Cr3+离子在Na3Li3In2F12石榴石中电子顺磁共振参量的理论研究

用Macfarlane的高阶微扰公式计算了Cr3+离子在氟石榴石Na3Li3In2F12中八面体晶位的电子顺磁共振(EPR)参量.计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据一致.     

LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO:Cu2+晶体的电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

钛酸铅晶体中3种Cu2+离子中心的电子顺磁共振研究

电子顺磁共振谱(EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等。在晶体场理论基础上, 采用高阶微扰方法, 通过分析电子顺磁共振谱参量,确定了压电铁电材料PbTiO3晶体中3种Cu2+离子中心的局域结构。目前, 对PbTiO3：Cu2+的EPR谱研究一般认为Cu2+离子在PbTiO3中只占据Ti4+位置。理论研究表明,除了传统认为的Cu2+离子占据Ti4+位置外, 杂质Cu2+离子还可同时占据Pb2+     

高温超导材料的电子顺磁共振理论研究

为了合理解释含稀土离子的高温超导材料的电子顺磁共振谱,从晶体场理论出发,给出晶体材料中稀土离子的微扰公式,阐述了高温超导材料中稀土Kramers离子的自旋哈密顿参量理论,并计算给出了稀土离子Re3+ 的电子顺磁共振（electron paramagnetie resonance,EPR）参量g因子和超精细结构常数A。计算结果与实验谱线符合较好,说明所采用的微扰公式和理论处理方法是有效和合理的。研究表明,对高温超导材料中Re3+的自旋哈密顿参量进行精确解释,通常应该考虑到二阶微扰项的贡献。     

ZnF2：Ni^2＋晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2：Ni^2＋晶体中的Ni^2＋-F^-键长与键角,证实了ZnF2：Ni^2＋晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明：ZnF2：Ni^2＋晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni^2＋离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2:Ni2+晶体中的Ni2+-F-键长与键角,证实了ZnF2:Ni2+晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明:ZnF2:Ni2+晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni2+离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF:Ni 晶体中的23(4 515 键长与键角,证实了 ZnF:Ni晶体的局域结构畸变的存在%研究结果表明,ZnF:Ni晶体与/01( 基晶的结构参数对比,发现掺杂23(4 离子的ZnF:Ni晶体分别产生了沿. 轴的伸长畸变和在,平面的压缩畸变.光谱和,-.参量计算的理论值与实验值非常接近.     

Fe(SPh)_4~(-2)中谱线结构的Jahn-Teller效应和零场分裂参量

Fe(SPh)4-2是一种局域近三角对称的八面体,Fe2 为中心离子.利用不可约张量理论,建立了3d4/3d6离子三角对称(C3*v)的完全能量矩阵.利用EPR理论获得零场分裂的理论公式,通过对角化完全能量矩阵的方法,计算了基态能级分裂与零场分裂参量(D,F-α),理论结果与实验一致.同时,该物质的光谱结构存在Jahn-Teller效应.     

氘化锂中Rh2+｛A｝中心g因子和超精细结构常数的理论研究

基于晶体场模型,建立了四角对称(压缩八面体)中4d7离子的各向异性g因子g‖、g⊥和超精细结构常数A‖、A⊥的微扰公式,并应用于氘化锂(LiD)中Rh2+｛A｝中心。考虑了立方场参量Dq、四角场参量Ds和Dt对g因子的贡献,以及芯区极化常数κ和杂质离子4d和5s轨道混合引起的缩小因子H对超精细结构常数的贡献。计算表明,理论与实验符合较好,对应的参量值分别为Ds≈-313cm-1,Dt≈-52cm-1,H≈0.502,即体系具有一定程度的四角畸变和中心离子5s轨道混合。     

MPO4 (M=Sc, Lu, Y) :Ti3+ 自旋哈密顿参量的理论研究

利用高阶微扰方法和完全对角化方法分别计算了MPO4 (M=Sc, Lu, Y) ：Ti3+的自旋哈密顿参量（g 因子 g// , g和超精细结构常数A//, A),两种方法的计算结果非常接近,并且均和实验值吻合的很好,这表明这两种方法都是研究过渡金属离子自旋哈密顿参量的有效方法。另外,还对所研究的三种不同材料的共价性和芯极化常数性质进行了讨论。     

LiTaO3：Fe^3＋（Mn^2＋）的EPR参量D与局域结构的研究

用晶体场理论研究了ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋（Ｍｎ＾２＋）的ＥＰＲ参量Ｄ和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合较好。结果表明,ＬｉＴａＯ３：Ｍｎ＾２＋局域结构的畸变程度大于ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋。     

畸变晶场迭加模型、二氯四吡唑镍(Ⅱ)物理性质研究

本文利用对称性与对称性线性迭加作为Ni2+离子的环境晶场，借助于强场完全能量矩阵和全组态混合EPR理论对Ni（pZ）4Cl2型路合物的吸收光谱、肖特基（Schottky）热容量和顺磁磁化率进行了统一计算和理论分析，理论结果与实验观测值符合甚好。从而对Ni（pZ）4Cl2的光、热、磁等物理性质作出了完整、合理的解释。     

Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

钇铁榴石中Fe~(3+)离子的吸收光谱和EPR零场分裂研究

本文在晶体场理论的基础上．用晶场自旋——轨道耦合矩阵对钇铁榴石（YIG）中Fe3+（3d5组态）离子的吸收光谱，基态分裂常数，零场分裂参量D进行了统一计算．所得结果与实验符合较好，说明自旋——轨道耦合作用是导致基态分裂的主要原因，解释了被认为是一个理论疑惑的Fe3+离子零场分裂参量D问题。     

氧和铝在氧化铝中的自扩散参数评估

评估了氧和铝在Ａｌ２Ｏ３中的自扩散参数,分析了其扩散机理．得出：（１）在１７７０～２１００Ｋ 温度范围内,氧分压不超过１．０×１０５Ｐａ时,杂质总含量为３０×１０－６～５００×１０－６,Ｍｇ,Ｔｉ含量低于３０× １０－６的未掺杂Ａｌ２Ｏ３单晶中,氧的自扩散系数与温度的关系式,氧分压和扩散方向对该扩散系数 值影响不明显．（２）在１９４３～２１７８Ｋ范围,多晶Ａｌ２Ｏ３中铝的自扩散系数在１０－１５到１０－１４ｍ２／ｓ之间, 扩散活化能为 ４７７ ｋＪ／ｍｏｌ．（３）单晶Ａｌ２Ｏ３中主要杂质为ＴｉＯ２和 ＭｇＯ,掺Ｔｉ将降低氧的自扩散系 数,增加铝的自扩散系数;掺Ｍｇ使氧的自扩散系数略有增加;其他杂质对氧和铝在Ａｌ２Ｏ３中的 扩散系数影响不大．（４）氧和铝均通过空位扩散．     

NH_4 Br:Cu~(2+)的EPR参量研究

用晶体场理论研究了3d9离子Cu2+在NH4Br中的EPR参量,采用半自洽波函数模型计算了NH4Br:Cu2+的二阶和三阶近似下的g因子和A因子,计算结果与实验符合;比较了NH4Br:Cu2+和NH4Cl:Cu2+的光谱实验值,发现它们的能级次序不同.