新型氯喹酸类除草剂的合成工艺研究

针对目前高效除草剂氯喹酸(3,7-二氯喹啉-8-羧酸)在环境中存在的问题,对其酯类化合物新型高效除草剂-3,7-二氯喹啉-8-羧酸烯丙酯进行了酯化合成工艺研究。以3,7-二氯喹啉-8-羧酸和烯丙醇为原料,采用SO2-4/TiO2固体超强酸作催化剂进行了催化合成反应,制备出了3,7-二氯喹啉-8-羧酸烯丙酯,建立了最优化工艺条件,并首次采用红外光谱和1H核磁共振谱对该新化合物进行了结构表征。     

基于绿色制造理念的新型机械制造工艺

<正>绿色制造工艺是绿色制造的核心问题,其最终目的是合理利用资源和能源以减少对环境的污染。根据这个目标,我们可以把绿色制造工艺分为三种类型:节约资源型工艺技术、降低能耗型工艺技术、环境保护型工艺技术。以下笔者对此进行具体分析。一、节约资源型工艺技术1.少无切削加工技术。新技术、新工艺的发展使精铸、冷挤压等成形技术和工程塑料在机械制造中的应用日趋成熟,从近似成形     

基于MOCCII的新型单输入三输出电流模式滤波器

提出了一种基于MOCCⅡ(多端输出第二代电流传输器)的单输入三输出二阶滤波器模型电路，通过选择不同特性的元件在输出端，可实现二阶高通滤波、二阶低通滤波、二阶带通滤波、带阻和全通功能，每种电路都由两个MOCCⅡ、两个接地电容和电阻实现，与同类滤波电路相比较，该电路不但结构简单，而且使用灵活，有利于集成。     

新型单取代谷氨酸过渡金属卟啉配合物电子光谱的研究

本文研究了咪唑、吡啶、二甲氨基吡啶、三乙胺和噻吩嗪等轴向配体对单取代谷氨卟啉[5—对—（N—谷氨酸丁氧基）苯基—10，15，20—三（对氯苯基）卟啉]钴（Ⅱ）、铁（Ⅲ）、锰（Ⅲ）配合物电子光谱的影响．     

13mm剪板机压料板裂纹的焊接修复工艺

剪板机压料架在长期受震动和疲劳损伤导致中部开裂严重,使设备无法正常工作,为此采用了合理的修补和焊接修复工艺。从压料架的焊接工艺技术分析,焊接工艺技术准备、焊接工艺参数、焊接材料的选择,压料架加强加固板的加固方式,焊接方法等方面介绍了剪板机的修复过程。     

正交试验法优选鬼臼毒素新型脂质体的制备工艺

确立鬼臼毒素新型脂质体的最佳制备工艺.采用正交设计方法对最佳制备工艺进行实验,以氢化磷脂与胆固醇比例、氢化磷脂与PAMAM dendrimer G3.5脂质小球的比例、氢化磷脂与鬼臼毒素的比例、旋转蒸发温度为4个因素,包封率为考察指标,筛选出鬼臼毒素新型脂质体最佳制备工艺.优选出鬼臼毒素新型脂质体的制备工艺为氢化磷脂:胆固醇=20:3.26,氢化磷脂:PAMAMdendrimer G3.5脂质小球=20:0.5,氢化磷脂:鬼臼毒素=20:1.5,旋转蒸发温度为45℃.所选工艺制备的成品符合脂质体的质量标准.     

新型双污泥反硝化除磷工艺的初步研究

介绍了基于反硝化除磷理论的双污泥工艺(A2N工艺),分析了传统双污泥工艺的优点和影响因素.摒弃了固有工艺流程冗长,基建费用过高;工艺出水氨氮过高等缺陷.在深入分析的基础上,设计了新型的双污泥工艺,缩短了工艺流程,提高了出水水质.改进后的工艺不仅可以解决同步脱氮除磷的问题,而且可用于再生水的生产.目前该工艺正在小试中,运行良好.     

两种新型封孔工艺在首山一矿的应用

针对首山一矿瓦斯抽采效率低下,封孔工艺复杂,且封孔方式不带压封孔,无法满足抽采要求,现引进固特捷封孔工艺和天固封孔工艺。这两种封孔工艺均可实现带压封孔,经工业性试验验证,对比首山一矿现有封孔工艺,发现采用新型封孔工艺后,瓦斯抽采量和瓦斯抽采浓度都有了明显的提高,且新的封孔工艺可以大大改善工人的劳动强度,降低封孔费用。     

PLS算法对烧结型Nd－Fe－B永磁合金工艺和配方参数的优化

ＰＬＳ算法对烧结型Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ永磁合金工艺和配方参数的优化李明，徐驰，陈念贻（中国科学院上海冶金研究所）关键词：ＰＬＳ算法，优化，Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ永磁合金０引言Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ合金由于具有非常优异的永磁性能和很高的性能价格比￣［１］，成为新一代的永磁材...     

新型水溶性抑菌剂咪唑季铵型反丁烯二酸单辛酯的合成及其抑菌活性研究

设计、合成并表征了新型水溶性抑菌剂咪唑季铵型反丁烯二酸单辛酯．采用光电比浊法、平板法和抑菌圈法测定咪唑季铵型反丁烯二酸单辛酯对细菌、霉菌、酵母的抑菌效果．结果表明,咪唑季铵型反丁烯二酸单辛酯具有较强的抑菌活性,且效果优于山梨酸和苯甲酸．碱性环境中,咪唑季铵型反丁烯二酸单辛酯抑菌活性较强．     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

基于培养环境的混合状态进行增光处理的新型光发酵制氢工艺

实验研究了不同培养环境的混合状态下光照强度对光合细菌生长和光发酵产氢的影响,提出静态培养和动态培养状态下的光饱和点分别为4000lux和6000lux。分析了Rhodobacter sphaeroides ZX-5培养环境中,光照强度随菌体细胞浓度及光传播距离增加而衰减的变化规律,得到了光在菌液传递过程中衰减的数学模型,即I=I0exp[-(0.4 814+0.2 991 OD660nm)·L]。首次提出了基于培养环境的混合状态进行增光处理的新型光发酵制氢策略,使得最大产氢速率达到161.7ml H2/lh。