功率晶体管的并联运用

引言 在晶体管功率放大器的维修或实验中,受器材等因素的制约,常采用晶体管(型号相同,参数相近。下同)并联运用的方式,以代换某个大功率管。但并不是简单地将若干个晶体管并接,就可以稳定地工作。本文仅对功率晶体管并联运用中应考虑的几个问题作一探讨。     

功率晶体管背面金属化研究

本文对比研究了磁控溅财、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明，采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻，减小饱和压降和改善在电流特性。特别是，间隙工作寿命试验超过38000次以上，达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。     

功率晶体管制造工艺的研究

本文提出了一种新的大功率晶体管制造工艺,这一工艺与传统工艺比较,特点是简单、没有黑胶污染、高效率和低成本.由这一工艺得到的产品比传统工艺得到的产品性能好.     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。     

一种功率晶体管自适应基极驱动原理

研究了采用微分变压器实现理想的隔离耦合，探测集电极电压实施运行监控与脉宽限流式保护；采用“贝克箝位“的原理实现临界饱和状态工作，探测输出电流的变化率，预报大电流的出现，实现无延迟的速断保护与短路运行，同时给出了ＧＴＲ理想的基极驱动电流的一种自适应的基极驱动的原理电路。     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施     

开关功率晶体管在电子镇流器中的应用

日光灯节能电子镇流器以其显著的节能效果,低压起辉,无频闪等一系列优点获得广泛的使用。近年来,国内不少厂家纷纷上马,掀起一股“电子镇流器”热。但是,也发现不少问题,其中可靠性不高是最头痛的问题。又据统计,损坏得最多的是开关功率晶体管,占75％以上。 目前国内生产的电子镇流器,一般如图一所示,图中BG1,BG2一般选用双极型三极管,如TIP50,MJE13005,BUTll。下面,我们就三极管损坏的几个原因进行讨论。     

教学中行星轮系功率流向的判断

行星齿轮变速器的功率流向的分析和判断被认为是难学的章节,本文采用行星轮系各构件受力处的速度(转速)方向和力矩方向的关系来判断行星齿轮减速器内部功率的流向及是否产生循环功率,易为学生掌握,收到良好的教学效果。     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

VMOS管全自动不间断逆变电源

本文介绍一种全自动不同断逆变电源，该电源的逆变电路简单、性能可靠，采用ＶＭＯＳ管作用功率输出级，逆变效率高，控制电路在市电接通时，对负载供电，同时对电瓶充电，充满自停，能实验市电和逆变电源供电的自动转换，设有电瓶充电过压和欠压保护电路，实现了全自动控制，可作为家庭小功率应急电源。     

横向槽栅双极晶体管的闩锁特性研究

提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管（ Ｌ Ｔ Ｇ Ｂ Ｔ） 结构．此结构可明显改善器件的闩锁效应．通过数值模拟，比较了 Ｌ Ｔ Ｇ Ｂ Ｔ 结构与 Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ 结构的闩锁电流密度大小，讨论了 Ｌ Ｔ Ｇ Ｂ Ｔ 结构闩锁电流密度与该结构的ｎ ＋ 和ｐ ＋ 阴极区域设计的关系．在相同５ 微米ｎ ＋ 阴极长度下， Ｌ Ｔ Ｇ Ｂ Ｔ 结构闩锁电流密度比 Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ 结构提高了７ ．７ 倍， Ｌ Ｔ Ｇ Ｂ Ｔ结构闩锁电流密度大小随槽栅与ｐ ＋ 阴极之间距离减小而增大．     

直流电动机使用功率晶体管斩波器调速的研究

本文就功率晶体管(Power Transistor简称PT)斩波器用于串激直流电动机调速,对其基本原理、电路结构、主电路波形作了理论分析和试验研究,说明将PT用于斩波器调速领域是可行的。并对用于调速技术的PT器件的耐压极限得到可靠的结论,可供设计斩波调速时参考。     

电阻焊晶体管电源的恒流充电系统设计

针对焊接电源储能电容传统充电方式的不足,设计了一种能够进行稳定高效充电的恒流充电系统。设计中,以dsPIC33FJ64GS610作为控制核心,采用PI控制算法,实现恒流控制。介绍了该充电系统的硬件电路设计、软件控制策略以及实验结果。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

多晶硅薄膜晶体管特性的研究商陆民，汤金榜（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）周然，杨辉勋（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（胜利油田，山东省东营市２５７０６１）用于大屏幕显示的液晶的驱动方式，可以分...     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。