离子晶体外表面Feynman极化子

本文采用Feynman路径积分方法讨论离子晶体外表面极化子,计及垂直于表面方向的运动,用变分法计算了极化子基态能量。     

强耦合表面磁极化子的温度效应

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符法，研究了磁场中强耦鸽有面极化子的性质，得到了有限温度下强耦合表面极化子的自陷能，并对ＡｇＢｒ晶体进行了数值计算。结果表明，磁场中强耦合表面极化子的振动频率和自限能随温度的升高而减少。     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

表面极化子的基态能量

本文研究极性晶体中表面电子与在面光学声子相互作用的性质，采用微扰法导出表面极化子的基态能量．在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对表面极化子性质的影响，结果表明，反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对表面极化子的自陷能的影响随耦合常数ａ＿ｓ的增加而加大．     

压电晶体中表面极化子的性质

研究了压电晶体中表面极化子的性质．首先用微扰法导出了压电晶体中表面极化子的有效哈密顿量，有效质量以及电子-表面声学声子作用的有效势，进而用变分法计算了表面态能量．研究结果指出：表面极化子的自陷能、有效势和有效质量不仅与压电常数、质量密度、声速、声子的德拜波数有关，而且也与电子至表面的距离有关．随着电子远离晶体表面，有效势、有效质量逐渐减小．压电晶体中电子-声学声子作用诱生的有效势是库仑型的，它使电子的能级降低，形成表面态．     

量子阱中极化子基态自陷能的耦合求解方法

用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题．只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献．作为例子,对ＧｓＡｓ／ＡｌＡｓ量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析．与先前的结果相比,当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能．     

量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响(英文)

采用变分法研究了量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响.计算中考虑了电子与体纵光学声子和表面光学声子的相互作用.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,发现极化子基态能量随量子点半径的增加而单调增加,随电场强度的增加而单调减少.电子-声子相互作用增强了斯塔克能移.极化子自陷能随量子点半径及电场强度的增加而增加.量子点量子阱结构的尺寸对极化子斯塔克能移有显著影响.     

多原子晶体中强耦合表面极化子的声子平均数

研究多原子晶体中强耦合表面极化子的性质．采用Tokuda改进的线性组合算符和幺正变换方法导出了表面极化子的振动频率和声子平均数，讨论了多原子晶体中强耦合表面极化子的振动频率和声子平均数与拉格朗日乘子u和电子一声子耦合参数α的关系．结果表明：表面极化子的振动频率λ和声子平均数N随耦合参数α和拉格朗日乘子u的增加而增加．     

磁场中的强耦合表面(或界面)极化子

采用动量和坐标的线性组合算符,同时考虑体内及表面纵光声子与电子的相互作用,计算了磁场中的强耦合表面(或界面)极化子的基态能量、有效质量。结果表明:表面(或界面)极化子基态能量在磁场较弱时,随磁场抛物线性增大。而当磁场较强时随磁场线性增大。对于中间磁场,对表面极化子的基态能量和有效质量作了数值计算。其结果对于解释表面极化子在磁场中的行为是有帮助的。     

极性半导体中的表面极化子

有不少极性半导体,电子与体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声子的耦合强。本文研究这类半导体的表面极化子,早出了表面极化子的有效哈密顿量、基态能量和有效作用势。     

强耦合表面极化子的基态能量

研究了强耦合表面极化子基态的性质 ,采用Landau -Pekar变分法计算强耦合表面极化子的基态能量 ,讨论基态能量与电子—声子耦合常数的依赖关系     

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作。在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学(SA)声子系的哈密顿量出发，用线性组合算符和么正变换法研究与S0和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质。在第二节中研究了与S0声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率，诱生势和有效质量的性质。在第三节中研究了与S0声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应。在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和η的变化规律。在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、诱生势和有效质量的影响。     

离子晶体外表面极化子的回旋共振

本文讨论离子晶体外表面极化子在磁场中的回旋共振。在中耦合小磁场情况下,得到了回旋共振的Landau能级。由于表面镜像势的作用,还出现了一维类氢原子能级。     

表面极化子的内部激发态

研究了表面极化子内部激发态的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算表面极化子的第一内部激发态的能量,讨论激发态能量与电子一声子耦合常数的依赖关系。     

二维晶体中的声激子

本文采用Huybrechts研究极化子提出的线性组合算符方法,讨论了晶体中表面激子和表面声学声子的相互作用,导出了强、弱耦合下表面激子的有效哈密顿量。发现自陷能与电子和空穴的质量比和瑞利波速有关。     

二维晶体中的声激子

本文采用Huybrechts研究极化子提出的线性组合算符方法,讨论了晶体中表面激子和表面声学声子的相互作用,导出了强、弱耦合下表面激子的有效哈密顿量。发现自陷能与电子和空穴的质量比和瑞利波速有关。     

磁场中液氦薄膜上的二维极化子

一、引言有许多作者相当关心局域于液氦外表面上电子的研究。其中,Jackson等将二维液氦外表面上的电子作为极化子问题表示,并用电子与涟波子(ripplon)的耦合常数α以及涟波子的截止波数(用毛细波数κ_e示)来描述该系统的特性。但迄今为止,对磁场中液氦表面上电于运动的研究为数甚少。为此,本文采用     

形变势表面极化子的重正化质量

本文采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量。讨论了极性半导体中表面极化子重正化质量的性质。     

膜厚对三元混晶双层系中声子极化激元模的影响

采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄膜系统中的表面和界面声子极化激元的影响.以GaAs/AlxGa1-xAs双层系统为例,获得了其中表面和界面声子极化激元作为膜厚之函数的数值结果并进行了讨论.结果指出:在双层系统的六支表面和界面声子极化激元模中,当两种薄膜材料的厚度均变化时,只有三支界面声子极化激元的频率随之变化,而另外三支表面声子极化激元的频率则几乎不变.而当只有其中一种薄膜材料的厚度发生变化时,则只对其与另一种薄膜材料界面处且位于此种材料的纵横光学声子频率区间内的界面极化激元的频率有影响,而对其他的表面和界面极化激元的频率则没有太大的影响.     

考虑Rashba效应自组织量子点中极化子性质

在对半导体量子点的研究中考虑自旋一轨道相互作用对极化子基态能量的影响．采用LLP变分的方法研究了电子一声子相互作用．结果表明声子对极化子基态能量起了很重要的作用,而且由于极化子分裂能对极化子基态能量的贡献很大,故在量子点中研究极化子性质时不可忽略极化子分裂能的影响．自旋分裂能随动量增加呈抛物线型增加．随Rashba自旋轨道耦合常数的增加极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情况,而两个分裂态中自旋向下的能态更稳定．Rashba效应不可忽略．