激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化 ;通过对电导率 -迁移率谱的研究 ,发现激光退火能够消除辐射损伤 ,并激活注入杂质 .     

激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用ＹＡＧ脉冲激光器（脉宽为１０ｎｓ，波长为１．０６μｍ）对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火，分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化；通过对电导率－迁移率谱的研究，发现激光退火能够消除辐射损伤，并激活注入杂质。     

碲镉汞退火过程的电子结构变化的理论模型

本文提出了退火过程中碲镉汞电子结构变化的理论模型,并根据此理论模型建立了理论公式.由理论公式经计算得出的理论曲线与实验曲线很好地吻合,从而证明了理论模型的正确性.     

As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究

用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合(MEPMS+MCF)的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS+MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。     

碲镉汞吸收缘以上E1和E2峰的指认

用紫外可见分光光度计测量了碲镉汞样品的反射谱,在基本反射区有两个主要反射峰Ｅ１和Ｅ２,Ｅ１峰分裂为双峰结构．利用电子跃迁的量子理论,指认Ｅ１峰为〈１１１〉方向Λ４,５→Λ６的跃迁;Ｅ１＋Δ１峰为〈１１１〉方向Λ６→Λ６的跃迁;Ｅ２峰为〈１００〉方向Ｘ７→Ｘ６的跃迁．计算结果与实验结果相符     

碲镉汞吸收缘以上E1和E2峰的指认

用紫外可见分光光度计测量了碲镉汞样品的制造反射谱，在基本反射区有两个主要反射峰Ｅ１和Ｅ２，Ｅ１峰分裂为双峰结构。利用电子跃迁的量子理论，指认Ｅ１峰为〈１１１〉方向∧４，５→∧６的跃迁；Ｅ１＋△１峰为〈１１１〉方向∧６→∧６的跃迁；Ｅ２峰为〈１００〉方向Ｘ７→Ｘ６的跃迁。计算结果与实验结果相符。     

碲镉汞纳米材料与器件的LBIC检测技术

介绍一种可用于红外碲镉汞(HgCdTe)材料与器件研究的高分辨率、无损伤光学检测方法——激光诱导电流(LBIC)技术.该技术可以描绘出碲锅汞薄膜材料中具有电活性的缺陷分布图,也可以无须为列阵中的每个像元制作电极就用于探测器像元的检测.利用得到的数据可以推算出p-n结的扩散长度、结深和探测器的品质因子(R0A)及均匀性等许多参数.给出了碲镉汞一些典型参量的LBIC理论与实验结果,说明LBIC检测技术对碲镉汞材料与器件的特性表征起到了十分重要的作用.     

碲镉汞外延晶膜的不稳定性

通过在不同日期，相同测试条件下霍尔测试同－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ外延晶膜的电学参数，发现其电学参数随时间的不同而不同。根据Ｐｅｔｒｉｔｚ＾「１」的双层模型用计算机进行曲线模拟可知，此晶膜正由半导体向半金属转变，这一点已被扫描电镜所证实。     

激光生物压力效应的理论

激光生物压力效应,是一种很重要的激光生物非热效应。激光生物压力效应包括辐射压力,电致伸缩压力,汽化压力,冲击波压力,内部汽化压力等。我们不但对这些压力效应,进行了全面的,深入、系统的定量分析研究,而且对激光生物压力效应在治癌中的作用也作了简要的论述。     

激光功率密度比拟标定法研究

提出用比拟法标定激光功率密度计的原理，消除了直接测量所引人的系统误差使测量误差〈２％。     

激等离子体线状光谱的辐射机制和时间演化过程分析

利用波长为1064nm、脉宽为10ns的脉冲激光烧蚀Hg0.8Cd0.2Te晶体表面,由光学多道分析仪（OMA）记录其激光等离子体的时间分辨光谱．通过对等离子体线状谱的演化分析得知：等离子体的膨胀过程是一个原子不断被激发的能量交换过程;线状谱的发射机制是碰撞激发．     

铝合金激光熔覆的最佳能量密度选择

铝合金密度小、熔点低、为了把较高熔点的耐磨合金层熔覆到其表面上，而又不让界面上的熔铝上浮以损害涂层强度，激光重熔的能量密度选择十分重要，这里用一系列能量密度进行了重熔试验，对其重熔层的性能，组织，成份及表面状况进行测试和分析，研究了铝合金基体上熔覆Ｎｉ－Ｃｒ层时激光能量密度对熔覆层质量的影响。     

MeV高能B离子注入Si的退火

报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p~+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义.     

离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究

给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10~(15)cm~(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10~(16)cm~(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.     

准分子激光诱导等离子体中镁原子及离子发射光谱线的实验研究

本文报道了用准分子３０８ｎｍ激光烧蚀固体镁靶产生的低温微等离子体，用光学多道分析仪测量了等离子体中镁原子及离子的发射光谱线的Ｓｔａｒｋ展宽与延时及缓冲气体压力之间的关系，由此讨论了激光等离子体的电子密度随时间演化的特性及缓冲气体压力对激光等离子体特性的影响。     

后续热处理对激光熔铸层残余应力的影响

本文在镍基合金ＤＺ４上激光熔铸钴基合金层，研究了后续热处理温度对熔铸层残余应力、显微硬度和金相组织的影响。结果表明，在低温退火处理时，可部分地消除熔铸层中的残余应力，而熔铸层组织和显微硬度并无明显变化；在高温退火处理时，熔铸层大部分应力得以消除，但熔铸层显微硬度下降，同时，熔铸层枝晶组织开始碎化。     

Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成

用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现，当注量均为５×１０＾１７ｃｍ＾－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ．ｍ＾－２时，方块电阻Ｒ口最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ．ｍ＾－２时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认，当用０．５０Ａ．ｍ＾－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现，对０．２