多晶铁电薄膜的双层结构模型

实验观察发现：多晶钛酸铅铁电薄膜的表面层与体内层有不同的结晶和相变特性。根据实验结果，可假设多晶铁电薄膜具有与铁电微粉类似的特征，将表面层描述为小晶粒低应变层；体内层描述为大晶粒高应变层；所有晶粒均被一薄的非铁电层覆盖。     

亚硝酸钠多晶与粉末中铁电相变的研究

对NaNO 2粉末与多晶材料的复介电常数随温度的变化情况进行了讨论,并研究了其铁电相变过程.结果表明：1）高温（420K以上）低频（100Hz以下）条件下,NaNO2粉末及多晶材料复介电常数的变化主要是由离子扩散引起的.而高频（105Hz,106Hz）复介电常数实部的值在相变温度附近基本与频率无关,能够反映材料的极化和结构信息.2）在443K～450K范围内, NaNO 2粉末样品的激活能U为0.70eV,NaNO 2多晶的激活能U为1.58eV,NaNO 2多晶的激活能要大于NaNO2粉末的激活能,这说明NaNO2粉末与多晶中离子扩散可能起源于材料的本征缺陷.3） NaNO2粉末中铁电相变在复介电常数曲线上的表现比NaNO2多晶明显;临界温度Tc以上437K至440K范围内,NaNO 2多晶的复介电常数实部随温度的变化曲线偏离居里-外斯定律,说明该铁电相变过程中存在反常现象,这一现象与NaNO 2单晶的结果相吻合.     

离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用

本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。     

铁电单晶材料力电耦合性能模型

铁电材料是一类典型的非线性材料。作者借助晶体塑理论的方法,采用铁电畴结构的非完全连续反转模式,考虑畴壁移动的能量耦散与外力做功及内能变化的平衡关系,建立起单晶铁电材料的电畴反转模型,以期作为确立多晶铁电陶瓷本构关系的基础,计算结果表明该模型能较好地描述铁电单晶地非线性力电耦合行为。     

科学资讯

科学家发明制备半导体多晶纳米管新方法日前,中科院上海硅酸盐研究所在Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体纳米管设计和可控制备研究中取得重要进展。该所朱英杰研究员带领的课题组发明了一种生物分子辅助纳米晶定向自组装新方法,巧妙地利用含多功能基团的生物分子在室温下成功地制各出一系列铅的硫族化合物(PbS,PbSe,PbTe)半导体多晶纳米管。所制备的铅的硫族化合物多晶纳米管表现     

长径比对铁纤维涂层反射率的影响研究

基于麦克斯韦方程 ,给出了多晶铁纤维的微波磁导率和介电常数的理论公式 .利用电磁参数进而得到铁纤维涂层的反射率 ,即获得铁纤维涂层的反射率对长径比的依赖关系 .分析了铁纤维长径比对反射率的影响 .结果表明 ,必须依据反射率理论公式对铁纤维的长径比进行优化设计 ,才能得到宽频带、低反射率的铁纤维涂层 .     

多铁性材料CaMn_7O_(12)的制备与电输运特性

利用固相烧结法制备了多铁性材料CaMn7O12多晶块材,断面扫描电子显微镜(SEM)形貌图显示样品的结构致密.使用热释电方法测量CaMn7O12多晶块材的铁电极化,说明材料具有铁电性.测量了CaMn7O12多晶块材的直流和交流输运特性,结合交流阻抗谱辅助等效回路分析法,对测量数据进行拟合.结果显示CaMn7O12多晶块材的直流和交流输运特性都符合Mott的VRH(variable range hopping)机制,其能带是近似于原子能级的窄带.     

美国在人造卫星上试制半导体

美国航天飞机最近带着一个圆盾型的人造卫星到环绕地球的太空轨道上飞行16天,以便科学家研究如何制造新一代的半导体材料,供发展高科技使用。 这个人造卫星内有“太空真空多晶器材”以及砷、镓等多晶用的材料。宇航员把这个人造卫星放到离航天飞机数十英里以外的太空轨道中自行飞行,然后科学家从地面用遥控的方法,制造半导体薄膜。 科学家相信,在太空的无重力和真空状态下,用多晶造出来的半导体纯度会很高,且质量会很均匀,其导电性可望比在地球上用硅制成的半导体好很多。砷和镓是化学属性与硅相邻的元素,用这种材料做出的半导体所制造的计算机和其他高科技产品的性能,将比     

脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展

NiO作为一种优良的半导体材料,在传感器、催化剂、电致变色器件等领域都有着广泛的应用,纳米NiO又是很有前途的锂离子电池电极材料。脉冲激光沉积作为一种制备高质量NiO薄膜的可行方法。本文综述了脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展,包括多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。     

锌镀层的晶体取向

以Ｄ－Ⅰ季胺化合物为添加剂的碱性锌酸盐溶液，在多晶铁基体上用恒电位方法电沉积锌，用 Ｘ－射线衍射法研究沉积层锌晶体的取向．测定了过电位和添加剂浓度对晶体取向的影响，获得一 个重要的结果：电沉积层的（１１２０）择优取向随电沉积过电位的降低和添加剂浓度的提高而增强． 并认为是由于添加剂对各晶面的阻化作用不同，导致镀层形成择优取向，满意地解释了有关的实验 结果．     

电淀积CdSe_xTe_(1-x)薄膜的相结构和成分分析

本文采用阴极电淀积法在镀Ni黄铜衬底上制备CdSe_xTe_(1-x)多晶半导体薄脱。用X射线衍射仪和X射线能谱分析仪,对淀积物的相结构和成分作了分析和测定。由此可肯定淀积物具有立方闪锌矿结构,它实际上是由结构相同的CdSe和CdTe组成的两相混合物。同时也指出在淀积层中还含有相当数量的游离镉金属。     

梯度铁电薄膜性质研究

以二级相变铁电材料为例,利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究不均匀结构对梯度铁电薄膜性质的影响.结果表明:退极化场对于两层薄膜中间的极化影响较小,而在薄膜的两端处影响最大;梯度铁电薄膜的平均极化随膜厚按线性规律变化;在接近相变温度时,自发极化消失,梯度铁电薄膜的这一现象与铁电材料的性质相同.在外场不等于零的情况下,得到的梯度铁电薄膜的电滞回线中心对称.     

基于半导体温差发电的电锻煤炉余热回收研究

青铜峡铝业集团电锻煤炉是耗电将煤转化成无烟煤的设备,其排烟温度达到590℃,高温烟气排放导致大量余热的浪费.本文根据半导体温差发电器的特点及其发电性能,研究利用半导体温差发电对电锻煤炉余热的回收利用,并设计计算电锻煤炉的余热发电.     

808 nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对 8 0 8 nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试 ,给出器件电噪声与频率、注入电流之间关系 ,讨论噪声与电、光导数之间的关系 .结果表明 ,80 8nm大功率半导体激光器的电噪声在低频段主要为 1 /f噪声 ,并在阈值附近有最大值     

磁场引导羰基热分解法制备多晶铁纤维

介绍一种崭新的制备多晶铁纤维的方法－－磁场引导羰基热分解法,并从羰基分解和磁场诱导原理出发,分析了羰基铁颗粒特有的洋葱结构的形成及其在磁场作用下相互连接,最终长成纤维的过程,在此理论基础上,设计出一套纤维生长装置,并成功地制备出微米级铁纤维,实验结果表明：此法能够批量制得形貌均匀,长径比可调的高质量多晶铁纤维。     

FeV_2O_4多晶块材的磁电效应与输运特性

采用固相烧结法制备了FeV_2O_4多晶块材,采用X射线衍射法和电子显微镜断面扫描对FeV_2O_4多晶块材进行结构表征,并测量其铁电极化强度和交、直流电输运特性.结果表明,制备的FeV_2O_4多晶块材是纯净的,结构较致密.低温(6K)时FeV_2O_4多晶块材的铁电饱和极化强度达到141.8μC/m2,外加磁场后自发极化强度受到较大的压制,表明样品具有较强的磁电效应,其最大磁阻效应(2.83%)出现在亚铁磁转变温度TN1(110K)处.结合交流阻抗谱辅助等效回路分析法,对测量数据进行拟合.结果显示FeV_2O_4多晶块材的直流和交流输运特性都符合Mott的变程跳跃(variable range hopping,VRH)机制,其能带是近似于原子能级的窄带.     

太阳能半导体制冷因素的研究及其性能优化

以探讨影响太阳能半导体制冷因素为主线,对太阳能半导体制冷性能进行了优化探讨.分析了太阳能半导体的应用前景和工作原理.对影响太阳能半导体制冷性能的因素包括太阳辐射强度、太阳能电池板的光电转换效率、半导体制冷热端散热方式、半导体制冷系统的设计工况、蓄电池的工作状态、半导体制冷电臂的结构以及热电材料的优值系数进行了系统分析.对太阳能半导体制冷系统提出了一些建议和优化措施.     

施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。     

长径比对铁纤维涂层反射率的影响研究

基于麦克斯韦方程,给出了多晶铁纤维的微波磁导率和介电常数的理论公式,利用电磁参数进而得到铁纤维涂层的反射率,即获得铁纤维涂层的反射率对长径比的依赖关系,分析了铁纤维长径比对反射率的影响。结果表明,必须依据反射率理论公式对铁纤维的长径比进行优化设计,才能得到宽频带、低反射率的铁纤维涂层。     

弛豫铁电多晶体的强场特性

本文介绍了弛豫铁电多晶体的研究、发展及其电致伸缩性质。论文中比较了三种典型铁电弛豫体:PMN—PT、PLZT和掺杂BT多晶材料的强电场特性。实验发现,当温度偏离T_(av)时,PLZT多晶体出现越来越强的电滞后现象,导致其微位移器件的回零复原温度特性变坏。用电学方法,在碱土金属离子B位掺杂的BT多晶体中可以观察到超顺电相的所谓微畴——宏观畴的场诱相变过程。作者指出,化学缺陷控制原理可用于调节电致伸缩材料的强场特性,控制器件的复原特性。