MSnO3系气敏材料的研究：Ⅰ CdSnO3气敏材料的制备及？…

报道了ＣｄＳｎＯ３气敏陶瓷的制备及气敏特性。研究表明，微细ＣｄＳｎＯ３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

MSnO3系气敏材料的研究(Ⅱ)NiSnO3气敏材料的制备及特性研究①

报道了ＮｉＳｎＯ３气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅱ NiSnO3气敏材料的制备及特性 …

报道了ＮｉＳｎＯ气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

溶胶-凝胶法制备α-Fe_2O_3及其气敏性能研究①

采用溶胶－凝胶法制备了α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３纳米材料，平均粒径在１０ｎｍ左右。并研究了α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３的电学性能和气敏效应，发现掺杂降低了表面氧吸附－解吸活化能，提高了对还原性气体的灵敏度。据此推断α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３气敏效应为表面控制型，并对其气敏机理加以探讨。     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性

报道了ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体第三性能的研究。结果表明，含５％ＣｅＯ２和ＳｉＯ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的造反性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论。     

纳米WO3气敏材料的制备与表征

本用沉淀法制得了xwt%SiO2 WO3(x=3,10,15,20）纳米粉体，对其进行了XRD物相分析，以TEM观察其形貌并测得平均粒径，并与烧结法制得的纯WO3纳米粉体进行比较，结果表明：沉淀法可获得单斜晶系和三斜晶系共存的WO3纳米粉体，晶粒尺寸随SiO2掺杂量增加而减小，所得粉体粒径范围为20－30nm，粒度均匀。     

纳米CoTiO3的气敏特性

文章通过实验研究了纳米CoTiO3材料的气敏特性，结果发现纳米CoTiO3对C2H5OH非常敏感，而且选择性，响应和恢复时间也很好。利用表面吸附理论，文章分析认为纳米CoTiO3材料的气敏机理源于其极高的表面活性；气敏选择性则源于气体的稳定性和被吸附的量。     

提高气敏元件灵敏度及选择性的研究

通过向元件内掺入不同的杂质或在表面涂敷有机膜，提高了ＬａＦｅＯ３乙醇乙气敏元件 灵敏度，阐述了用Ｐ型γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件和Ｎ型ＬａＦｅＯ３气敏元件构成补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件，结果表明，上述办法提高了元件的灵敏度及选择性。     

复合氧化物气敏材料的制备与特性

用固相反应法及共沉淀法制备了ＬａＮｉＯ３系与ＬａＣｏＯ３系复合氧化物，讨论了掺杂ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３等对材料结构的影响．以及材料结构与气敏性质的关系，发现选择合适的掺杂物与掺杂量及适宜的热处理温度，可获得具有理想敏感特性的复合材料     

TiO_2/Cr_2O_3复合气敏陶瓷元件的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法,在Ti O2中掺入一定配比的Cr2O3,制得了Ti O2/Cr2O3复合粉体.通过采用传统的陶瓷传感器制备工艺,制备了旁热式烧结型陶瓷元件.分别在不同浓度的苯和甲醛气氛中,测试了陶瓷元件的气敏特性.研究了加热功率和湿度对陶瓷元件的灵敏度和初始阻值的影响.气敏测试结果表明,制备出的传感器对浓度范围为10～650ppm的苯和甲醛气体都有较好的响应,特别在10～100ppm浓度范围具有较良好的灵敏度.     

常温半导体气敏元件的研制①

简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。     

ZnSnO3气敏元件灵敏度与加热电压的关系

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明，元件灵敏度随加热电压的变化而变化，当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时，灵敏度不变，当加热电压大于３倍ＶＨ０时，灵敏度降低，元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验，找出了气敏元件灵敏度降低的原因。     

二氧化锡薄膜结构对光学气敏特性的影响￣①

研究了ＳｎＯ２薄膜的光学特性及有关光学参数的推导，建立了光学气敏的数学模型。较详细地研究了不同结构的ＳｎＯ２薄膜接触还原性气体后光透射率的变化，采用不同方法制备的ＳｎＯ２薄膜，由于结构不同，光透射率不一样，利用计算机对光学气敏的数学模型进行摸拟计算，其结果能很好地解释上述的现象。     

一种实现气敏元件互补增强原理的新结构①

提出了实现气敏元件互补增强原理的一种新结构，即Ｐ－Ｎ型半导体组合气敏元件理论分析表明，该Ｐ－Ｎ型气敏元件也可实现灵敏度的倍增，同时还给出了元件实际设计应满足的条件。     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响￣①

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌（Ｚｎ２ＳｎＯ４）气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μｍ，该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度，Ｚｎ２ＳｎＯ４材料有可能在可燃气体、选择性酒敏元件上取得应用。     

α—Fe2O3超微粒的制备及其气敏性能的研究

本文采用制备超微粒的方法制得α—Fe_2O_3,并用该材料制作成α-Fe_2O_3系气敏元件。由该材料及添加微量元素后所制作的元件对乙醇有良好的选择性和灵敏度。文中同时也讨论了不同加热功率、不同的电极材料对元件气敏性能的影响。并对α-Fe_2O_3的气敏机理作了扼要的讨论。     

ZnSnO3纳米粉体的制备及其Cl2气敏性能研究

以Sn粒和Zn粒为原料,在柠檬酸体系中,用溶胶凝胶法合成了纳米ZnSnO3粉体.用XRD、TEM对产物的组成、粒径大小、形貌进行了表征.结果表明:产物为平均粒径10 nm左右的圆球形颗粒.采用静态配气法测试了不同烧结温度下材料对氧化性气体的气敏性能,发现烧结温度为700℃的纳米ZnSnO3材料在最佳工作温度为360℃对体积分数为5×10-5的氯气的灵敏度高达1 973,而且对其他气体有很好的抗干扰能力.元件的响应恢复特性良好,响应时间和恢复时间分别为2 s和10 s.     

气敏材料的研究现状和发展趋势

纳米气敏材料的研究对提高气敏传感器的灵敏度、选择性、长期稳定性以及降低工作温度和缩短响应时间等方面有着重要的作用.对其研究和发展状况进行了介绍,并对发展趋势进行了研究.     

材料制备对H2S元件气敏特性的影响

用不同方法制备H2 S气敏元件 .将 (CH4) 5H5[H2 (WO4) 6]·H2 O重结晶热分解得到纳米WO3 材料 ,再掺杂ZnS以及Al2 O3 制得的气敏元件对微量H2 S气体具有较好的灵敏度、选择性和较快的响应恢复特性 .用X射线衍射仪分析了材料的微观结构 .