前馈单环功率放大器线性化技术的研究

在传统的前馈双环功率放大器线性化的基础上提出一种全新的前馈单环功率放大器线性化技术,它只采用一个前馈环来实现非线性误差信号的抵消.理论分析和实验表明,用前馈单环线性化技术对RF功率放大器进行线性化补偿,可以大大提高微波功率放大器的线性度,从而达到减小各谐波和互调分量的目的.     

前馈与Doherty技术结合的功放研究

将前馈技术与Doherty技术相结合,以满足功率放大器在效率和线性度方面的要求,同时对前馈系统幅度、相位、延时不平衡的影响进行了分析,就其效率因素和增强效率的方法进行了讨论;还分析了Doherty功率放大器中峰值放大器的栅极偏压(Vgs)和峰值补偿线长度对获得峰值效率点的影响,最后把用LDMOS管设计的Doherty功放作前馈系统的主功放,与平衡结构作主功放的前馈系统相比较,仿真结果显示IMD3达到-65 dBc时,其效率提高了5%.     

LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

LDMOS功率放大器热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模式的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应得偏置电路设计。实验结果证实了偏置电路的仿真设计方法的有效性。     

一种单环前馈线性化功率放大器及其性能分析

介绍了一种采用单环前馈线性化技术的射频功率放大器的电路结构及其工作原理,分析了幅度误差、相位误差和传输线延迟等因素对该放大器性能的影响,并利用专用的仿真工具进行仿真验证,结果表明,这种单环前馈功率放大器具有较低的幅度、相位和延迟的灵敏度,从而具备良好而稳定的线性化效果。     

SOI高压器件热载流子退化研究

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。     

异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真

对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.     

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.     

高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析

分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.     

基于传输线变压器的多载波功率放大器设计

文章设计了一种用于多载波广播发射的线性功率放大器,其功放管选用Freescale公司的增强型LDMOS功率场效应管MRF6VP2600 H;利用同轴线结构的传输线变压器(TLTs)与集总元件结合实现了高效的阻抗匹配;测试结果显示在88～108 MHz频段内的功率增益大于20 dB,三阶交调-20 dBc,满足前馈系统中...     

功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析

讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.