电阻箱零值电阻的误差分析

电阻箱是电磁学实验中的重要实验器材．实验中,计算实验误差时常常不考虑电阻箱零值电阻所引起的误差．而实际上,存放一段时间的电阻箱其零值电阻将大大超过原来的额定零值电阻．用这些电阻箱去做实验时,会对实验数据正确性造成一定影响．在用电阻箱代替高值电阻时,其影响比较微小可以忽略,而用电阻箱代替低值电阻时,电阻箱零值电阻造成的误差是比较大的,所以在实验中就要对其进行测量并修正.为了使电阻箱保持比较正常的零值电阻,必须按照正确的方法来保存电阻箱．     

万用表测电阻不能用减零误差法

用万用表测电阻时必须进行调零，否则，使用减零误并法会增加电阻测量的偏差。     

简讯

我校物理系超导研究组在高温超导材料研究中取得新进展,已于4月25日制成起始转变温度125K,零电阻84K的铊钡钙铜氧超导新材料,以后不断改进工艺,零电阻温度已提高到108K,並正在继续改近,他们采用了和国外报道的不同的材料和独创的工艺,除零电阻略     

基于零秒电阻拟合的电机绕组温升测试方法

为了解决直接测试电机绕组零秒温升存在困难的问题,基于零秒电阻拟合方法,对3种温升情况下的电机绕组温升计算理论进行了分析.采用线性最小二乘法确立了零秒电阻的拟合公式,利用金属电阻与温度变化的线性关系得到电机绕组零秒温升的计算方法,进行了温升试验和误差分析,并讨论了中小型电机绕组温升简化测试方法.试验结果表明,该测试方法有效,还可用于多种电机的温升试验测试.     

高频冶炼法制作超导材料工艺

采用高频冶炼工艺,我们已经制造出零电阻温度为90K～192K 的 Y—Ba—Cu—O 高温超导材料,其中,零电阻温度为148K 和192K 各出现一炉。取起始转变温度电阻的10—90%为超导转变宽度,普遢小于1K。高频冶炼工艺周期短,冶炼时间为10小时,降温时间为3小时。     

MF47型万用表电阻档电路的分析与仿真

万用表可以测量很多参数,如电压、电流、电阻等,它是一种多功能的测量仪表。MF47型指针式万用表常常被高校选为实习对象,其电阻档电路需要调零等过程,电路原理较难理解。为了提高教学效果,让学生更好的了解和掌握指针式万用表电阻测量电路的原理,本文首先对万用表电阻档电路进行理论分析,接着用Multisim软件对电路进行仿真分析,仿真数据验证了电阻档刻度是非线性的以及调零的必要性,形象直观的说明了万用表的电路原理。     

三点弯曲加载下YBCO电阻及K_(1c)特征研究

在300K和77K下,用三点弯曲方法测定了零电阻温度为79～85K的YBCO长条状超导试样的电阻压头位移曲线和平面应变断裂韧性K_(1c)。结果表明,77K下零电阻特性可以保持到完全断裂前瞬间,由K_(1c)得到的表面能比300K的高,高出的部分可被认为是应力诱导下的少量超导相变所附加的能量。     

万用表欧姆挡最佳调零电路设计

减小调零电路等效电阻的波动范围取决于调零电路中元件参数选择的是否恰当。本文对调零电路中的各元件参数进行了分析和选择，并对调零电路进行了最佳设计。     

Bi-Sr-Ca-Cu氧化物的高Tc超导电性

目前,不含稀土的两类(Bi系和Tl系)新型高Tc氧化物超导体正日渐引起国内外有关学者的高度关注。Tl系高于110K的超导相较易稳定,零电阻温度已达114K,然而Tl的昂贵(比稀土Y还贵几倍)及剧毒性(神经性毒物,致死量0.8g)不能不成为其致命的弱点。比较之下,Bi系材料无毒、价廉,更具前途,但迄今其零电阻温度却只有84～85K左右。显然,进一步提高Bi系超导体的零电阻温度必将成为人们研究的重要方     

太阳电池串联电阻与I-V曲线斜率的关系

太阳电池的串联电阻对其I-V曲线有显著的影响.串联电阻越大,I-V曲线在开路电压处偏离串联电阻为零的I-V曲线越大.偏离度可由开路电压处的斜率表示.开路电压处的I-V曲线斜率与串联电阻的相关关系可由I-V特性方程分析得到.     

Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y超导体的DSC研究

新型高T_c氧化物超导体Bi—Sr—Ca—Cu—O系,在100K以上呈现超导性,存在高T_c(～110K)相和低T_c(～80K)相,其零电阻转变温度(T_(c0))总是低于85K.适当掺Pb可以增强高T_c相,抑制低T_c相,降低烧结温度,提高零电阻转变温度.用固相反应法制得组分为Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y的超导体,零电阻温度为107K,稳定性较好。现以此样品作示差扫描量热(DSC)分析,并配合XRD分析,试图了解该体系的结构相变及其与超导电性的关系.     

新高温超导体Tl-Ba-Ca-Cu-O化合物

报导用高温烧结工艺研制出的高溫超导体Tl-Ba-C-Cu-O化合物,其零电阻转变溫度Tc为112K。     

交流电阻焊动态功率因数的实时解析算法

基于对交流电阻焊焊接变压器初级回路电压、电流信号的建模分析,提出电流过零导数比法测量电阻焊动态功率因数.采用微型Rogowski线圈直接检测电流过零导数,并在以DSP为核心的点焊质量实时监控系统中实现了动态功率因数的实时计算.电流导数信号实时检测技术和数学模型的简洁解析表达形式同时保证了该算法良好的实时性.试验结果证明,该算法是有效的.     

钇钡铜氧涂层的超导性

研制了一种钇钡铜氧涂层,并研究了它的超导电性.电阻测量表明在92 K附近涂层电阻急骤下降,所有样品的零电阻温度均高于77K,有的达到88.2K.交流磁化率的测量也观察到在电阻转变温区有明显的抗磁性.X射线衍射实验证明以氧化铝陶瓷为基体的涂层材料为单相YBa_2Cu_3O_(9-■)欠氧钙钛矿结构.     

(Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻-温度等电学特性的测试和分析,对(Ba,Sr)TiO     

基于PC机的温度控制系统的设计

设计一个利用8086PC 机实现多台电阻炉温度的自动巡回检测控制系统.该系统以8086为基础,以并行I/O接口8255A为核心,并配以适当的外围接口电路,实现对电阻炉温度自动检测与控制.设计了一种过零检测电路,利用硬件方法实现普通双向可控硅的同步过零触发从而实现功率可调.该控制系统具有电路简单、功能强、使用方便、测量控制精度高、工作稳定可靠、性价比高等优点.     

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂

用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。     

Nd2-xCexCuO4-δ晶体的生长及性质

为了从电子型超导体的角度探求高温超导体的机理,采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了高质量的Nd2-xCexCuO4-δ单晶,并由X射线衍射和扫描电镜证明了晶体是高质量的单晶.用物性测量仪在0～9 T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线.结果显示,样品零场下零电阻转变温度约为21 K,在80～150 K范围,电阻随温度的变化关系可以用幂指数关系R(T)～T2来描述,但是在低温区表现出N型反常行为.在起始转变温度以下有一个很大的电阻突起峰,且受到磁场的抑制.晶体表现为类重费米子系统性质.样品特征温度为23.1 K.     

我省已公布的专利简介(二十四)

实用新型名称:双电桥在线电阻测量仪分类号:G01R27/02 G01R17/00GG86200939本实用新型是一种在线电阻测量仪。它是在现有的惠斯顿电桥的基础上略加改进制成的。它利用三点接触的方法测量处于线路中的电阻,从而扩大了惠斯顿电桥的应用范围。该测量仪由调节电阻及检零仪表等组成。其测量原理是,利用4个调节电阻与被测电阻及其所在的网络组成二个电桥,当电桥平衡后,与被测电阻之一端相连的其它元件便相当于“断开”,因而可由调节电阻的读数求得被测电阻值。     

新高温超导体TlBaCaCuO系的研制

报导高温超导体 TlBaCaCuO 系的制备工艺与电磁测试的结果。实验证明,我们制备出了稳定的零电阻转变温度为112K 的新超导体。