析出过程中温度的影响。实验结果表明,在１．９５Ｖ下,Ｐｔ电极上Ｏ２和Ｃｒ２Ｏ７＾２－的表观活化能分别为５７．４ｋｊ／ｍｏｌ和６１．３ｋｊ／ｍｏｌ;ＰｂＯ２电极上Ｏ２和Ｃｒ２Ｏ７＾２－表观活化能分别为４０．２ｋｊ／ｍｏｌ和４６．２ｋｊ／ｍｏｌ。温度对于Ｃｒ２Ｏ７     

阳极PbO2膜电催化性能的研究

过实验探讨了铅（Ｐｂ）在阳极极化过程中形成的阳极ＰｂＯ＿２膜的电催化性能，结果表明：在硫酸溶液中的恒电位极化得到铅的阳极Ｐｂ０＿２膜，比未形成阳极膜的铅电极（Ｐｂ）对于Ｍｎ￣（２＋）氧化成的反应具有电催化性能，能使反应速率加快。     

Pb－Pb＿3（PO4）＿2化学修饰电极响应机理的探讨

初步探讨了Ｐｂ－Ｐｂ３（ＰＯ４）２化学修饰电极的响应机理，提出了该修饰电极在溶液中的界面模型，说明了该修饰电极电位的产生     

PZN—PT—BT陶瓷的铁电弛豫现象

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ２－ＰｂＴｉＯ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ）系陶瓷的介电弛豫、热释电等现象与ＰｂＴｉＯ３含量的关系。探讨了热处理工艺对０．７５ＰＺＮ－０．２０ＰＴ－０．０５ＢＴ陶瓷的结构和性能的影响。运用宏畴－微畴理论对所得的实验现象进行了解释。     

PbO2／Ti电极在间接电氧化法合成芳烃醛中的应用

对电极进行了优选；用电沉积法制备了ＰｂＯ２／Ｔｉ电极，用扫描电镜对其进行表征；研究了此电极的电化学特性并进行了实际考察，讨论了该电极的表面状态对Ｍｎ氧化为Ｍｎ电解收率的影响因素。     

电合成L-半胱氨酸高活性电极的研制

采用化学修饰和电沉积方法在Ｔｉ表面镀覆一层结合牢固的Ｓｎ层，从而制成钛基锡电极，该电极和Ｐｂ电极比较，对Ｌ－半胱民合成反应，具有更高的电催化活性，电流效率大于９９．０％，电解收率为９８．０％以上，明显优于Ｐｂ电极电解。     

AI~(3 ),Ph~(2 )掺杂提高SIO_2驻极体正电荷贮存性能

运用熔凝工艺在非晶态ＳｉＯ２薄膜驻极体中掺入质量分数为０．２的Ａｌ２Ｏ３和质量分数为０．４的ＰｂＯ．高温恒栅压正电晕充电及等温电荷衰减等实验表明,经Ａｌ(３＋)和Ｐｂ(２＋)离子掺杂改性的ＳｉＯ２薄膜（ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＰｂＯ）具备较好的正极性驻极体性能,其正电荷储存稳定性在２１０ｄ后高于９５％;热激放电（ＴＳＤ）正电荷电流谱成为简明的负向放电曲线,峰值稳定于ｔ＝２９０℃附近;薄膜成形温度降低为８００℃左右,工艺得到简化．这表明有针对性的离子掺杂可以有效改善ＳｉＯ２薄膜体内的微观网络结构,从而提高其电荷注人与存储能力．     

试剂中铅的还原倒导数计时电位溶出分析法测定

在１．２ｍｏｌ／ＬＨＣｌＯ４底液中,将Ｐｂ＾２＋以ＰｂＯ２的形式富集于金膜电极上,然后以恒电流将其还原溶出,测定溶出过程的倒导数计时电位溶出信号。．     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

电极材料,温度等因素对Ce^3＋阳极氧化过程的影响

用气体电量计法分解极化曲线研究了温度对ＰｂＯ２，Ｐｔ电极上Ｃｅ＾４＋阳极形成过程的影响，得到了两电极上Ｃｅ＾４＋和Ｏ２的表现活化能，在Ｐｔ电极上Ｃｅ＾４＋的活化能在于Ｏ２的活化能；温度升高时使Ｃｅ＾４＋的电流效率升高，但ＰｂＯ２电极上Ｃｅ＾４＋的活化能小于Ｏ２的活化能，温度升高时Ｃｅ＾４＋的是流效率降低，研究了不同Ｃｅ＾３＋浓度对Ｔｉ／Ｐｔ基ＭｎＯ２电极上Ｃｅ＾４＋阳极形成过程的影响，得到出该反应     

H+和SO2-4离子对PbO2电极上ClO-4阳极形成过程的影响

用分解极化曲线法研究了Ｈ＾＋和ＳＯ＾２－４离子对ＰｂＯ２电极上Ｏ２和ＣｌＯ＾－４阳极形成过程的影响,分解得到的稳态极化曲线φ～ｌｇｉＣｌＯ４＾－和φ～ｌｇｉｏ２上均有一电位突跃,在２５℃下前一突跃生在１．９～２．０Ｖ;后一突跃发生在２．０５～２．１５Ｖ左右,两者在突跃区前后的Ｔａｆｅｌ斜率均接近于２．３０３ＲＴ／βＦ（其中β约为０．５１～０．５４）,在突跃前当（Ｈ＾＋）减小时,使ＣｌＯ＾－４形成或     

电极材料和氢醌对叶绿素光电效应的影响

将叶绿素ａ二水聚集体电沉积于ＳｎＯ２光透电极上形成叶绿素ａ ＳｎＯ２电极。在ｐＨ５．３的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲溶液中和另一电极组成电池，研究其光电化学性质。当发迹对电极的材料时，叶绿素电极具有不同的光感电位和光感电流。     

镍钨合金电结晶机理

应用循环伏安法和电位阶跃法研究了Ｎｉ－Ｗ合金电沉积特点．结果表明,在以柠檬酸铵为络合剂的镀液中,沉积层的Ｗ含量随电流密度的增大而增加但电流效率变化不大,当电流密度超过１５Ａ／ｄｍ２后,镀层的Ｗ含量不再发生明显的变化而电流效率却明显降低．循环伏安实验结果表明,当镀液中有Ｎｉ２＋存在时,ＷＯ２－４才能被还原到以Ｎｉ－Ｗ合金形式存在的Ｗ金属态,且其沉积电位比ＷＯ２－４（沉积为钨蓝氧化物）和Ｎｉ２＋单独沉积时的电位更正．根据电位阶跃的ｉ～ｔ曲线分析得知,在玻碳电极上Ｎｉ－Ｗ合金电结晶过程遵从扩散控制瞬时成核三维成长模式进行,且随着过电位的增加,电极表面上晶核数增多．     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

Pb／PbO／PbSO4电极在硫酸溶液中的还原

采用阴极线性电位扫描法、实时交流阻抗测量及光电子能谱等研究Ｐｂ／ＰｂＯ／ＰｂＳＯ４电极在硫酸溶液中的阴极还原过程．结果表明，ＰｂＯ还原峰的峰电位随氧化时间的增加而负移，ＰｂＯ在还原时分为两个阶段即ｏ－ＰｂＯ和ｔ－ＰｂＯ的还原，ＰｂＯ还原发生在ＰｂＯ与基底Ｐｂ的界面．