钛酸锶钡陶瓷的低频介电特性

将溶胶-凝胶法制备的Ba0.6 Sr0.4 TiO3纳米粉体分别在1300℃和1330℃下烧结成瓷,采用XRD、SEM和LCR分别对粉体的物相结构、烧结体的晶粒形貌和材料的介电性能进行了测试分析。结果表明,随着陶瓷晶粒平均尺寸的降低,居里温度向负温度方向移动,其介电峰有弥散化趋势;陶瓷烧结体的介电损耗随致密度的升高而降低,室温附近在0．002左右,且温度稳定性良好;20℃下,样品在0．5～200 kHz下的介电常数随频率的上升而减小,而介电损耗则随频率的升高而增大。     

添加物对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用

本文研究了Bi     

溶胶-凝胶法制备(Ba,Sr)TiO3超细粉体的研究

以硝酸锶、硝酸钡、钛酸四丁酯、氨水、柠檬酸为前驱体原料,采用溶胶-凝胶法制备超细Ba0.7Sr0.3TiO3（BST）陶瓷粉体,详细研究了柠檬酸量、溶液pH值、分散剂、热处理温度对BST粉体粒径的影响。结果表明：通过控制前驱体溶液pH值可以得到均匀的溶胶。当溶液的pH值为7,分散剂含量为2.5 ml,热处理温度为800℃时,得到了性能较好的BST粉体。相比于传统工艺,热处理温度大大降低,粉体粒度分布较窄,平均粒径约为100 nm。     

钛酸锶铅材料半导性研究

目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。     

碳酸盐共沉淀法合成高纯超细钛酸锶粉体

采用TiCl4和SrCl2·6H2O作反应物、(NH4)2CO3和NH3·H2O作沉淀剂碳酸盐共沉淀法合成了高纯、超细的钛酸锶粉体.研究了共沉淀形成的条件,同时,用TG-DTA研究了煅烧反应过程;用SEM、XRD分析了钛酸锶粉体的形貌及晶相;并进行了化学分析和ICP测试.结果显示,所得粉体的平均粒径小于0.3μm,纯度大于99.8%,具有单一的立方相,锶钛比约为1.0.钛酸锶粒子形状规则、大小均匀.     

镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究

采用Sol-Gel法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备出未掺杂和掺杂Mg的（Ba0.5Sr0.5）0.85Pb0.15-TiO3薄膜．采用XRD、SEM和Agilent 4294A精密阻抗分析仪研究了Mg掺杂量对薄膜的结晶性,表面形貌和介电性能的影响．结果表明：随着Mg掺杂量的增加,PBST薄膜的介电常数减小,介电损耗降低,介电调谐量先减少后增加．当Mg掺杂量为0．8mol％时,PBST薄膜具有最大的优值因子．     

溶胶-凝胶法制备多孔 SiO_2 超细粉体

以水玻璃为原料,乙酸乙酯为潜伏酸试剂,用溶胶－凝胶法制备了多孔ＳｉＯ２超细粉体．对乙酸乙酯作为潜伏酸试剂的特点及反应温度和乙酸乙酯用量对硅酸盐聚合形成溶胶和凝胶过程的影响进行了分析和讨论．并用ＴＧ－ＤＴＡ,ＸＲＤ,ＴＥＭ,ＩＲ和氮气吸附对粉体的基本性能进行了测试表征．结果表明,反应温度和乙酸乙酯用量对成溶胶和凝胶的时间有较大影响,在反应温度３０℃、乙酸乙酯与ＳｉＯ２摩尔比为０．６５时,可制得粒径为１０～２０ｎｍ的多孔ＳｉＯ２超细粉体,粉体的ＢＥＴ比表面积为４１４ｍ２／ｇ,孔形状为管状毛细孔,孔径主要在１０～１００ｎｍ范围．     

溶胶凝胶法制备超细二氧化硅的研究

以Na2SiO3·9H2O为原料、乙酸乙酯为潜伏酸试剂,并辅以超声波振荡,采用溶胶-凝胶法制备了高比表面积超细SiO2粉体.考察了Na2SiO3浓度、酸试剂、表面活性剂、超声波等因素对SiO2粉体粒径的影响,并用TEM、BET、低温液氮吸附和XRD等分析手段对SiO2粉体颗粒进行了表征.结果表明,所制得的SiO2粉体呈无定形,粒径为40～60 nm,比表面积可达400 m2/g以上.     

溶胶-凝胶法制备超细Ce-Ti复合粉体的研究

采用溶胶-凝胶法制备了Ce-Ti复合超细粉体,主要研究了溶胶-凝胶法制备过程中溶胶-凝胶形成的条件及不同焙烧温度对超细粉体粒径的影响.结果表明,C2H5OH与H2O摩尔比在0.5~2.0时能形成稳定的凝胶;采用真空干燥能形成松散的结构,不易团聚,真空干燥温度60℃,真空干燥压力5 kPa左右,真空干燥时间大于24 h;超细Ce-Ti复合粉体的平均粒径随干凝胶焙烧温度的升高而增加,在600℃下焙烧1 h,能得到较好的效果,粒径可达5.9 nm.     

稀土硅化物的制备及红外吸收光谱

报导了由射频溅射制备稀土（Ｙ）硅化物薄膜．样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ－１有一个弱吸收峰．样品进行高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强．我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收，而弱峰是ＹＳｉ的键振动吸收     

线性高频电容器瓷料的研究

研制一种以ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２－ＣａＴｉＯ３为主晶相的Ｖ组线性电容器瓷料．以三、五族氧化物为改性剂，使容量温度特性线性化；加ＰｂＴｉＯ３，使介电常数提高．其介电常数ε＞３１０，电容温度系数αｃ＝（－１５００±２５０）×１０－６／℃，其余各项电气、物理、机械性能均符合国际ＧＢ５５９６－８５．     

超细高纯钛酸锶的研制

本文采用化学沉淀法研制超细高纯SrTiO_3粉料。通过化学分析、粒度分析、原子吸收光谱分析、XRD和TG—DTA等手段,研究了反应温度、反应浓度、加料速度、煅烧温度对粉料性能的影响。制得之SrTiO_3粉料纯度≥99.9％,平均粒径<1μ,SrO/TiO_2(摩尔比)为1.00左右。     

均质超细掺Ca W Co Mn改性PbTiO_3陶瓷粉料的研制

报道了用化学共沉淀法制备掺Ca,W,Co,Mn改性PbTiO_3陶瓷粉料的技术.制得的粉料粒度小于0.05μm,纯度99.9％,添加元素均已定量掺入.     

低压电容铝箔国产化的研制(英文)

本文利用金相、X光和电子显微镜等技术,对国产和进口低压电容器用铝箔的成分和组织结构等进行了对比分析。通过对铝箔直流腐蚀形貌的观察,研究了提高铝箔比电容的机理。成功地开发了一种新型国产电容铝箔,经工厂实际生产应用证明,各种技术指标均达到进口电容铝箔的水平,能取代进口箔,具有巨大的社会效益和经济效益。     

修正哈达马变换的快速算法

以修正哈达马变换为基础，建立了修正哈达马变换的快速算法。首先，从Ｎ＝８这种特殊情况出发，利用矩阵分解法，获得了快速修正哈达马变换及其逆变换的基本原理和方法。然后，又导出了快速算法的一般迭代公式。     

钙离子 A 位固溶改性钛酸铅多晶体的微观结构及响应特性

由于钙离子Ａ位固溶改性钛酸铅烧结多晶材料具有压电各向异性和其它优良的电学性能，所以该材料可广泛应用于制造高频超声换能器、红外检测器和声表面波（ＳＡＷ）器件。应用透射电镜（ＴＥＭ）技术、高分辨率成像技术和Ｘ－射线衍射技术，研究了材料的晶体结构和电畴形态对钙Ａ位固溶改性钛酸铅多晶体的晶体各向异性、压电各向异性和其它电学性质的影响。实验结果发现，高压电极化引起的晶体内部微裂纹，是引起横向机电耦合效应为零的钙离子Ａ位固溶改性钛酸铅多晶压电振子在厚度振动基频附近产生无规律小振幅振动（即假响应）的原因。     

通用小口颈陶瓷容器泥坯一次成形技术

陶瓷容器在化工、食品工业及日常生活中广泛应用，传统技术难以生产小口颈陶瓷容器。本文提出一种模芯能“膨胀”变形的小口颈陶瓷容器泥坯一次成形技术，工艺实践表明，该技术通用性好、投资少、产品质量优良。     

溶胶凝胶法制备PTCR材料用(Ba,Sr)TiO3粉体

探索用改进的溶胶凝胶法制备超细钛酸钡锶粉体超微粉。雾化钛酸钡锶溶胶，溶胶粒子在加热基体上快速凝胶，不仅缩短粉体的制备时间，而且制得粉体的粒径均匀。     

高纯电容铝箔中残留杂质化合物的研究

本文通过电镜观察和电子计算机运算,标定了高纯电容铝箔经不同温度淬火后残留杂质化合物的成分和结构,同时研究了电阻率、显微硬度随热处理条件而变化的规律。TEM观察表明:500℃/5min淬火后,残留化合物有FeAl_6、FeAl_3,α-AlFeSi和其它杂质粒子。500℃/min淬火后,残留化合物有(AlFeSi)T相粒子和其它杂质粒子。600℃/5min淬火,没有杂质粒子存在。由电阻率和显微硬度的变化规律说明,杂质粒子在淬火过程中发生溶解。完成溶解过程所需要的时间随淬火温度上升而缩短,在500℃时约15min,550℃时约10min,600℃时约5min。杂质的存在状态对铝箔比电容影响很大。SEM观察表明:杂质以第二相粒子形式存在将造成腐蚀不均,比电容下降。杂质固溶于铝基体中,腐蚀不均现象可以避免或减弱,比电容上升。