一种具有离子传导功能的发光共聚物的合成

为了解决电化学发光电池 L ECs离子传导聚合物与发光聚合物两相分离的问题 ,采用 Wittig反应 ,合成了一种分子主链上带有刚性共轭发光链段——二 (二甲氧基取代苯乙烯 )萘与柔性离子传导链段——三聚氧化乙烯的新型发光共聚物 (EO- NV) ,用多种手段表征了分子的结构 ,并研究了 EO- NV的光致发光性能。实验表明 ,EO- NV可以溶于氯仿、四氢呋喃、苯、吡啶等许多普通有机溶剂 ,具有良好成膜加工性能。其氯仿溶液和固体膜的最大光致发光波长分别处于 4 70 nm,5 0 5 nm。由于将共轭长度的控制、材料的加工性和离子传导功能结合于一体 ,因此 EO- NV是一种适于装配电化学发光电池 (L ECs)的功能性蓝绿色发光共聚物。     

偏氯乙烯共聚物的组成预测与讨论

用Mayo-Lewis方程式预测了悬浮共聚反应过程中偏氯乙烯／甲基丙烯酸甲酯（VDC／MMA）和偏氯乙烯／氯乙炮（VDC／VC）共聚物组成与转化率的关系。结果表明，在高转化率下，VDC／MMA共聚过程中产生了VDC均聚物，而VDC／VC共聚过程中产生了VC均聚物，在这两个共聚体系中加入适当的少量第三单体，可使产生均聚物的这一不利情况得到改善。     

GPC—PyGC法研究共聚物的组成分布

用ＧＰＣ－ＰｙＧＣ法研究不同投料比的苯乙烯和丙烯腈进行本体，溶液以及乳液共聚所得共聚物的组成分布，探讨了单体投料比和聚合方法对共聚物组成分布的影响。     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

LiBaPO_4∶Eu~(2 )的合成及发光特性

采用燃烧法结合高温还原技术合成了LiBaPO4∶Eu2 的蓝色发光材料.用X射线衍射仪表征了材料的结构,表明形成了LiBaPO4物相;用荧光光谱仪测定了材料的发光性质.LiBaPO4∶Eu2 的激发光谱峰值位于328 nm,发射光谱的峰值位于468 nm.研究了Eu2 掺入量以及助熔剂硼酸用量对LiBaPO4∶Eu2 材料发光强度的影响规律.结果表明:在LiBaPO4∶Eu2 体系中加入适量的助熔剂有助于提高其发光性能.     

聚丙烯酸与P(DMAEMA-co-NIPAM)共聚物的相互作用

以甲基丙烯酸-N,N-二甲氨基乙酯和N-异丙基丙烯酰胺为功能单体,采用自由基聚合法合成一系列不同组成的聚(甲基丙烯酸-N,N-二甲氨基乙酯-co-N-异丙基丙烯酰胺)P(DMAEMA-co-NIPAM)共聚物.利用紫外透光率和荧光技术研究了聚合物水溶液的相行为以及聚丙烯酸(PAA)对P(DMAEMA-co-NIPAM)共聚物pH敏感性的影响.结果表明,所合成的P(DMAEMA-co-NIPAM)共聚物其温敏性和pH敏感性相互依赖.在pH值等于4附近时,PAA 的加入对P(DMAEMA-co-NIPAM)的pH敏感性产生较大影响.     

二元共聚物P(MA-AA)的合成工艺研究

介绍了马来酸酐(MA)与丙烯酸(AA)共聚的基本原理.探讨了共聚物P(MA-AA)的聚合反应中引发剂用量、聚合温度、单体配比、聚合时间等因素对螯合性能及分散性能的影响,通过改变引发剂滴加方式和氮气保护等工艺提升聚合物的皂洗能力.     

不同基质结构对长余辉发光材料发光光谱的影响

在研究不同配比的发光粉基质材料铝酸锶的基础上，对Sr0.95Eu0.025Dy0.025O.Al2O3和4（Sr0.95Eu0.025Dy0.025O).7Al2O3进行发射光谱的测度和SEM分析，得出Eu^2 处在不同晶格结合中发射光谱不同的结论。     

甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物组成的分析

研究了用紫外分光光度法、热裂解色谱法和红外分光光度法测定P(S-co-MMA)共聚物的组成,並对这三种方法进行了比较. 实验结果表明,紫外分光光度法比其它两种方法简便、快速,而热裂解色谱法较优于红外分光光度法.紫外分光光度法和热裂解色谱法测组成的标准偏差都小于1%.     

La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3的光致发光光谱的研究

采用高温固态反应法制备了具有钙钛矿结构的锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3,利用X射线衍射、光致发光谱等实验技术研究其结构和性质。应用光致发光方法研究发现了两套谱线变化的规律,这两套谱线变化源于两种微观作用的相互竞争。这两种作用是:(i)eg电子与t2g自旋相互作用;(ii)eg电子与晶格振动耦合相互作用。     

二嵌段共聚物-(PPP)m-(PT)n-电子结构性质研究

建立了描述二嵌段共聚物-(PPP)m-(PT)n-的紧束缚模型,研究了基态下均聚物单体对体系电子结构性质的影响,研究发现可以通过改变均聚物的尺度、配比或界面耦合强度对共聚物能带结构加以调制．     

不同电解液中制备的多孔阳极氧化铝薄膜光致发光特性比较研究

采用电化学方法分别在硫酸、草酸、磷酸电解液中制备了多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜.对其光致发光特性进行研究发现,硫酸和草酸电解液中制备的AAO薄膜在350~600 nm范围内出现了较强的光致发光带,前者的发光峰位为420 nm,后者除了420 nm的发光峰外,还在470 nm处有一个明显的峰肩,且后者的发光强度随氧化电压的增加而逐渐增强.磷酸电解液中制备的AAO薄膜在350~600 nm范围内没有出现明显的光致发光带.对其发光机理分析认为,硫酸电解液中制备的AAO薄膜的峰位为405 nm的发光源于F (氧空位俘获1个电子)中心,峰位为455 nm的发光可能是由F(氧空位俘获2个电子)中心引起的,也可能是由其它因素引起的.草酸电解液中制备的AAO薄膜的峰位为420 nm的发光与F 中心有一定的相关性,峰位为470 nm的发光主要源于与草酸根离子有关的发光基团.     

含聚氧乙烯支链的聚乙烯基吡啶的合成及其性能

用聚氧乙烯(PEO)大分子单体与2-乙烯基吡啶(VP)在苯中以偶氮二异丁腈为引发剂共聚,合成了带规整聚氧乙烯(PEO)支链的聚2-乙烯基吡啶(PVP).接枝共聚粗产物经纯化及用IR,1H NMR和膜渗透压计等表征.研究了共聚条件.结果表明,接枝效率可达到56%,相对分子质量可达6×104.该接枝共聚物呈现一定的乳化性及良好的相转移催化性.它与LiClO4或TCNQ络合后呈现离子导电或电子导电性.其混合导电率明显高于离子导电率及电子导电率,即呈现协同效应.     

P(BA-co-AA)-g-(PMMA-GMA)三元接枝共聚物及其锌离聚体共混研究

利用P（BA－co－AA）－g－（PMMA－GMA）三元接技共聚物及其锌离子聚合体,在布拉本达密炼机内与聚环氧乙烷（PEO）、聚乙烯（PE）、聚丙稀（PP）、聚氯乙烯（PVC）进行机械共混,得到一系列共混物。讨论表征了所得共混物的力学性能,解释了共混物中出现的协同效应、抵消效应。     

线型三嵌段共聚物PSI-PIB-PSI的合成与性能

采用阴离子聚合方法,自制的双锂引发剂,环己烷为溶剂,两步法合成出线型三嵌段共聚物：苯乙烯异戊二烯无规共聚物-丁二烯异戊二烯共聚物-苯乙烯异戊二烯无规共聚物（PSI-PIB-PSI）。采用¹H-NMR研究了微观结构及共聚组成,透射电镜（TEM）观察了聚合物的形态,动态粘弹性仪(DMTA)对热机械性能进行了测试。结果表明：当四氢呋喃与活性中心锂的物质的量比（R值）为60时,可实现异戊二烯-苯乙烯(I-S)的无规共聚;TEM图表明聚合物PSI-PIB-PSI为两相结构,且随着苯乙烯（St）的含量的增加,相分离现象明显;当PIB/PSI的嵌段质量比为1/2,苯乙烯的质量分数为27%～28%时,该线型三嵌段共聚物具有最佳的综合力学性能。     

不同激发波长下多孔硅的光致发光研究

采用阳极氧化法腐蚀n型Si(111)片,制备了多孔硅样品.利用荧光分光光度计对样品光致发光和光致发光激发特性进行了研究,发现多孔硅样品的光致发光谱上有2个发光峰,其中心分别位于640 nm和565 nm.基于前人的报道和本实验结果的分析,认为多孔硅的光致发光来源于纳米硅颗粒中光生载流子弛豫到其表面态上然后发生辐射复合.进一步通过实验证明,640 nm处的发光峰与纳米硅颗粒表面的Si-O复合物有关,而565 nm处的发光峰与其它发光中心有关.     

一种新型双8-羟基喹啉-锌高分子配合物的合成及光致发光性能

采用Wittig-Horner反应合成了一种新型双8-羟基喹啉配体,并将此配体与金属锌进行配位反应,制备与其对应的高分子配合物。采用红外、核磁和紫外可见光谱等表征了配体及其配合物的结构和光物理性能,利用荧光光谱研究了高分子配合物的光致发光性能,确定了其最大发射峰位于(550 nm)。该配合物是一种理想的橙红色发光聚合物材料。     

St/MMA嵌段共聚反应及制备纳米微孔薄膜

采用阴离子聚合技术合成了苯乙烯(St)和甲基丙烯酸甲酯(MMA)的两嵌段共聚物P(St-b-MMA),探讨了环己烷／四氢呋喃混合溶剂对聚合的影响,采用FTIR、^13C NMR等表征产物结构及成分,并以P(St-b-MMA)(聚甲基丙烯酸甲酯链段质量分数为0．31)制备了具有纳米孔洞的高分子薄膜。     

Luminescent and photovoltaic properties of poly（9,9-dioctylfluorene- co-bithiophene） in organic electronic devices

We studied the luminescent and photovoltaic properties of poly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene)(F8T2) based on ITO/PEDOT:PSS/F8T2/Bphen/LiF(0 or 1 nm)/Al and ITO/PEDOT:PSS/F8T2:PCBM/Bphen/Al.A stable and bright yellow emission was obtained from polymer F8T2,and the electroluminescence power reached 45 ?W at a 15 V driving voltage.Polymer F8T2 shows a broad absorption band from 400 to 500 nm,and has a shorter absorption edge at about 560 nm compared to that of the typical electron donor P3HT(650 nm).The photoluminescence quenching of F8T2 occurs with only a small fraction of blended PCBM due to the effective exciton dissociation at the interface between F8T2 and PCBM.Polymer solar cells(PSCs) using F8T2:PCBM as the active layer show a low power conversion efficiency(PCE) of 0.10% with an open circuit voltage(Voc) of 0.91 V and short circuit current density(Jsc) of 0.23 mA/cm2.The PSCs using F8T2:P3HT:PCBM as the active layer have a Voc of 0.85 V and Jsc of 3.02 mA/cm2,improving the PCE by about 0.90%.We attribute the improved cell performance to the higher number of photons harvested by P3HT molecules.