一种改进结构的LTCC滤波器

提出了一种新的LTCC(低温共烧陶瓷)带通滤波器的结构及其理论依据.在一般LTCC模块内部,通孔做为一种电气连接单元,在信号频率足够高时其引入的电感会使模块性能恶化.参考传统腔体滤波器的结构,将腔体滤波器设计方法与LTCC技术结合在一起,以通孔取代圆杆,提出了一种LTCC滤波器的新结构.并设计出了一种尺寸为2 mm×1.3 mm×0.95 mm的LTCC滤波器,可适用于802.11a无线局域网等应用领域.测试结果表明该滤波器指标满足设计要求.     

基于LTCC的SIW双频滤波器设计

设计了一种基于低温共烧陶瓷的三层基片集成波导双频带通滤波器,并通过全波仿真软件Ansoft HFSS对其建立模型仿真。该滤波器具有频率选择性好、体积小、集成度高和易于加工等优点,具有较好的实际工程应用价值。     

基于LTCC技术频率源的设计与实现

基于LTCC技术,设计制作了一款小型化频率源。该频率源采用单环锁相电路实现,并将输出滤波器集成在LTCC基板内,实现了电路的小型化,锁相环电路板面积仅为20 mm×20 mm。同时给出了该频率源的组装及调试过程,经测试,该频率源输出频率为12.5～13.5GHz,相噪为-80 dBc/Hz@1kHz。     

基于LTCC技术的新型电感模型设计

目的 设计新型的LTCC螺旋电感的等效电路模型.方法 考虑到LTCC多层结构之间的相互影响,在基本等效电路的基础上,增加了对地的耦合电容和电感,以及螺旋结构之间耦合电容、电感.结果 通过三维电磁仿真和高频电路仿真表明电路模型和三维LTCC螺旋电感在0～10 GHz范围内有非常好的吻合度.结论 新型电路模型在较宽的频率范围内能够代替三维LTCC电感,在射频电路设计方面有很强的实用性.     

新型LTCC带通滤波器设计及其在射频电路中的应用

本文介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的带通滤波器,它采用了一种新型电路结构,具有尺寸小、相对带宽窄、带外抑制特性好以及可调谐等特点。本文给出了该滤波器的设计方法、仿真结果,并且给出了其在星载合成孔径雷达(SAR)系统射频电路中的应用实例和测试结果。     

基于LTCC技术的电容设计

本文介绍了LTCC技术的特点和概念,利用HFSS软件建立了两层平板电容和四层垂直交错电容的三维模型图,给出其模型参数的计算公式,然后根据公式对两个电容模型进行了HFSS仿真。再利用ADS画出电容的等效电路模型并进行仿真,与HFSS仿真图比较其吻合度,证明了电路模型的正确性。     

新型低温共烧陶瓷(LTCC)带通滤波器设计及其在射频电路中的应用

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的带通滤波器,它采用了一种新型电路结构,具有尺寸小、相对带宽窄、带外抑制特性好以及可调谐等特点。给出了该滤波器的设计方法、仿真结果,并且给出了其在星载合成孔径雷达(SAR)系统射频电路中的应用实例和测试结果。     

用于LTCC的电感设计与建模

本论文中提出了一种低温共烧陶瓷嵌入式电感的宽频等效电路模型,此模型达到了有效的频宽,模型包含一个核心电路,五个元件组成,模拟了电长度0到的无损耗传输线,有效模拟了线圈间耦合效应和接地谐振现象,通过散射参数的测量可以提取出等效电路模型中各个元件参数,相对于传统的型等效电路只能达到第一个自我谐振点来比,本论文中提出的修正T型等效电路可达到更高的谐振点,因此频宽宽许多,论文用射频软件ADS仿真结果显示此电感模型可准确至5GHz.     

基于低温共烧陶瓷工艺的370GHz三阶带通滤波器设计

基于低温共烧陶瓷工艺(LTCC),设计了工作在370 GHz的三阶带通滤波器.采用有限元分析软件HFSS提取了LTCC工艺下矩形波导的复传播常数,并精确计算了LTCC工艺下矩形谐振腔的品质因数和耦合系数,用于辅助带通滤波器的设计.随后设计了能够用于进一步探针测量的微带线到矩形波导转换器.最终得到的三阶带通滤波器中心频率370 GHz,相对带宽4.7%,插入损耗0.7 d B,回波损耗22 d B,带外抑制大于28 d B.     

一种瞬时功率理论谐波检测的低通滤波器设计新方法

对传统的ButterWorth低通滤波器在瞬时功率理论谐波检测中的应用做了深入探讨,指出了仅仅采用传统的ButterWorth低通滤波器难以解决检测精度和动态响应速度之间的矛盾,提出了一种综合采用ButterWorth低通滤波器和平均值低通滤波器的低通滤波器设计新方法.仿真结果表明,这种优化的低通滤波器与仅仅采用上两种低通滤波器相比具有明显的优越性,采用这种优化的低通滤波器作为低通滤波器既具有较好的检测精度,又具有令人满意的动态响应性能.图13,表1,参8.     

一种新型慢波一维光子带隙低通滤波器

该文提出了一种新型慢波一维光子带隙微带低通滤波器,该滤波器具有显著的慢波效应和低通特性．所提出的结构在接地板上没有蚀刻,仅仅通过改变微带线的形状而实现．并对带有3个周期单元的低通滤波器进行了仿真和测量．     

一种基于低温共烧陶瓷的新型多层交叉耦合基片集成波导滤波器

提出了一种4级交叉耦合的拓扑结构,并用其设计了一个多层基片集成波导滤波器.非相邻谐振腔间的交叉耦合使滤波器产生了2个有限传输零点,改善了滤波器的性能.用高频电磁仿真软件HFSS对滤波器进行设计和仿真,并用8层低温共烧陶瓷（LTCC）工艺对其进行加工.测量结果与仿真结果吻合较好,从而证明了所给滤波器结构的有效性.     

基于R-MOSFET-C的低通滤波器的设计

利用R-MOSFET-C器件和CMOS全平衡结构运算放大器设计一个截止频率为500 kHz的四阶巴特沃斯(Butterworth)低通滤波器,该滤波器由工作在线性区的MOS管来做为压控电阻,从而代替一般有源RC滤波器中无源电阻R,通过调节栅极电压大小来改变其等效电阻,达到滤波器截止频率的精确可调.     

一种基于MOCCCII和CCII-实现的n阶低通滤波器

提出了用信号流图法设计n阶基于多端输出的电流控制第二代电流传输器(current controlled sec-ond generation current conveyor with multiple outputs,简记为MOCCCII)和第二代电流传输器(the second genera-tion current conveyor,简称CCII)电流模式低通滤波器的方法.由该方法导出的滤波器所需元件较少,n阶滤波器仅需1个CCII-、n个MOCCCII和n个电容,所有电容均接地,便于集成且与VLSI工艺兼容.该滤波器可用于通信、电子测量与仪器仪表的信号处理.该文给出了2、3和4阶滤波器的设计实例,PSPISE仿真结果与理论分析相吻合,验证了该方法的可行性.     

一种基于SET/CMOS电路的二阶低通滤波器

在研究单电子晶体管(single electron transistor，SET)I-V特性的基础上，依据分区处理法，设计了一个SET、积分器电路，并采用级联方法实现了一个SET／CMOS二阶低通滤波器。仿真结果表明，该滤波器的幅频特性增益比采用其它方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的幅频特性增益高出1倍多。     

一种基于MOCCCⅡ和CCⅡ-实现的n阶低通滤波器

提出了用信号流图法设计n阶基于多端输出的电流控制第二代电流传输器（currentcontrolledsec．ondgenerationcurrentconveyorwithmultipleoutputs，简记为MOCCCⅡ）和第二代电流传输器（thesecondgenera—tioncurrentconveyor，简称CCII）电流模式低通滤波器的方法．由该方法导出的滤波器所需元件较少，n阶滤波器仅需1个CCⅡ-、n个MOCCCⅡ和n个电容，所有电容均接地，便于集成且与VLSI工艺兼容．该滤波器可用于通信、电子测量与仪器仪表的信号处理．该文给出了2,3和4阶滤波器的设计实例，PSPISE仿真结果与理论分析相吻合，验证了该方法的可行性．     

基于高斯低通滤波的音乐节拍提取

提出一种基于高斯低通滤波的节拍提取算法,对音乐信号进行能量分析,确定信号的能量包络.在获得能量包络基础上,采用叠加分析的方法,实现在减少有待分析数据量的同时,消除信号的噪声.然后,应用高斯窗函数构造一个低通滤波器,对压缩后的信号数据进行低通滤波处理,滤除音乐信号中不能决定节拍信息的高频部分.最后,通过峰值检测的方法确定音乐信号的节拍.实验结果表明,本文所采用的方法提取结果准确,且实用性强.     

岔线型缺陷地结构超宽阻带低通滤波器的设计

提出了一种通过在微带结构的接地金属板上蚀刻缝隙构成的岔线型缺陷地结构(岔线型DGS).利用岔线型缺陷地结构的阻带特性,设计了一个基于岔线型DGS的超宽阻带低通滤波器,其由两个岔线型缺陷地单元和微带高低阻抗传输线组合而成,实现了岔线型DGS低通滤波器的小型化和宽阻带.仿真结果表明,该滤波器3dB截止频率为2.87GHz,通带内S11均低于-20dB,阻带在-20dB以下的频段为3.5～20.3GHz,有效抑制了二次、三次或更高次的谐波响应.相比传统DGS低通滤波器的阻带拓宽了28%,当衰减极点相同时,占用面积减少了74%.实测结果与仿真结果相比具有很好的一致性.