杂质对ZnO/Ni反担载催化剂表面H化学吸附的影响

本文在紧束缚近似下，利用格林函数方法和ＥＳ化学吸附理论研究杂质对Ｈ在反担载催化剂ＺｎＯ／Ｎｉ表面化学吸附的影响。研究结果表明，微扰Δε＜０的杂质削弱化学吸附，Δε＞０的杂质增强化学吸附，并且杂质位于载体第一层时对化学吸附影响最大。     

半导体ZnO薄层和金属Ni构成界面时的界面能

本文利用格林函数(GF)方法计算了ZnO半导体薄层和金属Ni构成界面时的界面能△E。讨论了界面能△E随NnO和Ni之间的相互作用势γ的变化.以及△E随半导体ZnO薄层的层数N(或厚度)的变化。     

关于CO在含Ru二元无序合金表面化学吸附稳定性的研究

本文采用Ｓｕｌｓｔｏｎ等人发展的一维紧束缚半无限二元无序合金模型（ＤＢＡ）和格林函数方法,在相关势近似（ＣＰＡ）下利用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｓｃｈｒｉｅｆｅｒ（ＥＳ）化学吸附理论,通过ＣＯ分别在ＣｏＲｕ、ＲｕＮｉ及ＲｕＣｕ合金表面吸附能的计算,讨论了ＣＯ在以上３种合金表面化学吸附的稳定性．结果表明：（１）ＣＯ在ＣｏＲｕ合金表面化学吸附稳定性随Ｒｕ含量的增加而降低,近似呈线性变化;（２）ＣＯ在ＲｕＮｉ表面的化学吸附,在Ｒｕ含量小于２０％情况下,吸附稳定性随Ｒｕ含量的增加而增加．当Ｒｕ含量大于２０％而继续增加时,吸附稳定性呈减弱趋势;在Ｒｕ与Ｎｉ含量比例为２８处,吸附最为稳定．（３）ＣＯ在ＲｕＣｕ表面化学吸附时,对应Ｒｕ与Ｃｕ含量比例为６４化学吸附能有一最大负值,表明此时ＣＯ化学吸附最稳定．     

空位缺陷对过渡金属表面电子态及化学吸附的影响

本文用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ和Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ的单电子化学吸附理论及Ｙａｎｉｖ的空位理论研究了空位缺陷对过渡金属表面态密度及化学吸附引起的表面态密度变化的影响。结果表明，空位离表面格点愈近，对其表面态密度影响愈大，空位的存在有利于表面复合物的形成。这与实验符合得很好。     

金属─半导体界面附近的空位电子态

本文用紧束缚模型发展了金属一半导体界而附近的空位理论．研究结果发现：空位对它附近区域的态密度有一定影响；空位的生成能随空位一界面间距的变化是一个振荡函数．对文中所考虑的界面，空位趋向于朝界面处吸引；当系统中同时存在两个空位时，由于介质极化，空位之间要发生间接相互作用，其间接相互作用能随空位一空位间距的改变发生振荡．     

CO在Pt／Si和Pd／Si上的化学吸附

本文根据单电子化学吸附理论，利用格林函数方法和复能积分技术，研究了ＣＯ在Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｄ／Ｓｉ上的化学吸附。用ｓｐ杂化轨道模型描述衬底，用紧束缚的ｄ轨道模型描述金属。计算结果表明：（１）化学吸附能随Ｓｉ上金属的层数增加而单调下降；（２）Δε〈０ｅＶ的杂质效应表现为使化学吸附减弱；Δε〉０ｅＶ的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附，杂质位于其它层时减弱了化学吸附。     

金属层厚对金属—半导体界面性质的影响

本文用一维紧束缚模型和格林函数方法研究了金属薄层的厚度对金屑一半导体界面电子态和界面能的影响。文中给出了计算局域电子态密度及界面能的公式,并以Pt-ZnO系统为例,计算了金属处于不同层厚时,界面处的电子态密度及界面能,讨论了薄层厚度对二者的影响。     

Au/Si扭转界面能各向异性研究

采用改进型嵌入原子法(modifiedembedded atom method,MEAM),计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能.结果表明,不论是对于(111)Si还是(001)Si基底,相同基底的界面均按照(111)Au/Si、(001)Au/Si、(011)Au/Si顺序依次增加;从界面能的最小化考虑,Au在(111)Si或(001)Si基底上的外延生长,Au(111)面为择优晶面,择优扭转角分别为θ=2.68°和θ=2.42°.     

Si团簇的结构特性研究

采用由M．Menon等人的非正交紧束缚模型，结合遗传算法和分子动力学方法，对n=2-20的中小尺寸Si团簇的结构进行了优化，计算了团簇的束缚能Eb、平均配位数CN，裂化能Efrag，总能的二阶差分△2E，HOMO和LUMO的能隙Eg，得出了随着团簇尺寸的增加，构型发生了近球形-长椭球形-近球形的转变、n=4，7，10等团簇具有较强稳定性，团簇中原子之间共价键性结合占支配地位等主要结论。所得的主要结论与已有的从头计算和实验结果相一致。     

SIPOS／Si结构的界面特性

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ—Ｏ键的结构，对比了热退火、快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ—Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ，Ｉ－Ｖ测试结果，对其界面特性进行了分析．     

涂层对氧化铝／耐热钢界面性能的影响

通过化学气相沉积方法在氧化铝表面分别获得了Ni及TiN涂层,并制得了氧化铝/耐热钢复合材料,为进一步研究复合材料性能与涂层的关系,考察了涂层对复合材料界面结合强度与抗高温氧化性的影响。结果表明：两种涂层都能提高氧化铝/耐热钢界面的结合强度,Ni涂层提高强度的幅度更大;包Ni氧化铝复合材料中的Ni涂层溶解到了耐热钢基体中,界面抗氧化性较好;包TiN氧化铝复合材料中的TiN仍存在于界面上,界面抗氧化性较差。     

基于单片机IO口串行同步通信的实现

单片机之间的通信是在科研中经常要用的技术,利用单片机自带的串行接口或扩展的专用UART芯片实现单片机与单片机之间的通信已经在实践中应用很广．本文讨论的是当单片机自身不带串行口或串行口已作他用,而系统可能又不允许扩展专用的UART芯片来实现通信的情况,用IO口来实现多机通讯的技术．     

Pt在DBA表面的化学吸附能和电荷转移

采用格林函数方法和Anderson Newns(AN)模型研究原子Pt在无序二元合金(DBA)表面的化学吸附能和电荷转移,其中普遍的去耦合方法被采用以消除Pt的不同d电子之间通过与DBA表面相互作用而产生的耦合效应·结果表明:Pt对DBA表面偏析有很大的抑制作用;化学吸附系统Pt/NixCu1-x随Ni的体内原子分数的增加而趋于稳定·化学吸附促进了吸附离子Pt与合金衬底间的电荷转移浓度·     

金属／聚酰亚胺LB薄膜界面特性研究

为提高有机电子器件的性能,制备了不同的厚度的聚酰亚胺（PI）LB薄膜,测量了不同厚度的聚酰亚胺LB薄膜与金电极接触时的表面电压,分析了金属／PILB薄界面的电荷分布情况,发现电荷主要集中在界面附近,测定了金属／PILB／金属结构的电流－电压关系,用金属热电子发射和场致发射的模型对其进行了分析,结果表明电子发射机理受温度和电场强度的控制,实验结果与模型符合得较好。