磁阻式随机存取存储器研究

研究了MRAM存取技术的基本原理,比较分析了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.     

半导体集成电路存储器发展综述

介绍了半导体集成电路存储器在计算机中应用的发展情况。     

集成注入逻辑随机存取存贮器的研制

本文分析了互补型集成注入逻辑随机存取存贮器单元电路的有源寄生元件,指出了它们对单元电路的各种影响及危害程度。不论试制过程中的测试结果,还是模拟测量和理论估算都告诉我们,为了克服寄生元件的有害影响,单元电路的耦合晶体管(T_1、T_2)的β反应不低于4,有源负载横向 PNP 晶体管的β应不低于2,必须采用 N~ 埋层结构。这表明与一般注入逻辑电路相比,这种类型的随机存取存贮器单元电路对工艺的要求是比较高的。按照克服寄生元件影响的需要,以及实际工艺条件的可能,设计了8×4存贮器电路版图,并试制成功了8×4存贮器电路。     

半导体桥等离子体的光学诊断

为了克服半导体桥(SCB)等离子体尺寸小、存在时间短的局限性问题,用发射光谱法和增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了SCB等离子体的特性.原子发射光谱表明SCB等离子体成分包括铝原子、铁原子、铜原子、铜离子、硅原子和硅离子.根据Stark展宽法,用AlⅠ 394.40nm计算等离子体的电子密度为1016cm-3.等离子体尺寸约为500～2 000 μm.在延时为1μs时刻,等离子体径向速度约为1 km/s,轴向约为0.7 km/s,在5μs时降到最小.研究结果为优化桥体设计和改善装药条件等研究提供了依据.该方法提供了一种瞬态小尺寸等离子体的诊断途径.     

用MISS实现静态随机存取存贮器的研究

本文提出了一种新型静态随机存取存贮器。(SRAM)。它利用金属-绝缘体-半导体开关(MISS)的负阻特性来存贮信息。与现行的利用双稳态触发器作存贮电路构成的(SRAM)相比,单元电路可由六支管子减至两管(记为2-SRAM)。因而这种2-SRAM有利于提高SRAM的集成度,并且在理论上分析还有利于提高SRAM的存取速度。     

基于并行随机存取模型的并行K-means算法

提出了一种基于并行随机存取模型的并行K-Means算法,并对该算法的计算复杂度进行了理论分析。分析结果表明,本文提出的并行K-means算法相对于传统的串行K-Means算法具有近似线性的加速比。采用该算法可以提高聚类分析的效率。     

相变存储器,预示下一代存储器的到来

<正>存储器是一个新兴产业,也是集成电路最重要的技术之一。宋志棠团队研发的相变存储器及存储材料,综合性能指标已达到国际先进水平,被称为预示着下一代存储器的到来。国家"十三五"发展规划指出,集成电路产业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业,启动集成电路重大生产力布局规划工程,将实施一批带动作用强的项目,推动产业能力实现快速跃升。作为一个新兴产业,存储器是集成电路最重要的技术之一,也是国家核心竞争力的重要体现。中国科学院上海微系统与信息技术研究所创立了八面体     

存储器读取方法以及数字存储器装置

该发明提供一种存储器读取方法以及数字存储器装置,该方法包括接收页面数据读取指令,以选定数字存储器装置的页面;回应接收页面数据读取指令,设定第一状态位及第二状态位为忙碌状态,自选定的页面载入数据至数字存储器装置的页面缓冲器,页面缓冲器至少分割为第一部分以及第二部分,对页面缓冲器的第一部分的数据执行一第一错误更正程序而建立一第一错误更正数据;当完成第一错误更正程序时,重置第一状态位为不忙碌状态;回应接收页面数据读取指令,对页面缓冲器的第二部分的数据执行一第二错误更正程序而建立一第二错误更正数据;当完成第二错误更正程序时,重置第二状态位为不忙碌状态。该发明可以提高存储器装置的读取效能。     

存储器诊断技术在煤矿微机检测系统中的应用

提出提高微机检测系统抗干扰能力的存贮器诊断技术，这种技术被用于煤矿微机检测系统中，取得了明显的效果。     

随机存储器的故障诊断

用随机测试的方法进行RAM的故障诊断,给出了故障定位的算法,利用该算法能方便地对可能发生在RAM存储器中的故障进行诊断与定位。     

图象存储器的设计

图象存储器是图象处理系统的关键部件。双端口存储器体积小、成本低、功能强，是可直接在１０ＭＨｚ以上的时钟下工作、新发展起来的存储器件。本文以ＴＣ５２４５２６为例介绍图象存储器的设计。     

STT-MRAM存储器的研究进展

基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM的基本原理与发展历程,着重介绍了写入技术的演变以及磁各向异性的改善.然后总结了近期在3个领域的研究成果:(1)学术界开展了大量研究以探讨制备工艺和器件结构等因素对界面垂直磁各向异性的影响;(2)CoFeB-MgO双界面结构被提出,该结构在不增大写入电流的前提下增强了磁隧道结的热稳定性势垒;(3)新兴的自旋轨道矩写入方式引起了广泛的关注,该技术有望解决传统自旋转移矩所面临的速度瓶颈和势垒击穿风险.最后,本文扼要地介绍了STT-MRAM在芯片设计领域的最新进展.     

高性能存储器系统

在过去的十年当中，微处理器的速度快速上升，每18个月CPU速度就会增加一倍。然而，当初内存的速度增加一倍却用了整整十年。ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductor）研究表明，存储器将会依然沿着现有的发展道路发展，因此ITRS的短期和长期目标表明，在2016年之前，目前的存储器性能上升速度将会一直保持现有水平。     

一种新型非易失性存储器——相变存储器

非易失性存储器在数字系统中扮演着重要的角色,其特点是断电后可以继续保存数据,相变存储器（Phase—Change Memory,VCM）由于其高密度、低功耗、工艺兼容等特点成为了下一代存储器的有力候选之一,引起了广泛的注意。本文主要介绍了当前相变存储器的研究现状．并对特定结构的相变存储单元进行了相变行为的计算机仿真。     

非挥发存储器的新时代

闪存作为第一种成功的可擦写的非挥发存储器，已成为手机、数码相机以及PDA等断电后仍要求保存数据的众多没备的酋选器件。闪存芯片占有极大的市场份额——150亿～170亿美元。     

西门子PLC存储器的应用

主要针对西门子PLC中S7300/400模块存储器的功能、存储器的区别,存储卡选择等问题进行了阐述,并提出了使用存储卡时注意的事项。     

有机存储器势头正旺

有朝一日，记忆芯片可能利用有机化合物来存储信息，就像您的大脑灰质那样。过去几个月，一些研究小组报道了几种前景看好的有机存储器原型——从动态随机存储器（DRAM）到类似CD-ROM的高容量不可重录存储介质。有机物不会使您的电脑功能更加强大，但它不需要洁净的生产条件和无休止的光蚀刻过程。有机存储芯片比其他存储器制造起来更为方便——因而也更便宜。     

相变存储器材料研究

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.