CZTS薄膜制备的研究进展

Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与太阳光谱非常匹配的禁带宽度以及高的吸收系数,这使得CZTS薄膜成为一种最具潜力的新型太阳能电池薄膜吸收层材料。因此研究和完善CZTS薄膜的制备技术并提高薄膜质量及性能成为重要的研究课题。本文主要介绍四种CZTS薄膜的制备方法:磁控溅射、共蒸发、混合溅射、电子束蒸发硫化法。     

染料敏化薄膜太阳能电池的研究进展

随着社会的不断发展,对于能源的重视程度不断增加。近年来,染料敏化太阳能电池的研究不断深入,它基于低廉的价格、较高的转换效率受到了广泛的关注。本文首先对染料敏化薄膜太阳能电池的基本原理进行介绍,并对结构进行初步分析,对国内染料敏化太阳能电池的研究进展,并对未来的使用前景进行预测。     

CIGS薄膜太阳能电池无Cd缓冲层研究进展

介绍了CIGS薄膜太阳能电池无Cd缓冲层Zn（O,S）、（Zn,Mg）O和（Zn,Sn）Oy的研究现状及制备方法,分析了采用无镉缓冲层电池的性能参数。最后对无Cd缓冲层电池发展趋势进行了展望。     

CuInS2薄膜太阳能电池发展现状

CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2(CIS)太阳能电池的研究和发展现状,以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产业化技术。展望了CIS薄膜太阳能电池在我国的发展前景。     

SnS2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究

文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池.用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能.结果表明,所制备的SnS2、SnS颗粒分别呈球形和片状结构且结晶性良好,SnS2薄膜的直接带隙为2.6 eV、间接带隙为2.2 eV,SnS薄膜的直接带隙为1.2 eV,间接带隙为1.0 eV,得到的SnS2/SnS薄膜太阳能电池的短路电流密度为1.1 μA/cm2,开路电压为25 mV.     

非晶硅薄膜太阳能电池生产的环境影响分析

本文通过对PECVD工艺生产非晶硅薄膜太阳能电池的介绍,分析了非晶硅薄膜太阳能电池生产过程中的产污节点及其对环境的影响,提出了减缓环境影响的措施。非晶硅薄膜太阳能电池生产过程产生的污染主要为PECVD工艺尾气,通过采用国际先进的治理措施,可有效地降低对周围环境的影响。     

薄膜太阳能电池技术及市场发展现状

详细叙述了硅基薄膜太阳能电池结构、工艺制造技术,a-Si沉积设备,并针对薄膜电池技术的发展现状,分析了薄膜电池引起波动和变化的原因,展望了BIPV薄膜电池在未来城市建筑中的应用前景。     

CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展

本论述简要介绍了CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的发展,重点阐述了CdS和ZnS缓冲层的研究现状,指出缓冲层的制备工艺上以化学水浴法居多,从成膜机理到工艺参数的优化都做了充分的研究,对真空蒸发法的制备工艺研究则相对较少,而且大部分都集中在蒸发温度、衬底温度和沉积温度对薄膜性能的影响上。最后指出了发展过程中遇到的两个问题：一Cd对环境的污染,二化学水浴法不利于工业化大生产。     

预制层结构对CZTS薄膜微观组织和光学性能的影响

研究了叠层顺序对磁控溅射沉积铜锌锡硫（CZTS）吸收层的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.试验结果表明：当预制层结构为Cu/ZnS/SnS₂时,制备的CZTS薄膜在（112）晶面具有择优生长取向,并具有较好的结晶一致性,在288,335和368 cm^-1处呈现出特征拉曼（Raman）峰,薄膜表面晶粒较大、形状规则、薄膜空隙较少、比较致密,可见光范围内的吸收系数较高,光学带隙1.5 eV,适合作为CZTS薄膜太阳能电池的吸收层;当预制层结构为SnS₂/Cu/ZnS和ZnS/SnS₂/Cu时,由于在预制层硫化过程中造成一定的Zn和Sn流失,使CZTS薄膜中含有CuS杂相,导致薄膜表面质量下降,禁带宽度增加,不适合做CZTS薄膜太阳能电池的吸收层.     

中频溅射法制备薄膜电池正极LiCoO2薄膜结构的研究

采用大型中频磁控溅射系统制备了全固态薄膜电池用LiCoO_2阴极薄膜材料,研究了退火前后其结构及形貌的变化。结果表明,沉积的LiCoO_2薄膜具有晶态结构;沉积状态薄膜的晶体取向决定着退火后薄膜的晶体择优取向,退火只是使晶粒更加完整,并使择优取向发展得更好;沉积过程的O_2/Ar(氧分压)对薄膜的晶体取向影响很大,适当控制沉积条件,采用工业规模的中频磁控溅射设备可以制备出取向良好的LiCoO_2薄膜阴极材料。     

安徽省自主创新的薄膜太阳能电池通过国际认证

近日，蚌埠普乐新能源有限公司自主研发的薄膜太阳能电池产品获得德国TUV认证，一期增资扩股融资1.3亿元，并与上海太阳能电池研究与发展中心正式签约共建安徽太阳能电池工程中心。     

薄膜二次锂离子电池正极研究进展

薄膜二次锂离子电池是锂离子电池发展的最新领域，正极材料的薄膜化是薄膜二次锂离子电池的重要部分，本文回顾了近年来发展的一些薄膜正极的制备方法，包括溶胶-凝胶法、化学沉积法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法，对各种方法的优缺点进行了比较，并对正极薄膜制备的发展方向进行了展望；     

低成本薄膜太阳能电池基地落户广州

太阳能发电的发展瓶颈在于其高昂成本，其中又以太阳能薄膜耗资最大。但在7月初由广州市人民政府主办的“聚焦广州、投资未来，2009跨国公司论坛”上，中港合资建设4条25MWCfGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池生产线及CIGS薄膜太阳能电池生产技术研发中心的协议隆重签署，国际领先的低能耗、低成本的薄膜太阳能电池制造技术正式落户广州，标志着我省的太阳能发电事业将迎来新的契机。     

全固态薄膜锂离子二次电池的研究进展

本文综述了全固态薄膜锂离子二次电池的研究进展,主要阐述了薄膜锂电池的结构设计以及正极、负极和固体电解质材料研究现状,并对其今后的发展趋势及研发热点进行了展望。     

脉冲激光沉积法制备LiCoO2 薄膜阴极

脉冲激光沉积方法(PLD)制备LiCoO2薄膜的关键因素之一是激光的功率. 在功率不小于160 Mj时,薄膜的结晶程度相对较高,出现(003)晶面的择优取向;且薄膜表面光滑,没有附着尺寸大小不一的纳米颗粒;恒流充放电测试20周内放电容量没有衰减,循环性能好.     

铜铟镓硒薄膜太阳能电池产业发展综述

薄膜太阳能电池是在玻璃、不锈钢或聚合物衬底上附厚度仅为数微米的感光材料制作而成,与单晶硅、多晶硅太阳能电池相比,具有成本低、弱光性好、轻柔便携等特点,在光伏建筑一体化(BIPV)、大规模低成本发电站建设等方面应用前景广阔。目前已经实现产业化生产的薄膜太阳能电池主要有三种:非晶硅(a-Si)、铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)。其中,a-Si薄膜太阳能电池的技术比较成熟,技术门槛相对较低,因而生产非晶硅薄膜电池的厂商也较多,但其光电转换效率难以提高;CdTe薄膜太阳能电池受制于原料稀缺且镉具有毒性,须搭配庞大的回收体系,难以大规模运用;CIGS薄膜太阳能电池的转换效率接近晶体硅电池,随着生产成本的不断降低,竞争优势逐步体现,成为当前最有前途的薄膜太阳能电池,可能成为未来光伏电池的主流产品之一。     

脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究

首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜，X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃，沉积时间为0．5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构，SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征，结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成，锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外，由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明，上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0．70～3．5V，该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh／g，并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。     

应用化学溶液沉积法制备薄膜

本文介绍应用化学溶液沉积法制备超导薄膜的方法．原则上应用这种方法可以广泛制备诸如氧化物铁电薄膜、氧化物介质薄膜、半导体薄膜、金属化合物薄膜等各类薄膜，广泛应用于科研和生产中．其方法成本低廉、工艺简单、制备周期短、且可在较低温度下成相，是一种制备薄膜的好方法．这里从理论与实践的结合上给以论述．     

低温晶化硅薄膜材料及非晶硅/低温晶化硅叠层电池

被列入国家高新技术产业化示范工程项目计划的基于超高清晰医学图像的远程医疗系统,于2002年9月通过了国家计委的验收。 该项目由天津第一中心医院、北京协合医院、辽宁省金秋医院与日本三菱电机株式会社共同实施,旨在实现我国主要城市间超高清晰度医学图像的远距离传输。该项目通过利用日本国际信息化协作中心及三菱电机株式会社提供的当今最先进的超高清晰度显示设备和部分网络设备,在我国国内现有的通信基础环境、通信质量和网络技术水平的基础上,借助三省市在病理诊断和放射线影像诊断领域的人才优势,建立了一整套适合中国通信和网络环境、基于超高清晰度显示     

非晶硅薄膜电池AZO背反射电极的制备

采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0.8%的非晶硅薄膜电池。根据实验结果,证明背反电极增反机理不是薄膜干涉增强原理,而是因为界面共振吸收减少,而导致光的吸收增强的机理。