Na掺杂InN磁性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法探究了Na掺杂InN的电子结构和磁学性质.计算结果表明,Na掺杂InN为p型掺杂,一个Na原子掺杂的InN体系可产生2. 0μB的磁矩,其中Na最近邻的N原子对磁矩的贡献最大.态密度图和自旋密度分布图显示两个掺杂的Na原子之间的N原子间存在较强的p-p相互作用,因此由两个Na原子掺杂产生的磁矩间的耦合为长程铁磁耦合.     

ZnO(0001)Zn极性面上不同单体生长动力学特性

通过第一性原理和密度泛函方法,计算了在富锌和富氧条件下形成的Zn原子、ZnO分子、Zn3O1和Zn1O3团簇等不同单体在ZnO(0001)Zn极性面上典型的纤锌矿和闪锌矿结构沉积位的系统总能及其扩散势垒和相互作用能.结果表明,Zn1O3和Zn3O1团簇以及Zn原子单体易于获得纤锌矿结构的ZnO,而ZnO分子的稳定性较弱且易于沉积于闪锌矿位;富锌条件形成的Zn3O1团簇单体或Zn原子单体,有利于在较低温度下获得均匀结构的晶体;Zn3O1团簇单体则会形成具有一定孔洞的单一相晶体,而Zn1O3单体易形成致密的晶体;以Zn原子、Zn1O1和Zn1O3团簇为单体的沉积更易于聚集,而ZnO分子则不利于成核.     

表面缺陷对氧在InN(0001)上吸附的第一原理研究

研究了氧在InN(0001)面的吸附结构.结果表明,吸附能随着氧覆盖度的增加而减小,0.25 MLs氧吸附在InN(0001)-(2×2)衬底上的H3位是最稳定的吸附结构.对不同的表面缺陷,氧占据氮位比较稳定.氧的掺入很可能是造成InN的高载流子浓度和带隙变化的重要原因.     

Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.     

S钝化InN（OO1）面第一性原理研究

III族氮化物半导体是性能优越的半导体材料，在光电子器件方面已有重要的应用，特别是InN具有较小的有效电子质量，较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度，被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景，这就引起了人们越来越多的关注．然而，几乎所有直接生长的InN薄膜都是”型的，薄膜中氧含量相当高，氧含量最高接近10%，体材料被严重污染．近年来，自从San—droff发现通过S对GaAs（001）进行简单的化学处理以后，使GaAs表面的电子性质得到了很大的改善.     

S钝化InN(001)面第一性原理研究

Ⅲ族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景,这就引起了人们越来越多的关注.     

In团簇对InN光致发光特性的影响

通过光致发光方法研究了氮化铟(InN)材料的发光特性。实验发现,随着温度的变化,不同结构的InN样品的发光峰位置展现了不同的行为。在具有In团簇结构的样品中,其发光峰位置显示了反常的蓝移现象。这种发光峰能量的反常变化是由In团簇周围的界面态引起的。     

氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究

利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主.     

基于第一性原理对U_3O_8的磁性和动力学性质的研究

基于第一性原理的密度泛函理论,分别用(GGA)和GGA+U方法对U3O8的磁性和动力学性质做了一定的研究,此外,在研究磁性的过程中,GGA+U+SO方法也被考虑其中.优化得到的不同磁性态下的晶格参数和能量均与实验值吻合的非常好.用铁磁和反铁磁下的能量差,E=EAFM-EFM,作为磁性判断的一个标准,计算发现U3O8的顺磁态为其基态.对于动力学性质的研究,不同于以往研究所采用的D3d3点群,本文采用C2v晶体点群,对U3O8的光谱属性重新进行归属和更正,得到了与实验值基本一致的结果.     

AlB_2型结构WB_2点阵动力学的第一性原理研究

对Al B2型结构的二硼化物的超导进行了大量研究,试图寻找新的高温超导体。为了研究硬材料WB2的超导电性,利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Al B2型结构WB2的点阵动力学性质,并与高温超导体Mg B2的相关性质作了比较。WB2的能带在费米能级沿Γ-A方向有两条双重简并的能带。带心声子计算结果表明,声子频率全部来源于B原子振动关联模式的贡献。高频率的B1g和E2g两种声学模式的电声耦合作用较强且对超导电性起着决定性的作用。WB2有着与Mg B2类似的高温超导性质。     

包覆状态下的大块Pb晶体的动力学过热

研究了非自由表面大块晶体Pb的过垫热，主要介绍通过有效的方法制得试样，然后，用DSC-7准确测量大块晶体Pb在不同加热速度条件下的过热度，从而得出大块晶体Pb能够产生动力学过热。     

20CrMnTi结构钢热变形行为及其数学模型

利用Gleeble-1500热模拟实验机研究了20CrMnTi结构钢在温度为1223～1243K，变形速率为0．01～5s^-1条件下的热变形行为．通过奥氏体再结晶动力学回归计算了20CrMnTi的形变激活能，以及峰值应力与变形温度、应变速率之间的关系；提出采用加工硬化率-应变(θ-ε)图可以准确地判断该钢发生动态软化的类型，并可以确定动态再结晶开始和结束以及最大软化率时所对应的应变．给出了反映该钢动态再结晶进行过程的动态再结晶状态图，以及动态再结晶开始时间和完全再结晶时间与形变温度的关系图，并回归出了20CrMnTi钢的再结晶动力学方程．     

6H-SiC衬底上InN单晶薄膜的RF-MBE生长

采用射频等离子体辅助分子束外延(RF\|MBE)方法在6H\|SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟（InN）薄膜. 利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN的修正俄歇参数α′=852.76 eV和Wagner图,  InN的铟氮质量比为1.19; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明, 外延InN为网状结构, 表面无铟滴; X射线衍射测试表明, 薄膜为单一c轴择优取向生长, 其摇摆曲线半高宽为32.6 弧分; 室温光致发光峰中心位于1 575 nm处.      

硅量子点表面钝化的发光研究

通过第一性原理模拟计算发现,对硅量子点表面的钝化条件不同,引入的局域态也不同。我们分别用Si=0和Si-O-Si键对量子点表面进行钝化,在带隙中引入了局域态;而分别用Si—H和岛一OH键对量子点表面进行钝化,在带隙中没有引入任何局域态。结合硅量子点的制备实验和发光的检测,可以解释硅量子点在不同条件下的发光机理。     

动力学光度法及动力学荧光法测定痕量甲醛

在稀硫酸溶液中,基于甲醛对溴酸钾氧化吖啶红的显著促进作用,建立了测定痕量甲醛的动力学光度法及动力学荧光法．测定线性范围分别为0．1-4．8mg／L和0.01-0．32mg／L,检出限分别为37μg／L和4．7μg／L．用于室内空气、实验室及医院废水中痕量甲醛的测定,结果令人满意．     

壳聚糖对活性污泥动力学参数的影响

壳聚糖具有良好的吸附性以及生物降解性,作为一种天然高分子絮凝剂,具有絮凝效果好、无毒无害,不会造成二次污染等优点,在水质净化工艺中具有广阔的应用前景。以活性污泥为研究对象,在壳聚糖(分子量为50kDa、脱乙酰度85 %)添加质量浓度分别为0,15,25,35 mg·L^-1时,采用耗氧速率表征方法,测定计算了活性污泥的动力学参数:COD_Cr 最大比去除速率(v_mS)、COD_Cr去除半饱和常数(K_S)、氨氮最大比去除速率(v_mN)、氨氮去除半饱和常数(K_N)。结果表明,一定质量浓度的壳聚糖能导致活性污泥的v_mS及v_mN降低,K_S及K_N增大,对活性污泥降解COD_Cr和氨氮有抑制作用。壳聚糖的抑制作用受壳聚糖浓度的影响,但并不随之增大而增强,即存在最大抑制作用。当壳聚糖质量浓度为25 mg·L^-1时,抑制作用最强,而壳聚糖的絮凝作用则不受此影响。     

痕量钯的催化动力学光度法测定综述

按不同催化体系，从反应条件、灵敏度、测定范围和应用等方面综述了催化动力学光度法测定痕量钯（Ⅱ）的研究情况。