有机高分子磁体的分子设计

对有机高分子磁体的分子设计研究进行了综述,讨论了设计有机高分子磁体主要的4种理论模型,即Heiter London自旋交换模型、分子间电子转移模型、高自旋多重度模型和超级交换模型,并对这一领域的发展和应用进行了展望.     

丙烯酸改性二茂铁型高分子磁体的电磁性能研究

用丙烯酸对二茂铁型高分子磁体 (以下简称高分子磁体 )进行改性 ,研究了高频微波下改性高分子磁体的频率—磁导率—磁损耗 (f μ′ μ″)及频率—介电常数—介电损耗 (f ε′ ε″)的关系 .研究结果表明 :丙烯酸改性的高分子磁体具有较高的介电常数 (ε′)、较低的介电损耗 (ε″)和磁损耗 (μ″) ,这对电子器件的小型化有重要价值 .     

侧链含三联吡啶聚甲基丙烯酸甲酯及其螯合物的制备与磁性能研究

以4'-(4-羟苯基)-2,2'∶6',2″-三联吡啶为原料合成了均聚物聚[4'-(4-甲基丙烯酰氧基苯基)-2,2'∶6',2″-三联吡啶](Pm Phtpy),并制备了其与Co~(2+)、Ni~(2+)及Nd~(3+)的高分子螯合物Pm Phtpy-Co~(2+)、Pm PhtpyNi~(2+)和Pm Phtpy-Nd~(3+).聚合物及螯合物结构通过核磁共振、红外光谱和GPC进行了表征确证.螯合物Pm Phtpy-Co~(2+)、Pm Phtpy-Ni~(2+)和Pm Phtpy-Nd~(3+)的磁性能测试结果表明:Pm Phtpy-Co~(2+)和Pm Phtpy-Ni~(2+)是有机软铁磁体,Pm Phtpy-Nd~(3+)是有机软亚铁磁体.     

准一维基于分子亚铁磁体自旋系统磁化率性质研究

基于交替自旋Ising—Hamiltonian模型,用量子转移矩阵方法,研究了不同外场条件下准一维基于有机分子亚铁磁体磁化率的结构序参量．对磁化率一的研究表明：双自由基和单自由基的交替有机自旋链的亚铁磁自旋排列等效于有效自旋S=1／2的铁磁相互作用链,双自由基有机高分子对具有单一成分的有机基于分子亚磁体具有绝对优势．量子Monte Carlo方法和精确对角化方法的计算结果两者相符,且与某些实验结果定性相符．     

有机物包覆处理对粘结NdFeB性能的影响

对快淬NdFeB磁粉表面进行有机硅烷(KH550)包覆处理,研究了包覆处理对快淬NdFeB磁粉抗氧化性的影响,并初步研究了包覆处理对快淬NdFeB粘结磁体的密度,抗压强度及磁性能的影响规律,利用SEM观察了磁粉表面状态及磁体的断口形貌.结果表明:有机硅烷(KH550)包覆处理可明显提高磁粉的抗氧化性,而相应粘结磁体的密度,抗压强度及磁性能也得到了不同程度的提高或改善.     

有机分子磁体的研究进展

在大量文献的基础上对有机分子磁体进行分类，从有机分子铁磁体、有机金属分子铁磁体和无机分子铁磁体三个方面介绍了有机分子磁体的最新研究进展。     

发挥资源优势构建广西有机高分子科学

分析了广西有机高分子科学的现状,对广西有机高分子科学的建设发展提出了看法.结合广西的高分子化工资源,发展广西有机高分子科学具有广阔的前景,尤其是发展天然高分子材料更具有得天独厚的优势.     

窄能隙导电高分子设计、合成新进展

详细介绍国内外在一类新型导电高分子材料 (CPs)—窄能隙导电高分子材料主要研究成果 ,这一领域正成为掺杂导电材料的有力挑战 ,为有机金属的研究提供了理论依据和新的发展方向     

市场经济条件下有机高分子材料的发展趋势

材料不仅是人类生存和社会生产发展的基础,也是其他一切能源和信息科学发展的物质基础。自有机高分子材料面世的时刻起,然门边对其进行不断地研究和探索。开发出许多性能优越,应用范围广泛的有机高分子材料。本文以可发光的有机高分子材料、耐热性能良好的有机高分子材料、运用生物工程技术合成的有机高分子材料以及有吸湿功效的有机高分子材料等为例,说明了在新的市场经济的条件下,随着科技的不断进步,有机高分子材料的发展取得了长足的进步。     

发挥资源优势 构建广西有机高分子科学

分析了广西有机高分子科学的现状,对广西有机高分子科学的建设发展提出了看法.结合广西的高分 子化工资源,发展广西有机高分子科学具有广阔的前景,尤其是发展天然高分子材料更具有得天独厚的优势.     

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究

采用Slonczewski的近自由电子模型, 利用转移矩阵的方法, 研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性. 计算了T=4 K和T=300 K时, 隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance, TMR)随偏压的变化关系, 同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系. 我们的计算结果较好地解释了有关的实验 结论.     

基于分子设计的有机铁磁体研究

有机铁磁体是材料科学中一个全新的研究领域,具有十分广阔的应用前景。由铁磁理论铁磁体可知物质的铁磁性来源于原子中未成对抵消电子的自旋（称之为顺磁中心）及自旋间的交换作用,因此可围绕如何引入顺磁中心及顺磁中心间的交换作用通过分子设计与化学合成而获得有机铁磁体。在本文中介绍了有机铁磁体分子设计的基本思想及目前最主要的几种有机铁磁体分子设计方法。并在文章的最后对作者近期在有机磁方面的研究工作进行了简要的总     

自旋反转效应对铁磁/绝缘层/铁磁结中的隧道磁电阻的影响

考虑到自旋反转效应,用量子力学隧穿方法,计算铁磁/绝缘层/铁磁结中的隧道磁电阻,计算结果表明自旋反转使铁磁/绝缘层/铁磁结中的隧道磁电阻减小.     

多维分子基铁磁体Co(phen)3[LiFe(ox)3]的合成与光谱表征

合成具有较高居里温度的分子基磁体材料和寻求高的相转变温度T c的分子基超导体一样,是当前分子材料领域中主要的研究方向.本文合成一种新的多维分子基铁磁体Co(phen)3[L iF e(ox)3],并用红外光谱表征其具有网络结构的配位聚合物。     

铁磁体中磁振子的压缩态

研究了铁磁体中磁振子的压缩态．采用霍尔斯坦和普里马科夫提出的二次量子化方法把磁振子系统的．哈密顿量简化,并应用平均场理论处理了哈密顿量中的非线性相互作用项;通过计算自旋涨落的平均值得到了产生压缩态的周期性条件;测得压缩态的周期,可得到铁磁材料的一些重要的物理量的信息,如交互积分等．实验表明,利用铁磁共振扩散实验可以检测磁振子的压缩态。压缩程度越大,共振吸收系数（RAC）越小．实验还表明,磁振子压缩态的量子涨落小于相干态时的量子涨落,这也提高了对可观测量的测量精度．     

自旋注入效率的电学探测

为了探测从铁磁FM（ferromagnet）到半导体SM（semiconductor）的自旋注入效率,可以通过增加另一个铁磁体来形成一个铁磁／半导体／铁磁（FM／SM／FM）的双结,通过直接测量此双结的磁阻效应,从而得到从铁磁（FM）到半导体（SM）节的自旋注入效率。理论分析发现其隧道磁阻TMR（tunnelling magnetore resistance）和自旋注入效率SIE（spin injection efficiency）之间有个普适关系：隧道磁阻是自旋注入效率的平方。这种平方关系在顺序隧穿区和散射区都成立,除非双结间半导体层厚度很长导致自旋翻转效应的发生或中间的半导体层厚度小于其相位相干长度而导致磁阻中出现量子相干效应。     

磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性

基于自由电子模型，研究了铁磁金属／绝缘体（半导体）／铁磁金属（ＦＭ／Ｉ（Ｓ）／ＦＭ）隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从结论可以定性地解释有关的实验现象。     

铁磁/绝缘体/铁磁隧道结中的自旋流

考虑粗糙界面散射和自旋翻转,运用Slonczewsik模型,我们研究了铁磁/绝缘体/铁磁中的磁性隧穿,得到自旋电流密度表达式.在界面势垒比较低时,自旋电流受随粗糙界面散射和自旋翻转的强度改变明显.     

二芳基芴类有机/聚合物半导体材料研究进展

在众多构建有机半导体材料分子结构中,二芳基芴类半导体凭借其特殊的电子、空间、位阻以及构象结构展现出良好的商业化前景.国内外研究学者致力于二芳基芴类电致发光小分子与聚合物半导体材料的研究,大量二芳基芴类电致发光小分子与聚合物半导体材料,包括电致发光材料、载流子传输材料、磷光器件的主体材料和电存储材料等已经得到了报道.文中以作者课题组的工作为主线系统总结了二芳基芴类有机/聚合物光电材料的分子结构、性质、及其应用等方面的进展,并展望了二芳基芴类有机/聚合物半导体材料未来发展的趋势与脉络.