合金缺陷伯穆斯堡尔谱研究

由于穆斯堡尔谱学方法具有极高的能量分辨率并可以提供核周围环境的超精细相互作用信息，而合金的特性在晶格缺陷附近会与完整晶体不同，因此，以合适的共振原子作为探针测得穆斯堡尔谱，便可以从中得到有关晶格缺陷的信息。     

NiTi合金的离子注入穆斯堡尔谱学

简要介绍了离子注入穆斯堡尔谱学的基本原理，讨论了离子注入的不同途径，及离子注入穆斯堡尔谱学的应用。报道了作者利用离子注入穆斯堡尔谱研究ＮｉＴｉ形状记忆合金的工作。     

用内转换电子穆斯堡尔谱研究氮离子注入纯铁和GCr15 钢的温度效应

在离子束注入金属材料表面改性的研究中,氮离子束注入钢已被证实是一种很有效的表面改性 方法,它能显著改善钢表面的耐磨性能,但表面性能的改善与注入条件密切相关。本文用内转换电子穆斯堡尔谱分析不同温主廿注入的纯铁和ＧＣｒ１５,并讨论注入温度对改性的影响。     

Nd(Fe1-xCox)9Si2Cy化合物的穆斯堡尔谱研究

利用真空熔炼法制备了 Ba Cd11结构的 Nd(Fe1-x Cox) 9Si2 Cy 化合物 ,X射线衍射的结果表明 C原子加入后 ,单胞体积膨胀 .室温下测量了样品的穆斯堡尔谱 ,发现随着 Co含量的增加 ,化合物中 Fe的平均超精细场先增大后减小 .而 C原子的加入 ,则使 Fe的平均超精细增加 ,同质异能移减小     

不同温度非晶态Fe76.6Si4.9 B18.5合金颗粒的穆斯堡尔谱和磁性

通过测量不同温度的穆斯保尔谱和热磁曲线，研究非晶态Fe76.6Si4.9B18.5合金颗粒的结构和磁性随温度的变化．从室温到673K时，颗粒基本保持非晶态结构，但有少量弛豫发生，表现为铁磁性；在723K时呈现顺磁性。得到其非晶态居里点是720K，长时间保持723K时，样品有晶化现象，但在晶化温度735K以下，主体仍为非晶态结构；773K时，颗粒已完全转变为晶态结构，主要包括Fe2B和Fe3Si及a-Fe等晶相，呈现铁磁性；在815K和873K时，铁磁性晶态相混合物中，伴有顺磁相FeSi出现；1173K时，合金颗粒已在Fe2B和a-Fe的居里温度以上，表现为顺磁性．由谱中还可看出，制备出非晶态原料中Fe2B和a-Fe相的比例与由非晶态晶化得到的晶态中的比例明显不同．     

金矿的57Fe穆斯堡尔谱研究

金矿的成份用XRF谱、X射线谱、穆斯堡尔谱分析了各地十二个样品,测出除金以外有少量的FeS_2,FeSb_2S_4,γ-Fe_2O_3和Fe_3O_4.我们分析实验数据把金矿分成三部分,用不同的炼制方法除去铁.     

(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射

利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Si,Er）双注入单晶硅发光薄膜，RBS分析表明铒原子分接受10％，即原子浓度约10^21cm^-3，XRD分析发现，随着Er注量增加，退火态样品中ErSi2相增多，显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌，而这些结构变化将直接决定（Si,Er）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光。     

Mo离子注入钢退火过程中的相变研究

着重研究了金属离子注入合成表面优化复合层的机理和纳米相镶嵌结构形成,探索了注入和退火过程中纳米结构和相变过程,讨论相变机制.实验中发现用较低束流密度的Mo离子注入钢明显地改变了钢表面的结构,可使钢表面晶粒细化,使阻止位错移动的晶界数量增多;可在钢表面形成Mo原子超饱和固溶体;随所用的束流密度的增加,注入时表面温度升高,注入的Mo原子将与钢中的铁原子和碳原子化合而形成纳米尺寸的析出相.这些弥散的析出相在钢表面形成了弥散强化.用低束流密度注入后经过退火,在钢表面也形成了纳米尺寸的析出相,从而增加了表面弥散强化的效果.随退火温度的增高,纳米析出相将会聚成大一些的纳米颗粒,颗粒之间互相连接而形成网状结构,这将会进一步增加表面强化效果.     

单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

在考虑B，P，As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上，讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响，提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型，由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。     

高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究

用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。     

硅中高浓度注入的硼砷离子在热氧化中的再分布

本文利用杂质在氧化气氛中的有效扩散系数,通过解扩散方程,首次得到了硅中高浓度注入硼和砷离子在热氧化气氛中再分布的解析表达式。结果表明,在热氧化气氛中杂质再分布的结深与时间之间的三分之一次方关系多了一个修正项。     

Xe^＋离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱研究

分析了Xe~+离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱,对原始Q膜的拉曼谱线进行了指定.实验结果表明,随离子注入量的增加,其分子结构的特征谱线逐渐消失,当注入剂量达1×10~(17)Xe~+/cm~2时,注入层中原始膜的全部谱线消失,只在～1550cm~(-1)处出现宽的拉曼峰,说明注入层的分子结构遭到破坏,出现类似非晶碳的结构,注入层的电导率增加与其结构变化密切相关.     

MeV高能B离子注入Si的退火

报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p~+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义.