屏蔽对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别     

Ferromagnetism at 230 K in （Ba0.7K0.3）（Zn0.85Mn0.15）2As2 diluted magnetic semiconductor

We report the ferromagnetism with Cure temperature Tcat 230 K in a new diluted magnetic semiconductor(DMS)(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2isostructural to ferropnictide 122 superconductors synthesized via low temperature sintering.Spin is doped by isovalence substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is introduced by heterovalence substitution of K1+for Ba2+in(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS,being different from(Ga,Mn)As where both spincharge are induced simultaneously by heterovalence substation of Mn2+for Ga3+.The(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS shows spontaneous magnetization following T3/2dependence expected for a homogeneous ferromagnet with saturation moment 1.0μB for each Mn atom.     

用准规则溶液模型计算Ga—As—Ge系液相等温线

本文用电子计算机根据准规则溶液(quasi—regular solution)模型近似,计算了Ga—As—Ge三元系在800,900,1000,1100和1200℃的初晶为GaAs的液相等温线。计算结果和文献中实验测定值符合良好,它比前人报导的规则溶液(regular solution)模型计算值更为符合实验值,这对高温时尤为明显。     

砷化镓气相外延中不同形式的镓源对载流子浓度的影响

采用H_2/AsCl_3/Te/Ga体系,分别以被砷饱和的镓、高温合成的砷化镓锭以及低温合成的砷化镓块为源进行了掺杂外延试验,测定了用这三种源时气相中的As/Ga比;采用H_2/AsCl_3/Ga体系,用被砷饱和的镓和用低温合成的砷化镓块为源进行了不摻杂外延试验,指出以砷化镓为源具有不“吃”碲、“放”碲和气相中As/Ga比较为稳定的优点,从而可提高外延片载流子浓度的稳定性;而且As/Ga比较高,这有利于提高外延片的电子迁栘率?臀潞铣傻纳榛乜赏哂薪细叩拇慷?故用之作源较为适当。     

Ga4As4离子团簇的能量和结构畸变

采用全势能线性糕模轨道分子动力学方法（FP-LMTO-MD）,结合中性砷化镓团簇Ga4As4的已有结果,详细研究了Ga4As4离子团簇的能量和几何结构上的畸变．计算结果表明这些结构明显不同于中性团簇的对应结构,存在有较大的结构畸变．在砷化镓团簇中,和砷原子相比,镓原子更容易处在帽原子的位置上．     

污染土壤-芦竹-水体系中As,Cd,Pb和Zn的渗漏与迁移特征

在湖南某冶炼厂附近污染农田土壤上进行长期生态修复试验,通过连续采样研究土壤剖面不同深度渗漏水pH、水溶性有机碳(DOC)和重金属质量浓度等的变化,探讨污染土壤-芦竹-水体系中As,Cd,Pb和Zn的迁移行为。研究结果表明:与对照体系相比,芦竹修复体系下渗漏水中DOC质量浓度显著增加,As和Pb质量浓度明显降低;表层(0～25 cm)土壤剖面渗漏水中Cd和Zn质量浓度有下降趋势,但不显著;修复体系下渗漏水中As,Cd和Zn质量浓度达到地下水质量标准(GB/T 14848—93)Ⅲ类标准,而Pb质量浓度仅达到Ⅴ类标准;产后芦竹地上部年生物量约为4.5 kg/m2,对As,Cd,Pb和Zn的累积分别达0.03,0.04,0.21和0.17 g/m2;芦竹修复体系对污染土壤中As,Cd,Pb和Zn有一定的稳定和去除作用。     

Ga2As团簇结构及其电光特性的研究

利用密度泛函理论（DFT）B3LYP泛函方法,在6-31G^＊水平上计算研究了Ga2As,Ga2As^-和Ga2As^＋团簇的几何结构和电光特性,得到各团簇的基态和亚稳态结构,计算的团簇振动频率与实验结果吻合较好。分析结果表明,带电原子间的静电库仑作用变化使得离子团簇的基态结构发生畸变,进而影响了团簇的电光特性。     

HPLC-HG-AFS测定As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的方法研究

选用四丁基氢氧化铵作为As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的离子对试剂，优化了高效液相色谱的分离条件，在Pecosphere C18色谱柱上有效地分离了As(Ⅲ)和As(Ⅴ)．随后在氢化物发生原子荧光光谱仪最佳测定条件下，成功地测定了As(Ⅲ)和As(Ⅴ)，其精密度分别为6．8％和4．0％．为HPLC—HG—AFS联用在线分离测定做出了有益的探索．     

瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析

分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10~(16)cm~(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。     

用同步辐射光电子谱研究氧对GaAs-Al和GaAs-Au界面形成的影响

用同步辐射光电子谱研究了吸附于清洁的GaAs(110)解理面上的约0.7个单原子层的氧对Al—GaAs以及Au—GaAs界面形成的影响.初始淀积的铝(1ML)倾向于夺取As—O键中的氧,随后淀积的铝(>1ML)又从Ga—O键中夺取氧,形成Al—O键;Al的进一步增加使Al与次层GaAa的置换反应变得明显,其结果生成AlAs,同时被置换出来的Ga穿界面而出现在表面.微量的Au(<1ML)与O—GaAs之间只有微弱的相互作用.随后淀积的Au破坏As—O键并促使形成较稳定的Ga的氧化物,Ga的氧化物层阻止Ga进入Au,但不能阻止As分聚于Au层的表面.     

一株能耐受高浓度As(Ⅲ)菌株的耐As特性研究及耐受机制

对一株耐As菌株AS-01耐As特性以及耐As机制进行了初步的探索和研究,发现菌株AS - 01对As(Ⅲ)的耐受质量浓度最低能达到1 200 mg/L,对As(Ⅴ)的耐受质量浓度能达到1 600 mg/L以上;菌株AS -01对含As废水中含有的其他重金属离子如Cu2+、Zn2+、pb2+、Cd2+也有不同的耐受能力.通过扫描电镜( SEM)观察发现菌株在500 mg/L的As(Ⅲ)培养液中培养后,菌体细胞间有絮状颗粒物镶嵌;红外光谱分析发现-OH以及酰胺基团是细菌细胞壁上参与结合As(Ⅲ)的官能团.通过质粒消除实验证明该菌株的耐As性质与耐As质粒的存在有关.     

镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究

采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga Zn O样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性;其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,Ga Zn O样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,Ga Zn O样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4).     

拾金坡金矿床伴生元素特征

通过对拾金坡金矿伴生元素分布特征的研究,以了解含金石英脉中与金关系密切的伴生元素的分布及组合特征,通过在含金石英脉地表及钻孔不同深度取样分析,确定拾金坡金矿与金关系密切的伴生元素有Ag、Cu、Pb、Zn、As、Hg、Mo、Sb、Bi,含金石英脉中伴生元素组合为Au—Ag—Pb—Zn—As—Sb,赋矿部位伴生元素组合为Au—Ag—Pb—Zn—As—Cu,宏观特征表现为金属矿物含量较高,Ag、Pb、Zn为拾金坡矿床的贯通元素,Ag、Cu、Pb、Zn、As为拾金坡金矿的指示元素,金元素在垂向上有三个富集区间,矿体前缘元素组合为As—Sb—Hg—Bi—Mo—Cu,矿中元素组合为贯通元素;矿尾元素组合是在贯通元素的基础上迭加了前缘元素As—Mo—Hg—Bi,表明拾金坡金矿在深部仍有有金矿化存在,金矿化前景较好。     

半绝缘砷化镓的热反型研究

高压液封直拉法生长的未掺杂半绝缘GaAs和水平法生长的掺Cr的半绝缘GaAs二种样晶在有As气氛和没有As气氛保护下分别在真空封管中在740℃退火4小时后,电学测量发现有As气氛保护的GaAs表面未出现热反型,而没有As气氛保护的GaAs表面出现热反型层。光致发光谱测量发现在热反型的样品中并没有出现与Mn_(Ga)相连系的1.41eV发射峰,而是与C_(As)相连系的1.490eV发射峰强度在退火后大大增强。一系列实验表明在真空退火后SI-GaAs表面低阻反型层的产生可能是由于在热退火过程中表面产生的大量V_(As)向内扩散,使表面层中的Ci填充V_(As)形成C_(As),从而使表面层的C_(As)受主浓度增加,导致形成低阻反型层。     

热压铁氧体磁头材料的研究

研究了Mn—Zn和Ni—Zn系热压铁氧体的磁性和其他物理性能;磁导率温度曲线,磁谱,静态磁性(4πMs,B_(10),Hc,B_r)以及磁致伸缩λ_(11)和维氏硬度。观察了显微结构对热压铁氧体精密机械加工性能的响影。观测和讨论了机械加工和热处理对热压铁氧体磁性的影响。在系统研究的基础上,研制成功磁盘存贮器用的Ni—Zn热压铁氧体和录象机及计测磁带机用的Mn—Zn热压铁氧体。     

一维和晶Ga_xAl_(1-x)As体系声子色散关系

本文对一维和晶Ga_xAl_(1-x)As体系,在Ga、Al为各种组成情况下,用数值法研究了它们的色散关系,光学支和声学支,各有其相近的变化赴势。在光学支中以GaAs者为高,在声学文中以GaAs者为低。     

三元混晶核壳量子点中的光学声子模

采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了含三元混晶的球形核壳量子点中的光学声子模,选取GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnS/Zn1-xCdxS两种球形异质结构进行了数值计算.结果表明,含双模型三元混晶的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子点中存在五支界面/表面光学声子模,含单模型三元混晶的ZnS/Zn1-xCdxS量子点中存在三支界面/表面光学声子模,且两种结构中的界面/表面光学声子模频率随组分x呈现明显的非线性变化,当量子数l较小(l≤7)时,声子模的频率对混晶组分x和壳层厚度的依赖性较大.     

哈尔滨大气PM2.5中人为源元素化学组成特征及来源

应用场发射扫描电镜(FESEM)和电感藕合等离子(ICP-MS)技术对2007年哈尔滨市市区四季所采集的PM2.5样品进行了研究。图像分析和粒度分析表明:PM2.5的颗粒类型主要为矿物颗粒、飞灰颗粒和烟尘集合体,数量—粒度呈双峰分布,峰值出现在0.2～0.5μm和1.0～2.5μm之间。其中飞灰颗粒的数量占总颗粒数量的26%,体积只占颗粒总体积的3%,即PM2.5中细颗粒主要为飞灰颗粒。元素分析和富集因子分析表明,颗粒中所测的58种元素中有Cd、Sn、Tl、Te、Bi、V、Pb、Sb、Zn、As、Ag、In、Mo、Cu、Ga、Cr、W 17种元素在颗粒中得到富集,来自人为源,且燃煤源为主要贡献者。因子分析显示冶金排放、垃圾焚烧、汽车尾气源及动力与机电工业排放源也是明显的贡献者。     

异质结构液相外延中杂质的扩散行为

本文导出了异质结构液相外延中杂质扩散分布函数的一般形式,指出扩散PN结位置存在“退缩”效应,讨论了外延生长参数对PN结位置的影响,并与Zn在InGaAsP/InP液相外延中扩散PN结位置的实验结果做了比较。     

GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究

本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs_2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其实验结果表明这种自生氧化膜具有掩蔽杂质Zn扩散的性能,并用标准的平面工艺,以自生氧化物作掩蔽膜,试制了变容二极管。