多晶铁电半导体晶界处的肖特基势垒

本文从自发极化对表面态电荷屏蔽的机制出发,讨论多晶铁电半导体晶界处肖特基势垒的特征,并作了数值估算.由此得出的结果,对理解多晶铁电半导体中的PTCR效应是有益的.     

肖特基势垒和欧姆接触

用能带结构的观点分析了金属和半导体相接触的机理，并简要介绍了肖特基二极管的构造及应用。     

宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制

采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .     

基于PSPICE的肖特基势垒光电探测器的模拟

通过PSPICE对金属-半导体-金属光探测器(MSM-PD)进行晶体管级的电路模拟,分析了以E.Sa-no模型为基础的MSM-PD的电学特性.通过改变模型参数模拟了MSM-PD器件的直流、交流和瞬态特性,为高性能器件设计研究提供了一个新的方法.     

环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型

肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

分析非晶硅肖特基势垒剖面的一种新方法

本文提出一个关于非晶硅肖特基势垒(α—Si.S.B.)剖面的新的分析方法。其出发点是分布函数g(E)在整个迁移率隙中的连续性。由此,可导出一个新的物理量,即“隙态有效密度”g(E_i~n);并可证明:对未掺杂非晶(α—Si(u)),g(E_i~n)大约是2～2.5×10~(17)cm~(-3)·ev~(-1)根据隙态有效密度,势垒区泊松方程可以解析求解,其空间解是指数函数。我们计算了势垒区所有基本参数,发现其中有些量(比如势垒宽度)灵敏地依赖于“势垒有效起点”的选取。因此,我们预料势垒剖面参数的理论计算值会有一定程度的分散。     

阶跃指数衰减势垒和平方势垒中的量子反射

采用转移矩阵方法(ATMM)得到精确的透射和反射系数,并且把它应用到高于势垒高度的量子反射问题中.通过计算阶跃指数衰减势垒和平方势垒,发现用ATMM得到的结果要比用WKB近似法得到的结果精确.当粒子入射能量高于势垒高度时,ATMM仍然能够精确得到结论;而WKB对此无能为力.计算结果显示反射率是一个渐变过程,说明其中发生了量子反射,而ATMM恰恰可以用来解决这类问题.     

功率肖特基势垒整流二极管科技成果及产业化发展

功率肖特基势垒整流二极管属新型电子元器件,具有高速和大电流低正向压降等特点,将科技成果转化为产业化大规模生产,可满足日益增长的国内外市场需求。     

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.     

氧化物纳米线肖特基势垒的输运特性及光电器件研究

基于一维半导体纳米材料发展新型纳米光电器件是纳米科技研究中的重要领域.近年来纳米线肖特基势垒的输运特性及其在光电器件方面的应用受到研究人员的广泛关注.本文中,对氧化物纳米线肖特基势垒的研究背景以及我们近年的研究进展进行评述,主要包括以下三个方面:(1)氧化物纳米线肖特基势垒的输运特性研究;(2)氧化物纳米线肖特基势垒输运特性的调控方法探索;(3)基于氧化物纳米线肖特基势垒的光电器件研究.     

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响

为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器...     

电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系

电解液电反射(EER)光谱技术,工艺简单,易于实现,并且具有很高的灵敏和分辨率,因此长期以来在研究半导体材料特性方面得到了广泛的应用,例如,半导体的能带结构、光学性质、合金组分等。利用电反射光谱检测化合物半导体材料掺杂浓度的空间分布均匀性也获得了令人满意的结果。但是,这种方法在测量绝对掺杂浓度上遇到了困难,因而至今尚未得到应用。     

粒子隧穿任意形状势垒透射谱的计算

借助转移矩阵法,用数值计算研究了量子力学中粒子隧穿通过任意形状势垒的透射谱,给出了相关的数值计算方法.     

金属／n型半导体（Au／n—GaN）肖特基势垒的研究

材料Au/nGaN在600度温度淬火后，利用电流－电压测量，XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒，电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1．24eV,1.03，理想因子为1．12的势垒最大高度为1．35eV，XPS数据表明：600度温度的淬火导致能带向上弯曲0．35eV，随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲0．25eV，我们的结论可以用Cowley-Sze模型来解释，结合表明，在GaN表面有受主态密度。     

原位可见紫外反射谱研究电沉积AgInSe2薄膜上的电化学振荡现象

研究了电沉积制得的AgInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为，借助现场紫外一可反射谱观察分析了振荡期间的薄膜表面的变化，对影响该振荡行为的一些因素如溶液组成，传质，光照等进行分析，为银铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器提供了一定的理论和实践基础。     

原位可见紫外反射谱研究电沉积AgInSe2薄膜上的电化学振荡现象

研究了电沉积制得的 Ag In Se2 半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为 ,借助现场紫外可见反射谱观察分析了振荡期间的薄膜表面组成的变化 ,对影响该振荡行为的一些因素如溶液组成、传质、光照等进行分析 ,为银铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器提供了一定的理论和实践基础 .     

FBG横向受力反射谱的仿真研究

采用传输矩阵法对FBG横向受力的反射谱进行仿真。当FBG横向受力时，x、y偏振方向的折射率变化不同，引起双折射，其反射谱发生分裂，分裂点随力的变化发生周期性的移动，分裂点的反射率与受力的位置有关，当受力位置越接近光栅中部位置时，反射率越低。