稀土氧化物及硫氧化物红色荧光粉的制备与发光性质研究

本文报道了铕激活的氧化钇、氧化镧、氧化钆、氧化镥及钇、镧、钆、镥的硫氧化物红色荧光粉的制备与其发光性质。实验证明以硫氧化钆为基质的荧光粉发光性能最佳,而硫氧化镧则为一种很有发展前途的基质。     

FL—03型荧光粉

<正> FL-03型荧光粉是一种在253.7nm紫外线激发下发红外光的荧光粉,其发射最大波长值为730nm左右,较国内外所生产的硼酸镉、氟锗酸镁、砷酸镁、钡酸钇等红色荧光粉发射波长更长的红外线。该荧光粉具有很好的线状光谱,单色性好,色纯度高。一、样品制备将高纯碳酸锂、氧化铝等原料按比例称取研细混匀,以Cr_2O_3引入激活剂,倒入坩埚,用G、R、乙醇或二次蒸馏水浸泡,放入干燥箱烘干,转入高温炉烧结,炉温1400℃,自然降温,取出研细(有时需回烧一次),即得发射波长为730+5nm近红外荧光粉。     

稀土三基色荧光粉及其应用

本文报导了稀土三基色荧光粉:红粉Y_2O_3:Eu,绿粉(Ce、Tb)MgAl_(11)O_(10) 蓝粉(Ba,Mg,Eu)Al_(14)O_(24)的制备及其能量分布曲线、三基色荧光粉的性质与应用。     

共沉淀法制备Eu3+掺杂Gd2(MoO4)3荧光粉及其发光性质研究术

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3:Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

共沉淀法制备Eu~(3+)掺杂Gd_2(MoO_4)_3荧光粉及其发光性质研究

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3∶Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3∶Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

紫外线荧光粉BaSi_2O_5:Pb,Tb及其在光化学反应中的应用

本文报导了紫外线荧光粉BaSi_2O_5:Pb,Tb的制备、发光及其在H_2 Cl_2→2HCl等光化学反应中的应用。     

可调谐LED用SrMoO4∶Eu3+,Tb3+荧光粉的发光性质和能量传递研究

采用化学共沉淀法制备了的SrMoO_4:Eu~(3+),Tb~(3+)系列荧光粉体.用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(FE-SEM)对荧光粉的结构和形貌进行了表征.研究了样品的光致发光性能,Tb~(3+)到Eu~(3+)的能量传递关系.激发光谱由一个紫外区的宽带峰和可见区的窄带峰构成,可以很好地被紫外LED和蓝光LED激发.通过调整样品的煅烧温度、Eu~(3+)、Tb~(3+)掺杂浓度,可以改变Eu~(3+)、Tb~(3+)的特征发射强度,可以对荧光粉的发光颜色进行调节.经700℃煅烧后SrMoO_4:xEu~(3+),Tb~(3+)荧光粉(x=2.5%,3.5%),在379 nm激发下荧光粉可发射出白光.通过选择合适Eu~(3+)、Tb~(3+)的掺杂浓度、煅烧温度和激发波长可以实现合成白光LED用荧光粉.     

FL—01型荧光粉

<正> 一、概述目前,国内生产的硼酸镉,砷酸镁等红色荧光粉其发射最大波长一般都在610nm左右,氟锗酸镁红色荧光粉也仅有650nm左右,利用这些荧光粉制出的荧光灯呈桃红或粉红色。有些厂家甚至采取涂有颜料的双层粉来     

ZnSiO_3(偏硅酸锌):Mn,Er及其发光

本文报导的ZnSiO_3:Mn,Er绿色荧光粉,系以ZnSiO_3作为基质,Mn,Er作为激活剂。ZnSiO_3是采用硅胶与ZnO作用,在高温进行固相反应而生成,Mn,Er于高温时进入晶格,所得荧光粉发光效率高,色度好,化学稳定性及热稳定性好,颗粒度适合于涂粉工艺要求,并且制作工艺简便,造价低廉,为一种好的发光材料。     

对抗潮解力强的稀土X射线荧光粉LaOBr∶Tb的研究与应用

本文报导了稀土 X 射线增感屏用荧光粉 LaOBr:Tb 的制备工艺及其发光性质,着重报导了解决其抗潮解问题,以求得推广应用。LaOBr:Tb 完整的结晶及辅以双亲性高分子化合物包膜是能抗潮的主要因素,本文从实验中得以说明。     

三波段白光LED的高色域背光封装方案

目前主流液晶显示器的色域值均为NTSC70%左右,基于客户端对大尺寸LCD电视色彩要求的提高,现有的LED背光技术已经不能满足要求。为了将LED背光电视的色域覆盖率从现有的70%提高到85%以上以满足对高色域LCD电视的开发要求,我们提出并论证了一种基于三波段白光LED(蓝光芯片与红色荧光粉和红色荧光粉的组合)高色域背光LED封装技术的开发方案。     

FL—04型荧光粉

<正> 以铝酸盐为基质的稀土发光研究已有报导,发现Eu~(2+)在六方铝酸盐的不同组成基质中发光性质有明显区别,我们制备了含Eu~(2+)、Mg、Sr的铝酸盐荧光粉,分析结果表明该材料有磁铅酸型的晶体结构,发射最大波长为485±5nm,具有吸收性能好,发射半宽度窄,亮度高等特点。本文将对其合成,结构分析,发光特性等作详细报导,并对有关问题进行讨论。一、样品制备     

硬脂酸对超微CaS∶Eu荧光粉的表面包覆改性

采用乙醇溶液中溶解脂肪酸和超声波分散的方法研究微米级CaS∶Eu荧光粉颗粒表面均匀包覆硬脂酸(SA).用IR与XRD表征了包覆物(硬脂酸)与CaS∶Eu颗粒表面的结合情况.采用荧光光谱测试了荧光粉包覆前后的荧光性质和耐候性.用粒度分布表征了荧光粉的粒径变化情况,通过平均粒径推算出最佳包覆厚度是1.67μm.研究表明包覆后的荧光粉的耐候性能明显增强.     

硬脂酸对超微CaS:Eu荧光粉的表面包覆改性

采用乙醇溶液中溶解脂肪酸和超声波分散的方法研究微米级CaS:Eu荧光粉颗粒表面均匀包覆硬脂酸(SA).用IR与XRD表征了包覆物(硬脂酸)与CaS:Eu颗粒表面的结合情况.采用荧光光谱测试了荧光粉包覆前后的荧光性质和耐候性.用粒度分布表征了荧光粉的粒径变化情况,通过平均粒径推算出最佳包覆厚度是1.67μm.研究表明包覆后的荧光粉的耐候性能明显增强.     

一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb3+离子的5 D4→7FJ和Eu3+离子的5D0→7FJ跃迁,表明部分Eu3+离子在还原气氛下被还原成Eu2+.红光、绿光和蓝光发射强度相当,复合得到白光.色坐标(CIE)计算结果显示,荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:0.01 Eu3+,7.0×10-4 Tb3+的白色发光(CIE:x=0.321,y=0.322)接近纯白色(CIE:x=0.33,y=0.33),表明它是一种很有应用前景的基于紫外光芯片的单基白光荧光粉.     

Sr5（PO4）3C1：Tb3＋，Tm3＋的制备及Tm3＋对发光性能的影响

采用溶胶一凝胶法合成Sr5（PO4）3C1：Tb3＋,Tm3＋荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响．结果表明：适量掺杂Tb3＋,Tm3＋后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度．     

荧光粉的基本制作过程及分析

荧光粉的基本制作过程及分析许昌市产品质量监督检验所化明利不同的荧光粉有不同的制作工艺和方法，但大都要经过研磨、浸泡和烧结这些丛本制作过程。下面就这些基本过程进行一些分析。一、研磨研磨的目的就是为了将各组分的物质充分研细混匀。显然研磨时间越长，研的就越...     

LED用CaMoO_4:Eu3~(+),Tb~(3+)白光荧光粉的制备及发光性质的研究

采用化学共沉淀法制备了荧光粉Ca Mo O4:Tb3+、Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+,并对其发光性质进行了研究.Ca Mo O4:Tb3+样品在488nm激发下能发出很强的绿光,此时Tb3+的最佳掺杂浓度为15%;在Eu3+和Tb3+共同掺杂的体系中,可以观察到由于Tb3+向Eu3+的能量传递使Tb3+敏化Eu3+的发光现象.该荧光粉在近紫外光(379nm)激发下发出较强的白色荧光,光谱测试显示Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+的发射光谱存在三个激发峰,分别位于488、543和613 nm处,能够合成较理想的白光.     

非放射性红色荧光粉的合成和发光

本文采用特殊的灼烧工艺，在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉，用365nm紫餐光激发，测试了样品的发光特性，其实验结果表明，SrS,Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x＝0.620,y＝0.375，余辉时间为3h，采用半导体平面工艺技术进行SiO2包膜，改善了荧光粉的稳定性。     

Sm~(3+)离子激活的NaGd(MoO_4)_2荧光粉的制备与发光性能

本文采用高温固相法制备了Sm~(3+)离子激活的NaGd(MoO_4)_2荧光粉,对样品的相结构、微观形貌及荧光光谱等特性进行测试和表征。样品的相结构分析表明,样品具有良好四方相结构,无杂相生成。荧光光谱表明,Sm~(3+)离子激活的NaGd(MoO_4)_2粉体能被波长为405nm的光有效激发,表明制备的粉体能很好地与近紫外LED芯片匹配,在405nm近紫外光的照射下,主要的发射峰位于564、605、646nm处,其中位于646nm处的发射峰相对强度最大,归属于Sm~(3+)离子的4G5/2→6H9/2跃迁。