疲劳Cu单晶驻留滑移带演化的观察及其应力场的计算模拟

利用扫描电镜电子通道衬度技术,对单滑移取向下,疲劳过程中Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察.观察表明,PSBs的形成可以分为4个阶段,即脉络、通路、萌芽、真正形成完整的PSB位错结构.对以上4个阶段中典型位错结构的演化进行了模拟,并利用三维离散位错静力学方法给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布,相应地,利用有限元方法计算了外应力场的分布.结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的.在通路和萌芽的尖端平均内应力没有太大的变化,而此处的平均外应力却比其他区域高,外应力提供了通路和萌芽长大的驱动力.在PSBs与基体边界处,内应力和外应力的值都急剧变化,因此存在切应变的不连续,积累到一定程度就会出现裂纹.     

共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯...     

循环伏安法对铜(Ⅱ)-1,10-二氮杂菲(Ⅲ)配合物电化学性质的研究

在电化学性质的基础上,根据铜（Ⅱ）-1．10-二氮杂菲在水溶液中的平衡常数,制备了[Cu（phen）3]^2＋配合物的水溶液并将其吸附修饰碳电极表面,应用修饰碳电极和用循环伏安法对其电化学性质进行研究。     

镍(Ⅱ)和铜(Ⅱ)配合物的氧化还原与pH值相关性的研究

用循环伏安法研究了两个新的三元配合物[Ni(phendio)(TPA)](CIO_4)_2(1)和[Cu(phendio)(TPA)] (CIO_4)_2(2)(phendio=1,10-菲咯啉-5,6-二酮,TPA=三(2-吡啶甲基)胺)在pH 2～9的磷酸盐缓冲溶液中的电化学性质．实验结果表明,在-0．3～0．4 V(vs．SCE)电位扫描范围内这两个配合物都表现出与pH值相关的氧化还原活性,pH＜4时,是2e~-/3H~ 过程,pH＞4时为2e~-/2H~ 过程．     

4,4’-联苯二乙酰丙酮桥联双核铜(Ⅱ)配合物的合成、EPR谱与热分析

在碱性条件下,以4,4’-联苯二乙酰丙酮和二苯甲酰甲烷为原料合成了新型固态三元配合物[Cu2(C22H20O4)(C15H11O2)2],并用元素分析、电导率、红外光谱、电子光谱和电喷雾质谱对其进行了表征,确定了配合物的组成,研究了配合物在氮气气氛中的热分解行为.对配合物测量了室温固体电子顺磁共振谱,定性探讨了配合物的...     

用取向分布函数研究铜及铜锌合金的变形非均匀性

本文用三维取向分布函数研究了不同轧制变形程度、不同变形温度条件下铜及铜锌合金的显微结构非均匀性:显微带,机械孪生(孪生)和剪切带;并分析了其形成过程及对织构的影响。它们是金属不均匀变形的结果。显微带、铜型剪切带对织构的变化影响不大;孪生对织构的转变起关键作用;黄铜型剪切帝对织构的变化起重要作用。解释了不同条件下的金属变形机理。论述了孪生后的两种不同变形方式。