Al_2O_3掺杂对ZnO纳米粉体气敏性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO及掺铝ZnO纳米粉体.利用X射线粉末衍射仪、透射电镜对材料的结构进行了表征.结果表明制备的ZnO及掺铝ZnO纳米材料均属于六方晶系,纤锌矿结构.用纯ZnO和掺铝ZnO做成气敏元件,研究了不同掺杂量对材料的气敏性能的影响.结果表明,铝掺杂均使ZnO对体积分数30×10-6的Cl2的灵敏度有很大的提高,当铝含量为Al2O3/ZnO=0.5%(mol)时,对30×10-6Cl2的灵敏度最高可达800左右.并讨论了纳米氧化物的气敏机理.     

溶胶—凝胶法制备α—Fe2O3及其气敏性能研究

采用溶胶－凝胶法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３纳米材料，平均粒径在１０ｎｍ左右，并研究了α－Ｆｅ２Ｏ３的电学性能和气敏效应，发现掺杂降低了表面氧吸附－解吸活化能，提高了对还原性气体的灵敏度，据此推断α－Ｆｅ２Ｏ３气敏效应为表面控制型，并对其气敏机理加以探讨。     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

纳米级SnO2的合成及其气敏性能研究

以无机试剂为起始原料，加入少量溶胶形成助剂，采用溶胶－凝胶法合成纲米级ＳｎＯ２。     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

溶胶—凝胶法制备SnO2气敏薄膜的研究

以SnCl2.2H2O及乙醇为原料,利用溶胶－凝胶法制备SnO2纳米薄膜,探讨了制膜的工艺条件用XRD,SEM,TEM,AES以及XPS等研究了所得薄膜的结构性质,同时考察了薄的晶相结构、晶粒尺寸,表面形貌以及薄膜中元素的化学状态与热处理条件之间的相互关系。     

SnO2光透射率气敏薄膜的制备和研究

采用溶胶-凝胶技术，利用旋转涂膜法制备二氧化锡薄膜。结果发现，常温下在含有CO的气氛中光通过薄膜的透射率变大，对CO有较高的灵敏度。并对制备过程中出现的实验现象、制备机理及薄膜的结构和特性进行了分析和研究。     

用Sol-Gel法制备气敏传感器SnO2薄膜的研究

采用无机试剂（ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ）为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备研制气敏传感的ＳｎＯ２薄膜,研究了ＳｎＯ２薄膜的电阻随掺杂和温度的变化关系,并且用ＸＲＤ对ＳｎＯ２薄膜进行分析,结果表明,掺杂和热处理温度对薄膜晶粒尺寸的大小、薄膜的结构形态均有较大的影响,进而影响薄膜的电导及传感器的灵敏度。     

溶胶-凝胶法制备α-Fe_2O_3及其气敏性能研究①

采用溶胶－凝胶法制备了α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３纳米材料，平均粒径在１０ｎｍ左右。并研究了α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３的电学性能和气敏效应，发现掺杂降低了表面氧吸附－解吸活化能，提高了对还原性气体的灵敏度。据此推断α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３气敏效应为表面控制型，并对其气敏机理加以探讨。     

The Relation between the Sensitivity and HeatingVoltage of ZnSnO 3 Gas Sensor

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明,元件灵敏度随加热电压的变化而变化．当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时,灵敏度不变;当加热电压大于３倍ＶＨ０时,灵敏度降低,元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验,找出了气敏元件灵敏度降低的原因．     

水热合成ZnSn03截角八面体及其对HCHO气体的敏感性能研究

以醋酸锌为前驱物,采用水热方法在160℃水热条件下生成了具有规则几何外形的ZnSnO,多面体。利用XRD物相分析可知,该ZnSn03的物相属于AB03型钙钛矿结构。利用FESEM和TEM形貌观察可知,ZnSn03多面体具有截角八面体的几何特征,其径向尺寸为I-1．2μm,其平均直径约为500nm。以ZnSn03截角八面体为敏感材料,采用传统旁热式结构制成气敏元件,研究其对HCHO的敏感性能。结果表明,这种方法制备的纯ZnSnO,截角八面体微晶对甲醛具有良好的敏感特性。     

钛酸铅纳米陶瓷粉体的制备和表征

本论文以溶胶-凝胶法为基础,以醋酸铅(Pb(Ac)2)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)为原料,乙二醇甲醚为溶剂,制备纳米级钛酸铅粉末。钛酸铅干凝胶在400℃下热处理2h后,可以得到结晶程度很高的纳米级钛酸铅粉体。由衍射峰的位置确定晶体为四方晶系,由透射电子显微镜可以观察到粒子粒径在20～70nm之间。     

水热合成法制备高纯ZnSnO3纳米粒子

以醋酸锌((CH3COO)2Zn.2H2O)和四氯化锡(SnCl4.5H2O)为原料,采用有机碱四甲基氢氧化铵(N(CH3)4OH)作为矿化剂,用水热合成方法制备高纯钙钛矿型ZnSnO3纳米粒子,并采用XRD、TG-DTA、IR等分析方法表征产物的晶体结构和形态.结果表明:反应过程中存在着明显的晶型转化,反应温度和时间是合成高纯ZnSnO3纳米粒子的关键因素.反应时间的延长和温度的升高,有利于晶体的生长和晶形转化.前驱体Zn2+浓度的提高,有利于制备较小的ZnSnO3纳米粒子.     

ZrO_2(Y_2O_3)超细粉末的制备及其性能的研究

作者采用化学共沉淀法制备ZrO_2(Y_2O_3)超细粉末,在沉淀反应时添加表面活性剂作为分散剂.测试了粉末的物理性能,结果表明:表面活性剂吸附在沉淀物粒子上,有效地阻止了沉淀物粒子的团聚,所制得的粉末性能与乙醇处理工艺制得的粉末性能相近,这大大降低了氧化锆超细粉末的成本.     

In~(3+)掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏性能研究

以自制的SnO2和In2O3为原料,通过固相研磨法制得了一系列掺有In3+的SnO2纳米粉体,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段对材料的结构、形貌进行了测量和表征.将该材料制成气敏元件,采用静态配气法测试了材料的对Cl2,NO2,H2,H2S,乙醇,甲醛等气体的气敏性能.探讨了掺杂量、工作电压对SnO2粉体材料气敏性能的影响.研究发现:其中当掺杂In2O3的质量分数为3%时,元件在加热电压为3.5 V下对体积分数为30×10-6的Cl2的灵敏度达到3036,而对其他气体几乎没有响应或者响应很小,元件具有较好的响应-恢复特性,响应时间和恢复时间分别是3 s和8 s,最后简要讨论了SnO2对的Cl2气敏机理.     

CeO_2:Eu~(3+)发光粉的制备与光谱研究

通过高温固相反应法制备掺Eu3+基质为CeO2的发光粉系列样品,并对其做X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)检测.结果表明,在Eu3+掺杂浓度为0.2at.%～10at.%的范围内,Eu3+完全进入了CeO2的晶格,形成固溶体Ce1-xEuxO2;Eu3+的发射峰强度依赖于Eu3+的掺杂浓度,在Eu3+的含量为1at.%时最强,随后出现浓度猝灭.     

纳米SnO2对CO的气敏性能研究

利用以SnCl4为原料的化学共沉淀法、溶胶-凝胶法和以金属Sn粒为原料的溶解-热解法分别制备出纳米SnO2粉体,研究了不同方法制备材料对CO的气敏性能。采用XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明,采用溶解一热解法制备的SnO2粒径小于10nm,在180℃的工作温度下对0．1％的CO具有4．5倍的高灵敏度。     

La2O3/Al2O3/TiO2纳米复合粉体的制备及其耐温性能的研究

以TiCl4、La2O3、Al片为原料,采用液相共沉淀法制备了La2O3/Al2O3/TiO2纳米复合粉体,采用DSC-TG、XRD、TEM技术对该纳米复合粉体进行了表征.结果表明纳米TiO2粉体经La2O3掺杂和Al2O3复合后,其耐温性能得到显著提高,该复合粉体经900℃煅烧后,粒径在32nm左右,锐钛矿含量约为77.2%(mol%)     

纳米氧化镧的制备及性能研究

采用热分解法、溶胶-凝胶法和沉淀法制备了纳米氧化镧,并对其进行XRD、BET、TEM、CO2-TPD和O2-TPD表征.结果表明,由不同制备方法获得的纳米氧化镧都为六方晶相结构,但由沉淀法制得的纳米氧化镧的颗粒最小(30～50nm),由溶胶-凝胶法制得的纳米氧化镧的比表面积最大(20.8m2.g-1),因而这两种方法获得的纳米氧化镧具有较好的吸附氧能力.