无机盐存在下β—环糊精对萘的包络作用

研究了碱金属氯化物存在下β-环糊精对萘的包络作用,结果表明,盐类存在下萘-β-环糊精包络物形成常数增大并促进萘在β-环糊精水溶液中激基缔合物的形成,结果说明盐类的存在有利于强硫水性化合物的包络,并定量说明主客体间的疏水相互作用是包络物形成动力之一。     

聚L-精氨酸修饰玻碳电极测定抗坏血酸

用循环伏安法制备了聚L-精氨酸修饰玻碳电极,并研究了抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,建立了测定抗坏血酸的新方法.在pH7.5的磷酸盐缓冲溶液中,抗坏血酸在修饰电极上产生一氧化峰,峰电位为0.050V(对AgA/gCl电极).用线性扫描伏安法测定抗坏血酸的线性范围为5.0×10-6～5.0×10-3molL/,检出限为2.0×10-6molL/.用于药物中抗坏血酸的测定,结果满意。     

β-环糊精-苯酚二元包络物的荧光研究

研究了β－环糊精（简称β－ＣＤ）与荧光物质苯酚的包络反应以及β－ＣＤ对苯酚荧光强度的影响．结果表明，在酸性和中性介质中，β－ＣＤ与苯酚能起包络反应，包络物的形成常数Ｋｆ＝１．１２·１０２Ｌ／ｍｏｌ．随着β－ＣＤ用量的增加，包络程度增大，荧光强度增大．添加剂乙醇的加入，可以与β－ＣＤ起协同增敏作用     

修饰的β-环糊精包合作用机理的量子化学模拟研究

采用ONIOM(B3LYP/6-31G*:PM3)方法模拟研究了修饰的β-环糊精(β-CD)与反式白藜芦醇(trans-resveratrol,TR)的包合过程。研究发现:(1)穿越和旋转两个模式的结合才能得到修饰的β-环糊精和TR最稳定的包合物;(2)偶极作用和电荷转移是β-环糊精与TR形成包合物的主要驱动力;(3)氢键的形成有助于包合物的稳定;(4)在298.15 K和101 kPa的条件下,修饰β-环糊精与TR在气态的环境中形成包合物的过程是焓驱动过程。     

TMHPP.FeCl修饰玻碳电极电催化氧化测定L—抗坏血酸

首次将氯化－５，１０，１５，２０－四－（３－甲氧基－４－羟基苯基）卟啉铁（ＴＭＨＰＰ．ＦｅＣｌ）修饰在玻碳电极表面，制成ＴＭＨＰＰ．ＦｅＣｌ修饰电极。该电极稳定性好且灵敏度高，对Ｌ－抗坏血酸在较宽的浓度范围内有良好的电催化氧化作用。     

荧光光谱法研究芘与β-环糊精、羟丙基β-环糊精的相互作用

用荧光光谱法,通过考察β 环糊精(β CD)和单 [2 氧 (2 羟丙基)] β 环糊精(HPCD)水溶液中芘的I1/I3值的变化、芘与上述两种环糊精结合常数的大小,以及pH值对两种环糊精水溶液中芘的I1/I3影响的不同,研究了芘/β CD、芘/HPCD作用方式的差别.结果表明芘与β CD形成1∶2夹心式的包络物后,两个β CD分子大端口羟基间形成氢键,使芘与β CD形成的包络物更加稳定.而HPCD由于二位上取代基的位阻效应,与芘只能形成1∶1的包络物.     

酸性铬蓝K修饰电极的制备及其对抗坏血酸的测定

应用电化学方法将酸性铬蓝K固定在玻碳电极（ GCE）表面上而制备出新型的修饰电极,并用循环伏安法对其电化学行为进行表征,考察了其对抗坏血酸的电催化性能。结果表明：在HAc-NaAc缓冲溶液（pH=3.6）中,-200-800 mV电位扫描范围内,抗坏血酸在此修饰电极上发现有一个氧化峰,并且此峰的高度和抗坏血酸的浓度成正比关系。在选定的最佳条件下,氧化峰电流与抗坏血酸的浓度在8×10^-8-1×10^-3 mol·L^-1范围内有良好的线性关系（R=0.9992）,检出限为2×10^-8mol·L^-1（信噪比3∶1）,并用于实际样品分析中,得到较满意的结果。     

β-环糊精钴铁氧化物纳米复合材料修饰电极测定对苯二酚

基于β-环糊精钴铁氧化物纳米复合材料研制了一种新型灵敏的电化学传感器,并用于测定对苯二酚.由于在电极上对苯二酚具有高的负载容量和钴铁氧化物直立的导电性,制作的传感器的电化学响应大大提高.结果表明:该方法的线性范围为1~200μmol/L,检出限为0.12μmol/L(R SN=3).所研制的电化学传感器具有良好的选择性和重现性,对对苯二酚合成水样进行了测定,回收率在96.0%~103.5%之间.     

以 β -环糊精修饰碳糊电极测定槲皮素

用β-环糊精（β-CD）制成修饰碳糊电极,循环伏安法研究槲皮素在 β-CD 修饰碳糊电极上的电化学行为。结果显示：当以 pH =5 的磷酸缓冲溶液（PBS）为底液,扫描速率为 80 mV/s 时,槲皮素在 β-CD 修饰电极上的电化学信号最大,当槲皮素浓度在 5. 0 ×10 7~ 1. 0 ×10 4mol. L 1范围内,槲皮素峰电流与其浓度呈良好的线性关系,其线性方程为 Ip（μA）=7. 809 + 2. 848 ×105c（mol. L 1）,相关系数为0.999 6,检出限为 6. 3 ×10 8mol. L 1。     

L-抗坏血酸在锂-对苯二甲酸修饰电极上的电化学行为及其测定

利用电沉积法制备了1种[Li-BDC]/GC修饰电极,并用循环伏安法和交流阻抗法研究了L-抗坏血酸（AA）在修饰电极上的电化学行为.结果表明,与裸玻碳电极相比,该修饰电极对AA具有更高的电催化活性,其氧化峰电流增大了约1.6倍.探讨了不同实验条件对电极性能的影响,在最佳实验条件下,检测AA药物浓度的线性范围为3.0×10-7～2.5×10-3 mol·L-1,线性相关系数为0.9990,检出限为6.0×10-8 mol·L-1（信噪比为3∶1）,回收率为97.2%～100.4%.该修饰电极具有较好的稳定性和重复性,并用于维生素C片剂中AA的含量测定,结果与药典方法一致.     

光谱法研究联苯和萘对β-环糊精与1-溴萘和脂肪醇包络作用的影响

β 环糊精(β CD)可与1 溴萘(BN)和脂肪醇(A)形成三元包络物,使BN分子产生强磷光;用BP代替A,同 样可生成β CD∶BN∶BP三元包合物.当A和BP同时存在时,溶液中生成的β CD∶BN∶A和β CD∶BN∶BP三元包络物 之间通过缔合作用形成多元络合物.与β CD∶BN∶A相比,BP可对BN分子周围微环境进行调节,使BN分子的刚性增 强,磷光强度进一步提高,同时可观察到BN对BP荧光产生猝灭作用.当A和萘(N)同时存在时,因β CD∶N∶A包 络物的形成可使N基态二聚体包络物完全解离,N和BN分子分别被包络进不同的β CD空腔内,β CD可有效地屏蔽 BN对N的猝灭作用,N的荧光进一步增强;高浓度N存在下生成的β CD∶N∶A包络物沉淀也可起到提高β CD∶BN∶ A包络物的刚性作用,最终也导致了BN磷光的显著增强.分子相对大小分析为实验结果提供了合理解释.     

β-环糊精与常用的两种光谱探针包络作用对比研究

采用紫外可见吸收光谱法研究了β-环糊精与酚酞及甲基橙的包络作用。结果表明β-环糊精与客体形成1:1的超分子包络物,包络物的稳定常数分别为1.30×10~4L/mol、1.58×10~3L/mol。包结率及包络模式将影响吸收光谱的变化趋势。主客体间疏水相互作用和范德华力是形成超分子包络物的主要驱动力,氨键影响包络物的稳定性.     

聚碱性品红修饰电极对抗坏血酸与多巴胺重叠氧化峰的分离

本文介绍了一种分离抗坏血酸和多巴胺氧化峰的新方法,由于聚碱性品红修饰电极对抗坏血酸和多巴胺有不同的电化学行为,因而在修饰电极上,抗坏血酸和多巴胺在不同的电位被氧化实验表明,在聚碱性品红修饰电极上,抗坏血酸和多巴胺的氧化峰可分开约２４０ｍＶ     

聚对乙酰基偶氮胂膜修饰玻碳电极对抗坏血酸的催化氧化研究

用电化学聚合法研制了聚对乙酰基偶氮胂膜修饰玻碳电极 ,该电极对抗坏血酸 (AA)有良好的电催化氧化作用 ,AA在修饰电极上的氧化电位较空白玻碳电极负移约 4 50 m V。在选定的实验条件下 ,修饰电极以线扫伏安法测定 AA的线性范围为 5.0× 1 0 -5～ 1 .0× 1 0 -2 mol/L,检测下限为 1 .0× 1 0 -5mol/L。该电极具有较好的稳定性和重现性。     

聚吡咯修饰电极测定抗坏血酸的研究

对掺铁氰根聚吡咯电极的聚合、伏安行为、电催化效应及其在抗坏血酸测定中的应用进行了研究.该膜电极性能稳定,对抗坏血酸催化效果好,抗坏血酸浓度在5×10-6~6×10-3 mol/l范围内有很好的线性关系,用于测定果汁饮料中抗坏血酸获得满意结果.     

双([)6-氧(∈)3-间硝基苯磺酰基-丁二酸-1,4-单酯-4(∈)(])β-环糊精的合成及模拟抗坏血酸氧化酶

为建立更多更好的模拟酶定量测定方法,用β-环糊精、马来酸酐、间硝基苯磺酰氯和三氯化铁反应,合成了双([)6-氧(∈)3-间硝基苯磺酰基-丁二酸-1,4-单酯-4(∈)(])β-环糊精·Fe3+配合物,以此配合物与H2O2形成复合物,模拟抗坏血酸氧化酶,将抗坏血酸催化脱氢生成脱氢抗坏血酸.在最佳条件下,催化反应可在3 min内反应完全.初速度显示出良好的线性,模拟酶催化速率较快,为下一步用此模拟酶测定相关物质含量提供了可能.     

邻硝基苯酚在β-环糊精修饰电极的电化学行为

采用循环伏安法研究邻硝基苯酚在β-环糊精修饰碳糊电极上的伏安行为,建立测定邻硝基苯酚的电化学分析新方法.研究结果表明,在pH=5.0的0.1mol·L-1NH4CH-HCl缓冲溶液中测得的循环伏安曲线上有一不可逆的还原电流峰,经过与未修饰的碳糊电极上测得的循环伏安行为对比后确认,β-CD对领硝基苯酚有较好的识别作用,加快了电子转移速度,增强了富集效应.在优化的实验条件下,邻硝基苯酚的浓度在5.0×10-6～2.0×10-4mol·L-1范围内呈良好的线性关系,其检测限为7.0×10-7mol·L-1.     

酸性铬蓝K修饰电极的制备及其对抗坏血酸的测定

应用电化学方法将酸性铬蓝K固定在玻碳电极(GCE)表面上而制备出新型的修饰电极,并用循环伏安法对其电化学行为进行表征,考察了其对抗坏血酸的电催化性能。结果表明:在HAc-Na Ac缓冲溶液(p H=3.6)中,-200~800 m V电位扫描范围内,抗坏血酸在此修饰电极上发现有一个氧化峰,并且此峰的高度和抗坏血酸的浓度成正比关系。在选定的最佳条件下,氧化峰电流与抗坏血酸的浓度在8×10-8~1×10-3mol·L-1范围内有良好的线性关系(R=0.9992),检出限为2×10-8mol·L-1(信噪比3∶1),并用于实际样品分析中,得到较满意的结果。