酸性介质中有机含氮化合物抑制铁腐蚀的结构效应

用电化学极化电阻法研究了某些有机含氮化合物抑制铁腐蚀的结构效应。根据缓蚀剂分子中取代基的类型、数目和空间取向，以及位体Ｎ上电子与铁空ｄ轨道形成位键的强弱，解释了有机含氮化合物的结构对其缓蚀效率的影响。     

取代查尔酮衍生物非线性光学性质的FF/PM3理论计算

利用有限场FF/PM 3方法讨论了查尔酮类化合物的非线性光学性质 ,针对不同取代基和取代位置系统分析了分子结构、取代基的类型、取代位置对共轭有机分子电子性质及非线性光学性质的影响 .结果表明 ,取代基的引入可明显改善体系的非线性光学性质     

一些单取代吡啶的从头计算分子轨道方法的研究

当某个有机化合物分子中的氢原子被其它官能团取代以后,化合物的电子结构会产生变化,从而影响其物理、化学性质.这种取代基效应与取代基的种类及位置有关,往往是通过诱导、共轭和场效应实现的.研究取代基效应可以帮助我们深入了解化合物的结构与反应性能的关系,找出一些有用的规律.在本文中,我们用从头计算分子轨道方法对某些取代吡啶(取代基为胺基、甲基及氟原子)进行了研究.从计算得到的最高占有轨道能量     

新型咪唑啉化合物的合成及缓蚀性能测试

合成了一种新型取代基咪唑啉化合物IM ,经复配后得到新型咪唑啉缓蚀剂IMC。用电化学和失重法测试了缓蚀剂IMC在强酸性介质中的缓蚀性能。在多种腐蚀介质中的缓蚀效果测试结果表明 ,该缓蚀剂可适用于酸性腐蚀介质 ,并具有很好的防腐效果 ,其缓蚀率在 92 %～ 98%     

四芳基卟啉化合物荧光性能的研究

研究了12种四芳基卟啉化合物的荧光性能.结果表明:该系列卟啉化合物具有较好的荧光性能;在1.0×10-5mol/L浓度下其荧光强度最大;供电子取代基能增加卟啉的荧光强度,而吸电子取代基作用相反;荧光强度随着取代基卤素原子量的增加而降低;此外,荧光强度还与取代基的位置及性质有关.     

新型芴取代喹喔啉电子传输材料的合成及其发光性能表征

由2,3-二芴基取代的双酮结构,合成出两种2,3-二芴基取代的含氟取代基的喹喔啉类小分子S1和S2.新的化合物因为含有氟取代基和喹喔啉结构使得整个分子呈缺电子状态,同时烷基取代的芴使得材料具有良好的溶解性.新的化合物的热分解温度都在400°C以上.测量了由新的化合物作为电子传输材料器件的电流密度-电压-亮度曲线,在相同电压下,四氟取代化合物的电流密度、亮度和效率要明显高于二氟取代的化合物,四氟取代化合物的器件在电压为15 V时的亮度可达到5703 cd/m2.     

新型咪唑啉化合物的合成及缓蚀性能测试

合成了一种新型取代基咪唑啉化合物IM，经复配后得到新型咪唑啉缓蚀剂IMC。用电化学和失重法测试了缓蚀剂IMC在强酸性介质中的缓蚀性能。在多种腐蚀介质中的缓蚀效果测试结果表明，该缓蚀剂可适用于酸性腐蚀介质，并具有很好的防腐效果，其缓蚀率在92％－98％。     

二茂铁卟啉化合物的合成及其取代基效应

设计合成含有不同取代基的二茂铁卟啉化合物， 用核磁共振氢谱、 紫外-可见光谱和红外光谱表征其结构， 并讨论取代基效应对二茂铁卟啉的荧光、 电化学、 Raman光谱的影响和变化规律. 实验结果表明：  给电子取代基使卟啉荧光光谱红移， 量子产率增大， 对Raman光谱的苯环振动影响较大； 连接给电子取代基的卟啉更易失去电子而被氧化， 连接吸电子取代基的结果相反. 因此通过改变卟啉周边的取代基可调控二茂铁卟啉的光谱和电化学性能.     

α位、β位取代酞菁锌化合物结构与性质研究

酞菁是卟啉的衍生物,是人工合成化合物,酞菁(Pc)大环外围苯环上的所有位置都可发生取代反应.实验在酞菁环外围位置引入R基团后,发现R基的引入对酞菁锌的几何结构、电子结构和红外光谱性质都会产生影响.     

苯环上取代基及烷化剂醇对还原—烷基化合成N—烷基芳胺的影响

研究了骨架镍催化下,芳香硝基化合物和醇进行还原烷基化合成Ｎ－单烷基芳胺衍生物时,苯环上取代基位置和性质以及作为烷化剂的醇的结构变化对Ｎ－烷化反应的作用;证明苯环上给电子基促进反应进行,吸电子基则减缓还原烷基化。该工艺适用于除Ｎ－甲基化处的其他Ｎ－直链烷基化。     

取代芳烃化合物电子结构与其对发光菌毒性关系的研究

应用量子化学半经验的MNDO方法计算了40个取代芳烃化合物的电子结构，探讨了化合物电子结构与其对发光菌毒性的关系．结果表明：(1)当化合物的分子极化度P、分子体积V、疏水参数logP较大时具有较大的水溶性和脂溶性，因而化合物的毒性较大；(2)当最高占据轨道(HOMO)能级和最低空轨道(LUMO)能级较低时，化合物容易接受电子具有较大的氧化性，取代芳烃的毒性也随之增大；(3)取代基的吸电子能力越强，吸电子基个数越多，苯环的正电性越大，化合物的毒性越大．得到的QSAR方程为：-logEC50=-2．230 O．202P-0．366EHOMO，据此可预测取代芳烃化合物对发光细菌的毒性．     

甲基对1,3,6,8-苯基芘光电性质的影响

采用密度泛函理论(DFT)等量子化学方法对3种甲基取代1,3,6,8-苯基芘化合物进行计算研究.研究包括基态和激发态几何结构、前线分子轨道、电离能、电子亲和势、空穴/电子重组能及吸收光谱和发射光谱等信息.结果表明:化合物的光电性质与苯环上甲基的取代位置密不可分.在苯环对位引入甲基,所设计的化合物1,3,6,8-对甲苯基芘(TPPy)与在苯环间位引入甲基的1,3,6,8-间二甲苯基芘(TDMPPy)具有相似的结构和光电性质,值得进一步实验探索研究.     

硫杂蒽酮类光引发剂的合成

合成了12种烷基、烷氧基和硝基取代的硫杂蒽酮类化合物。其中,三种烷氧基取代的硫杂蒽酮是用相转移催化法制得的。几种新的化合物,经红外光谱、质谱和元素分析等方法鉴定,确证了其结构。测定了化合物的紫外吸收光谱。结果表明,硫杂蒽酮类化合物的2-位上是斥电子基时,其最大吸收波长要向红移动;若2-位上是吸电子基时则向紫移动。     

二苯甲基哌嗪类化合物结构与活性的量子化学研究

为揭示标题化合物结构与活性的关系，采用量子化学AM1方法对二苯甲基哌嗪类化合物进行了量子化学计算，根据计算结果分析了12种化合物的生成热、总能量、电子能量、偶极矩、前沿轨道能级和电子结构等与其活性的关系，结果发现这类物质的结构与活性之间存在着一定的相关关系，其活性部位主要集中在苯环和杂环上，而活性的大小与取代基的种类及位置有关，吸电子能力强的基团(如-F，-NO2)的引入有利于最低空轨道能级的降低，使化合物的活性提高．     

酸性介质中有机含氮化合物抑制铁腐蚀的结构效应

用电化学极化电阻法研究了某些有机合氮化合物抑制铁腐蚀的结构效应．根据缓蚀剂分子中取代基的类型、数目和空间取向，以及配位体Ｎ上电子与铁空ｄ轨道形成配位键的强弱，解释了有机合氮化合物的结构对其缓蚀效率的影响．     

取代基对分子线电子性质的影响

采用Gaussian98量子化学软件中的AM1方法,分别计算不同取代基下分子线的电子结构。通过对最低未占有轨道（LUMO）形状的分析,研究了不同取代基对分子线电子性质的影响。结果显示吸电子基可以引起LUMO的定域化,从而对分子线的电子输运产生了影响。     

N—2—苯乙烯基邻苯二酰胺及其衍生物的质谱

本文通过电子轰击(EI)质谱和亚稳跃迁测定,对N-2-苯乙烯基和取代N-2-苯乙烯基的一系列化合物的裂解过程进行了研究。全部11个化合物的质谱都给出了较强的分子离子峰,其中大部分为基峰,这类化合物易形成环状结构,不同于甲基或苯基取代的邻苯二酰胺的质谱,[M-CO_2]~ 离子峰没有或者很低。     

吡啶钅翁取代基效应的从头算研究

为寻找取代基效应与吡啶电子结构的关系,以吡啶Weng——水复合体为模型,应用从头算6-31G*基函数计算了43个包括邻、间、对位三组吡啶Weng化合物的电子结构。结果得到：⑴取代基与吡啶环连接的原子的净电荷Qx1可描述取代基的共轭效应;⑵与邻、间位的取代基相邻的H原子净电荷,与对位取代吡啶N顾子相邻的H原子净电荷可描述诱导/场效应。⑶上述量化指数可用于描述取代吡啶Weng的酸性。     

聚螺戊二烯及其衍生物的理论研究

用ＳＣＦ－ＣＮＤＯ／２－ＣＯ方法对聚螺戊二烯及其取代衍生物的电子结构进行了研究，目的在于探讨螺环共轭高分子体系电子结构的特点，以及不同电子性质的取代基对聚螺戊二烯衍生物的高聚物电子特性的影响，计算结果表明取代基对带隔影响不大，而且也不能使主链结构变化，但体系的电离势和电子亲和势的变化与取代基的电子特性有关。     

苯酚的一些衍生物电子结构的量子化学研究

采用MNDO法计算了苯酚和它的一些衍生物的最稳定的几何构型(用能量梯度法优化得到)的电荷分布,探讨了羟基、甲酰基等取代基对电荷分布的影响.计算结果表明,在这类化合物中绝对值最大的负的净电荷总是出现在羟基的邻位,适当配置羟基、甲酰基等取代基的位置可使苯环上的某些点(如羟基的邻位)上的净电荷变得更负.1个基团是“拉电子基团”或是“推电子基团”不能准确说明取代基对电荷分布的影响,必须从取代基在分子体系中的诱导、共轭效应等方面进行具体分析,并藉助量子化学计算,才能获得准确的定量结果.