双势垒结构中电子共振隧穿几率的研究

运用转移矩阵方法,研究双势垒量子阱中的共振隧穿现象,讨论了隧穿几率随势垒宽度、势垒高度以及势阱宽度的变化关系.结果表明当势垒宽度或势垒高度增加时,隧穿几率变小,且当势垒高度增加时共振峰向高能方向移动;势阱宽度增加时,隧穿几率也变小,且共振峰向低能方向移动.在保持势垒和势阱不变的情况下,随着入射能量的增加,共振峰向高能方向移动.     

量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著。     

In1—xGaxAs／InP多量子阱结构的LP—MOVPE生长

本文报导在低温，低压下，以三甲基镓（TMG），三乙基铟（TEI）为Ⅲ族源材料，100％砷烷（AsH3),100%磷烷（PH3）为V族源材料，用金属有机化合物气相沉积技术在（100)InP衬底上生长出In1-GaxAs/InP多量子阱结构材料，X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰，光致光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺雨效应而导致的PL谱。     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解

根据有效质量近似理论，采用无限深势阱模型研究了位于GaAs-Ga1-xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质，讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响，给出了某些波函数的有限形式的精确解，并考虑了系统与外加弱电场的相互作用，利用直接微扰法给出了一级修正波函数和二级能量修正。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％;势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.     

库伦场对量子阱中磁极化子性质的影响

本文研究了在外加磁场作用下库伦束缚势对量子阱中极化子性质的影响,通过数值计算得到：随着库仑束缚势和阱宽的增加极化子的基态能量逐渐减小,随着磁场强度的增加极化子的基态能量逐渐增加.阱宽越小,量子尺寸效应越显著.     

GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

GaN基量子阱结构在光电子领域具有较为重要的应用前景,理解其物理性质是加快应用的关键之一.研究了GaN基量子阱结构的光学声子特性及其电声相互性质,给出了GaN基量子阱结构中光学声子及其电声相互作用的基本理论,分析了影响界面光学声子的频率和电声耦合强度的相关因素,并对纤锌矿Al0.8Ga0.2N/GaN/Al0.8Ga0.2N,GaN/In0.8Ga0.2N/GaN对称单量子阱的界面光学声子及其电声相互作用的电声耦合强度进行了数值计算.结果表明,界面光学声子在长波区域色散较为明显,电声耦合强度在小波矢区域内最强.     

无限深运动边界球方势阱的压缩变换及其Berry相因子

对无限深运动边界球方势阱，通过引入压缩变换，可将含时运动边界条件化为稳定边界条件，该量子体系等价于一个质量为m电荷为q的粒子与电磁矢势相互作用的量子体系，求出了由于压缩变换而导致的Berry相因子。     

任意势能量子阱本征值有限元计算方法

本文提出了计算任意势能分布量子阱的有限元方法,该方法从Galerkin(伽辽金)有限元方法出发,采用三级线元作为有限元以及熟知的边界条件,即波函数及其一阶导数除以电子有效质量在边界处连续。通过计算GaAs/AlGaAs方型量子阱本征值证实了该方法的有效性。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究

以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。     

半导体量子阱共振隧穿特性分析

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性.利用电子波函数的连接条件,先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率,再利用转移矩阵方法得到电子通过双势垒的隧穿几率.所得结果能较好地解释半导体量子阱结构中的共振隧穿现象.     

Ioffe阱中的磁场结构

介绍了Ioffe阱的结构,借助毕奥*萨伐尔定律,对阱中的磁场构成进行了研究,得出了磁场的精确表达式.在许多理论研究中,中性粒子在阱中被囚禁的区域通常是近原点的,因此,一个多项式展开的技巧被利用,从而得到近原点条件下,理想Ioffe阱中场的近似表达,以便于进一步研究中性粒子在阱中的经典运动特性及量子运动特性.为此,简要讨论了具有磁矩的中性粒子在此阱中的相互作用势,并导出了在一定的近似条件下粒子的经典运动方程.     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

多维氢原子主量子数升降算符的归一化系数

提出了一种计算多维氢原子主量子数升降算符的归一化系数的方法.该方法利用算符运算和位力定理,计算得到k维氢原子归一化系数的普适表示式,进一步求得了径向方程的本征值和归一化的本征函数.结果表明,该方法很好地解决了径向方程无量纲变形后,其本征函数非正交的问题,并可直接得到归一化系数的一般表示式,当k=2和k=3时,得到二维与三维氢原子升降算子的归一化系数.     

多层超晶格结构的能级分裂

本文对多层超晶格结构的能级分裂作了理论分析,导出了能级分裂的简明表式.结果表明:对应于单量子阱的每一能级,构成多重阱时,将发生分裂.能级的分裂值与该能级值有关,同时也是构成超晶格的材料参数和几何结构的函数.把本文的理论结果应用于GaAs-Al_xGa_1-xAs超晶格结构的能级分裂计算,所得的数值与实验^[1]比较,基本符合.     

尺寸对铜纳米薄膜2p3/2 能级偏移的影响

结合断键理论(BOLS)和X射线光电子能谱(XPS)分析尺寸对铜纳米薄膜2p3/2能级偏移的影响.通过研究实验测得的XPS谱数据发现铜块体2p3/2的结合能为932.70eV,相对于铜单原子2p3/2的结合能931.00eV偏移了1.70eV.能级产生正偏移主要因为尺寸引起了键收缩,从而引起局域应变、量子势阱以及哈密顿量微扰的变化,最后导致了能级正偏移.事实证明我们可以利用配位数和化学环境来分析XPS谱,并进一步确定有关局域键长、键能、束缚能密度以及原子结合能等定量信息.