MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

分析了金属－绝缘体－SiC(MISiC)结构肖特基二极管（SBD）气体传感器敏感机理，通过将热电子发射理论与隧道理论结构，建立了器件物理模型。模拟结果表明，响应特性与金属电极类型，绝缘层厚度，气体吸收效率和温度有关。模型结果与实验符合较好。通过模拟，得到MISiC结构最佳绝缘层（SiO2)厚度应为１nm左右。     

氢敏传感器的开发研究

半导体氢敏传感器是一种新型气敏元件。它是以金属钯作为栅极，由Ｐｄ─Ｓｉｏ＿２─Ｓｉ构成的钯栅场效应管。本文研究了它的结构及性能，它可用于氢气的探漏与检测，也可间接地实现对其他气体如变压器油、煤气等含氢气体的检测与预报。     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究

作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极和,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性,结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化。通过与ＰＳ的电容,电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性。     

Ku波段肖特基二极管功率检波器的设计与制作

对作为功率探针的低势垒肖特基二板管检波器进行了微波特性分析,给出了大信号、小信号情况下的检波特性。并利用高频电磁场仿真软件对检波滤波器进行了仿真分析,得到了该器件的S参数,给出实际测试结果。设计中使用混合集成工艺将整个系统包括耦合结构、检波滤波电路置于矩形腔体内,实现了部件的小型化、重轻化。     

功率肖特基势垒整流二极管科技成果及产业化发展

功率肖特基势垒整流二极管属新型电子元器件,具有高速和大电流低正向压降等特点,将科技成果转化为产业化大规模生产,可满足日益增长的国内外市场需求。     

4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型.通过对肖特基二极管的正向特性在300～500 K的温度范围内的电流-电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作,同时表明热电子发射是其主要运输机理.     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析     

新型4H-SiC肖特基二极管的仿真与分析

设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件(Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件。     

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势.近年来随着器件的逐步商用,器件的可靠性问题成为新的研究热点.综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展,通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究,分析了器件性能退化机制.通过重复雪崩可靠性问题的研究,...     

基于6LoWPAN的传感器网络动态路由协议研究

无线传感器网络已经成为当今的热门研究领域之一,而如何将IPv6与传感器网络结合也成为其中的一个重要议题。IETF成立的6LoWPAN工作组,专门从事基于IEEE 802.15.4标准的IPv6协议栈研究工作,从而构建新型的无线传感器网络,其中路由协议是其研究的重要内容之一。对目前提出的两类6LoWPAN网络动态路由协议（Mesh结构与分级结构）进行了研究。     

基于IPv6的无线传感器网络应用设计

将IPv6引入无线传感器网络(WSN)并采用开放式体系结构是WSN的发展方向。提出了一种基于IPv6的WSN应用系统的实现方案,介绍了其符合IEEE802.15.4规范及IETF的6Lowpan工作组适配层草案的开放式体系结构,重点阐述了基于通用接口通信的应用层设计,最后通过一套智能家居控制实验系统表明,系统具有灵活性和移植性,有一定实际应用价值。     

生物法脱除硫化氢气体动力学模型的研究

研究采用以炉渣为填料的生物滴滤塔净化处理废气中的硫化氢,建立了相应的生物法脱除硫化氢的动力学模型,并确定出该模型的影响参数δ和k值。对比一定气体流量下,不同硫化氢进气浓度对应的硫化氢出气浓度、去除效率和生化去除量的实验值与理论值,其相关系数分别为0.999,0.995和0.963,表明实验值与理论值之间具有很好的相关性,从而验证了研究所建立的动力学模型对生物滴滤塔净化硫化氢的实际过程有很好的适用性。     

基于6LoWPAN的传感器网络动态路由协议研究

无线传感器网络已经成为当今的热门研究领域之一，而如何将IPv6与传感器网络结合也成为其中的一个重要议题。IETF成立的6LoWPAN工作组，专门从事基于IEEE802．15．4标准的IPv6协议栈研究工作，从而构建新型的无线传感器网络，其中路由协议是其研究的重要内容之一。对目前提出的两类6LoWPAN网络动态路由协议（Mesh结构与分级结构）进行了研究。     

三类Schottky群的Jorgensen数

Sato H定义了八类经典Schottky群以及Jorgensen数，通过讨论第Ⅲ，第Ⅵ和第Ⅷ类的Jorgensen数的不同形式，给出了这三种类型的相关定理及其证明。     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.     

植酸钛纳米材料固定酶制备过氧化氢传感器

利用植酸盐分子中磷酸基团与部分金属离子的强络合能力,通过微波合成法合成植酸钛纳米材料,并运用这种材料结合混合滴涂的方法将辣根过氧化物酶成功修饰到玻碳电极表面.运用紫外-可见光谱和电化学,实验结果证明了这种材料具有良好的生物相容性,有利于防止酶在固定化过程中生物活性的损害.此法制备的生物传感器实现了辣根过氧化物酶(HRP)和玻碳电极之间的直接电子转移,且对过氧化氢呈现出良好的催化还原作用,对H2O2检测的响应电流线性范围是6.67×10-7~4.73×10-5mol·L-1,线性相关系数R=0.9988(n=20),检测限为4.0×10-7mol·L-1(S/N=3),米氏常数(Kapp M)为0.036 mmol·L-1.所制得的生物传感器呈现出良好的重现性和稳定性.