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一种CMOS过热保护电路 总被引:6,自引:0,他引:6
提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的spectre仿真结果表明,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。 相似文献
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本文就CMOS参数、MS-DOS系统启动与配置文件、批处理文件、机中所有文件目录、病毒防御保护系统等六个方面的软件资源保护问题做了系统、稳妥的论述。并给出了保护方法和必要的操作提示。 相似文献
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提出了目标自动跟踪摄像机的总体设计方案。根据CMOS图像传感器的工作原理及典型外围电路,设计了基于CMOS图像传感器的图像采集电路。为了提高图像数据的处理速度,采用了双存储器的设计方案。选取了一个带有六个参数的仿射变换模型来表示整个背景图像运动,利用待匹配块之间仿射模型的变换关系.求解出了背景运动模型参数,实现了相邻两帧背景图像之间的匹配。通过时间差分法实现目标检测,采用强度中心法确定目标位置。 相似文献
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介绍了硬盘保护系统的主要功能和在计算机实验管理中的实际应用,主要讲述硬盘数据保护、CMOS参数保护、网络唤醒、IP分配、网络分组同传、智能同传、智能排程、断电同传以及机房网络管理控制等一系列重要应用,以做出符合各高校实验室管理的实际应用模式. 相似文献
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基于IBIS模型的CMOS电路同步开关噪声的计算和优化 总被引:1,自引:0,他引:1
基于高速数字I/O缓冲器瞬态行为模型计算并优化了CMOS集成电路的同步开关噪声(SSN),阐述了用IBIS(I/O Buffer Information Specification)数据文件构造高速数字I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程,利用序列二次规划法(SQP)对CMOS电路的寄生参数和传输线的主要物理参数进行了优化分析,减小了CMOS电路的SSN。 相似文献
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《内蒙古师范大学学报(自然科学版)》2017,(4)
为了提高CMOS电路的能耗转化效率,设计了基于嵌入式系统的低能耗CMOS电路.根据CMOS电路中硬件电路的动态能耗和静态能耗产生的条件,嵌入式系统分别采用点对点休眠和硬件层参数管理的方式进行控制,大幅度降低了CMOS电路的平均能耗.仿真实验结果表明,该电路可以提高静态能耗的转化效率,在动态能耗的处理中具有良好的动态收敛性. 相似文献
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介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench。并基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法。 相似文献
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本文仔细地分析了铝栅和条状硅栅CM。S结构的节点电容与几何结构、物理、材料和工艺参数关系;推出了较为精确的节点电容表达式;提出CMOS倒相器、与非门、或非门等基本单元电路设计合理结构的理论,为决定申,小规模高速CMOS电路各级门电路经济合理的几何结构提供了一种有价值的设计方法,是提高CMOS电路速度一种有效途径。本设计理论已应用于六倒相器,计数器等多种条状栅CMOs电路的设计,并获得令人满意的交流参数。 相似文献
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在分析了手机数码相机的两种图像传感器CCD和CMOS之间区别的基础上,选用CMOS图像处理器进行手机开发.阐述了CMOS图像处理器的工作原理和工作流程,由于CMOS集成度高,它在功耗、大小、系统及成本上有竞争优势. 相似文献
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周锦春 《萍乡高等专科学校学报》1998,(4):72-72
<正> CMOS中存储的数据非常重要,除了系统时间和日期外,还记录了计算机的各项配置参数。但是,当CMOS中的数据因电池电压不稳定,或由于病毒发作而遭到破坏时,微机都有可能瘫痪。特别是象学校这样的公共机房,由于上机人员流动频繁,CMOS经常被加密,致使非计算机专业用户难以正常、顺利地上机。下面根据本人在工作中的经验,总结出四种CMOS解密方法。 相似文献
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电路设计中实现低功耗途径的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
陈海波 《太原师范学院学报(自然科学版)》2003,2(2):57-59
CMOS电路功耗主要由动态功耗决定的,文章分析了影响CMOS电路功耗的主要因素,同时指出了降低CMOS电路功耗的主要途径,并介绍了一些低功耗器件的设计方法和低功耗的设计技巧. 相似文献
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对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究.从理论上分析了传输线分布参数和损耗,利用0.13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库,在0.1~30 GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试.利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数.研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型. 相似文献
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随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25 μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD (electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一. 相似文献
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本文认为:从硬件上对CMOS放电,对一般用户难度较大,且不安全。因此,应通过编程对地址为70H和71H两端上的访问和数据回写,使CMOS数据得到清除,从而达到从软件上实现对CMOS放电的目的。文章提出了从软件上实现CMOS放电的具体办法。 相似文献
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低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
电源电压的下降对模拟电路的设计是一个难题。如今模拟电路的典型电源电压大约是2.5~3V,但是发展的趋势表明电源电压将是1.5V,甚至更低。在这种情况下,国内外研究人员致力于设计适用于标准CMOS工艺的低压电路蛄构。主要在文献[1]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器(CFOA),使用了0.5μmCMOS工艺参数(阈值电压为0.7V),模拟结果获得了与增益关系不大的带宽。在1.5V电源电压下产生了约6.2mW的功耗。 相似文献