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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 89 毫秒
1.
采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理.保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响.适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大.保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小.研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332 V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1 μA.  相似文献   

2.
采用复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X线衍射对其显微组织和相成分进行分析,探讨复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理.研究结果表明:复合稀土掺杂可提高压敏瓷的综合性能,复合稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律;Sc2O3和La2O3复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随La2O3掺杂量的增加,电位梯度增加;在相同的La2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数增加;当掺杂0.12%(摩尔分数)Sc2O3,0.12% La2O3时,复合稀土掺杂氧化锌压敏瓷的电性能达到最优,电位梯度为325 V/mm,非线性系数为34.8,漏电流为0.19 μA.  相似文献   

3.
采用传统固相法制备掺杂Nd2O3和Sm2O3氧化锌压敏陶瓷.采用X线衍射、扫描电镜和压敏电阻直流参数仪对其相组成、显微组织和电性能进行研究.研究结果表明:复合稀土掺杂有利于提高压敏陶瓷的综合电性能.掺杂Nd2O3和Sm2O3氧化锌压敏陶瓷,在固定Nd2O3含量时,随Sm2O3掺杂量增加,样品的平均晶粒尺寸从5.32μm减小到2.91 μm,电位梯度从389.3 V/mm增加到959 V/mm,非线性系数呈先降后升的变化,漏电流密度在0.44~8.66 μA/cm2之间变化.掺杂(摩尔分数)0.25% Nd2O3和0.50%Sm2O3氧化锌压敏陶瓷的电性能最优,电位梯度为959 V/mm,非线性系数为36.7,漏电流为2.25μA/cm2.制备的压敏陶瓷有望用于高电位梯度避雷器.  相似文献   

4.
综合比较工厂试验结果得到的微观结构和电气参数的差异,优化得到了适合作为高电压梯度ZnO电阻片的配方和工艺。研制的ZnO电阻片在1135。C电压梯度达到330V/mm,最小漏电流IL4uA。并研究了其致密化过程,运用SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。  相似文献   

5.
用普通的电子陶瓷工艺制备了PbO-SrO-BaO-Nb2O5(PSBN)系统民陶瓷,研究了PSBN系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系,XRD分析表明:PSBN系统铁电陶瓷的主晶相是Pb0.7Ba0.3Nb2O6(PBN)、Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN)和Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78(BSN),将这一复杂的化学系统看作三元系固熔体,其中PBN、SBN和BSN各相比例随烧结温  相似文献   

6.
采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410V·mm-1非线性系数为38.0,漏电流为0.58 μA.  相似文献   

7.
采用固相法制备BaTiO3陶瓷,研究了烧结温度和烧结升温速率对陶瓷试样晶体结构、微观形貌、介电性能的影响。实验表明,所制陶瓷均为四方相钙钛矿晶格结构。烧结温度低会造成较多点缺陷,随烧结温度的增大,晶体均匀度和致密性有效提高,晶粒尺寸增大有助于促进畴壁运动,介电性能有所提升。烧结升温速率过慢同样会造成点缺陷浓度增多,且有液相生成,气孔较多,气孔含量高会降低介电性能的稳定性、减小介电常数、增大介电损耗;提高升温速率同样有助于提高晶粒尺寸、均匀度和致密性,当晶粒尺寸到达单畴晶粒尺寸附近时,内应力为0,90°铁电畴贡献高介电常数;但过快的升温速率会出现“过烧现象”,致使介电性能下降。当以5℃/min的烧结升温速率升温至1 275℃时,介电常数最大,介电损耗最小,其值分别为ε=2 374,tanδ=0.023 18。  相似文献   

8.
反应烧结碳化硅的显微组织   总被引:5,自引:0,他引:5  
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明:选用α-SiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的WC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为毛坯,反应烧结碳化硅的显微组织特点是C/SiC反应生成的碳化硅颗粒均匀细小,并呈线状分布在游离硅中,浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。X射线衍射结  相似文献   

9.
代礼彬  张谊  梁烛  张瑜 《科技资讯》2012,(21):74-76
分别采用La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm3,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。  相似文献   

10.
烧结温度对细晶粒Ti(C,N)基陶瓷组织和性能的影响   总被引:4,自引:1,他引:4  
采用真空烧结工艺制备超微、纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷.研究了烧结温度对超微、纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷的显微组织、性能的影响,并用SEM观察试样的断口形貌.结果表明,随着烧结温度的升高,陶瓷材料的显微组织逐渐变得均匀致密,晶粒长大不明显,环形相逐渐变得完整;当烧结温度超过1450℃,晶粒会明显长大,环形相变厚、变脆,导致材料的性能下降.进一步分析表明,超微和纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷的最佳烧结温度分别为1410℃、1450℃.  相似文献   

11.
CaCu3Ti4O12 ceramic with a giant dielectric constant was synthesized by sol-gel method and sintered in three different sintering conditions: 1 035 ℃ for 48 h, 1 080 ℃ for 3 h and 48 h. The phase of the ceramics, the element distribution, the valance state of Ti ions at grain boundaries, and the electrical properties were characterized via X-ray diffraction(XRD), energy dispersive X-ray analysis(EDAX), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), electrical conduction and dielectric measurement. The results demonstrate that the grain-boundary microstructure and the electrical properties are influenced by sintering conditions: 1 By raising sintering temperature, the Cu-rich and Ti-poor grain boundary was formed and grain resistivity was decreased. 2 By prolonging sintering time, the content of Ti3+ near the grain boundary increased, leading to the decrease of the grain-boundary resistivity and the increase of the activation energy at grain boundary. The ceramic, sintering at 1 080 ℃ for 48 h, exhibited a small grain resistivity(60.5 *cm), a large grain-boundary activation energy(0.42 e V), and a significantly enhanced dielectric constant(close to 1×105 at a low frequency of 1×103 Hz). The results of electrical properties accord with the internal boundary layer capacitor model for explaining the giant dielectric constant observed in Ca Cu3Ti4O12 ceramics.  相似文献   

12.
La2O3掺杂的TiO2电容—压敏电阻器特性研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
为改善TiO2电容-压敏电阻器的非线性,文章通过添加少量La2O3,使其非线性系数得到提高,并对其原因进行了分析.结果表明,La2O3添加剂可提高材料晶界势垒高度,从而提高了其非线性系数.  相似文献   

13.
利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料,详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因,用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压,压比和漏流,并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析,测试结果表明:在适合掺杂范围内,Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高,且漏流IL随掺杂量的增加减小,超出这一范围后,样品的电学性能将会恶化,物相分析表明在添加Bi2O3,Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中,存在ZnO相,Bi2O3相,Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。  相似文献   

14.
气氛烧结对95氧化铝陶瓷机械性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
在添加少量TiO2、Cr2O3和Fe2O3对95氧化铝陶瓷性性的基础上,着重研究了不同的合成温度,烧结气氛和烧结温度对陶瓷机械性能和显微结构的影响,并对其机理进行了初步的探讨,研究表明氢气氛中1350℃2h烧成的样品的体积密度达3.95g/cm^3,表面洛氏硬度为92(HR15N),抗折强度大于200MPa,表面光洁度为△11,能满足柱塞的使用要求。  相似文献   

15.
采用传统固相合成法制备了铋层状结构CaBi2Nb2O9压电陶瓷,研究了烧结温度对样品相结构、微观形貌、密度和介电、铁电性能的影响。采用X射线衍射衍射仪、电子扫描电镜、拉曼光谱、介电温谱以及电滞回线对制备陶瓷样品进行表征分析和性能测试。结果表明:所有陶瓷样品的相组成均为纯铋层状结构,晶粒呈棒状,各向异性明显,随着烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,陶瓷密度先变大后变小。固相法制备的CaBi2Nb2O9压电陶瓷的最佳烧结温度为1 150℃,介电温谱显示CaBi2Nb2O9陶瓷的居里温度为 943 ℃。  相似文献   

16.
以煅烧α-Al2O3粉、氧化铁为原料,采用MgO为添加剂,控制配料的Al2O3/Fe2O3的摩尔比为1、3、5,MgO引入量质量百分数分别为2%、4%、6%,成型压强为100 MPa,烧结温度为1500℃、1550℃、1600℃,保温3小时可获得Al2O3-Fe2O3复合材料,对烧后试样了烧结与抗热震性能研究.结果表明:控制Al2O3-Fe2O3复合材料试样AF34-2的Al2 O3/Fe2O3摩尔比为3,MgO引入量为4%,烧成温度为1550℃保温3小时的工艺条件,可以制备出较高致密度、常温抗折强度及抗热震性能的Al2O3-Fe2O3复合材料.该复合材料试样AF34-2的SEM显微结构照片显示出材料晶粒问结合紧密,形成具有直接结合的镶嵌结构.  相似文献   

17.
纳米Al2O3粉添加对氧化铝陶瓷烧结行为的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了纳米Al2O3粉添加对粗晶氧化铝陶瓷烧结行为,如体积密度、吸水率、气孔率、线收缩率的影响.结果表明:纳米Al2O3粉加入可以提高氧化铝陶瓷烧结活性,降低烧结温度,线收缩率随烧结温度提高和纳米Al2O3粉含量增加呈上升趋势.当纳米Al2O3粉加入量达到40%时,氧化铝陶瓷可以在1550℃以下烧结致密.  相似文献   

18.
利用固相反应法在950℃预烧结、不同烧结温度条件下制备了BaCu3Ti4O12(BCTO)陶瓷样品,测量了各样品在不同频率下的介电常数和介电损耗随温度的变化关系,发现BCTO的介电常数比BaCu3Ti4O12的介电常数小。容差因子计算发现BCTO的晶体结构容易畸变,XRD图分析表明样品中除了舍有BCTO晶相外,还舍有Cu3TiO5和Cu3TiO4等杂质,从而大大降低了BCTO的介电常数。  相似文献   

19.
本文研究了超细粉3mol%Y_2O_3—ZrO_2陶瓷的组织结构及力学性能,结果表明,随烧结温度升高,晶粒长大,单斜相含量增多。强度、硬度随单斜相含量的增多而下降,具有(T+M)双相组织的断裂韧性较高。  相似文献   

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