硅烷热分解汽相淀积多晶硅

本文讨论了电荷耦合器件(CCD)的多晶薄膜的淀积,研究了多晶硅薄膜的掺杂,报导了以三氯化磷为淀积多晶硅薄膜的掺杂剂实验结果。文中还分析了多晶硅对CCD器件性能的影响。     

汽相淀积多晶硅薄膜结构和性质的研究

多晶硅薄膜的制备采用硅烷(SiH_4)热分解化学汽相淀积法。利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜和红外光谱仪等手段对膜的微结构进行了研究。我们发观膜的结构特性强烈地依赖于淀积条件,实验结果指出:假如在整个淀积过程的最初阶段采用“低温成核”,就不难获得适合于硅栅MOS集成电路的优质多晶硅膜。当低温成核温度为650℃～700℃,并控制一定的淀积条件,所制得的膜是光亮和均匀的,其晶粒大小约为300～500埃。文中对“低温成核”的机理及多晶薄膜的生长模型也进行了讨论。此外,对多晶膜的光学、电学和介电等性质进行了测量,对多晶硅由于晶粒间界的存在而引起的一系利与单晶硅不同的性质进行了计算和分析,从而为器件设计提供某些有用的理论数据。     

多晶硅薄膜制备技术的研究进展

多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.     

半导体器件中的优质多晶硅薄膜的生长及其检测方法

本文介绍了半导体器件中的优质多晶硅薄膜的生长以及在生长多晶硅薄膜的同时怎样来监控淀积温度；用我们自己研制的高精度半导体流量计来测量反应气体和运载气体的流量。文章还从实验和理论上分析了影响多晶硅薄膜生长速率的因素。     

SIPOS-Si界面应力研究

本文用激光光学方法测量半绝缘多晶硅(SIPOS)一硅的界面应力,以研究SIPOS-Si界面结构及界面应力的物理机理。对于氧含量在10～35%的SIPOS薄膜的SIPOS-Si界面应力,我们发现界面应力与氧含量有明显的关系,一般说随氧含量的增加而减小,并且由张应力变为压应力。此外,界面应力还与薄膜的淀积工艺有关;如:温度、淀积速率等。将样品进行高温退火,由于界面应力的热效应将使界面应力显著减少,并转变为压应力。这是高温热处理使SIPOS薄膜再结构的结果。     

SIPOS-Si界面应力研究

本文用激光光学方法测量半绝缘多晶硅(SIPOS)一硅的界面应力,以研究SIPOS-Si界面结构及界面应力的物理机理。对于氧含量在10～35％的SIPOS薄膜的SIPOS-Si界面应力,我们发现界面应力与氧含量有明显的关系,一般说随氧含量的增加而减小,并且由张应力变为压应力。此外,界面应力还与薄膜的淀积工艺有关;如:温度、淀积速率等。将样品进行高温退火,由于界面应力的热效应将使界面应力显著减少,并转变为压应力。这是高温热处理使SIPOS薄膜再结构的结果。     

非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究

本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。     

脉冲激光淀积制备LiTaO3光波导薄膜的研究

报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在（００１）和（０１２）蓝宝石衬底上制备ＬｉＴａＯ３光波导薄膜的实验研究。利用Ｘ光衍射和Ｒａｍａｎ光谱术鉴定所生长薄膜的微结构，研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响，而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备了优质的外延膜，薄膜显示了优异的光波导性     

碳化硅薄膜生长技术的研究进展

介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况，碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE)．对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究．     

等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。     

激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的测定

我们用常规的高频和准静态C-V技术测量了氩离子激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面的氧化物固定电荷密度N_f和界面态陷阱密度N_(it)。结果表明,和未再结晶的热退火样品相比,激光再结晶后,背界面的界面态密度大幅度下降。该界面态性质还与二氧化硅的生长方法和条件有关。在硅单晶抛光片上用氯化氢氧化法或三氯乙烯氧化法热生长约1400A的SiO_2层,然后用低压化学气相淀积法淀积约5000A多晶硅薄膜。使用氩离子激光器连续扫描辐照样品,功率选用4.5W、扫描速度2cm/s、束斑直径40μm,交叠50％,衬底温度300℃—400℃。经激光再结晶后多晶硅薄膜的晶粒由原来的100A长大到数微米。     

多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长

研究了在常压SiH_4-H_2系统中,于1050C下,在不同衬底上所获得的多晶硅淀积层的结构和核化生长过程。实验发现,衬底性质对核化过程和早期淀积层结构有影响。与热生长SiQ_2衬底比较,SiO_2+Si_3N_4 复合衬底上的淀积具有核化过程发生早,岛核尺寸小密度高,淀积层晶粒细密等特点。SiO_2 同H_2及淀积硅的反应是影响高温条件下在SiO_2衬底上核化和生长的原因。文章还讨论了核化阶段的相变过程。     

C60薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成

用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件，在Ｃ６０薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。     

CdTe的ICB淀积和成膜特性

应用一种新的薄膜淀积技术──ＩＣＢ方法，对ＣｄＴｅ薄膜的淀积进行了系统的研究。在单晶Ｓｉ及玻璃衬底上演积的ＣｄＴｅ膜具有定向生长的大晶粒结构，其晶粒尺寸、取向度与离化电流、加速电压等可控实验参数之间的关系在实验结果中得到了反映。通过考察入射原子团与表面的相互作用，研究了表面迁移能力以及电荷存在对成膜特性的影响。     

无定形氢化碳薄膜的制备方法

无定形氢化碳(a-C∶H)薄膜由于具有许多独特的性质,近年米受到研究工作者们的嘱目。本文详细介绍了 a-C∶H 薄膜的各种制备方法,包括等离子体淀积法、离子束法、溅射法和化学汽相淀积法等,给出了某些典型的实验条件。文中还讨论了制备膜的性质及其与制备条件之间的关系,氢和氧含量以及掺杂对膜特性的影响。最后,展望了 a-C∶H 薄膜的应用前景。     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．     

LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺

氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求.     

超声喷雾法制备SnO2：F薄膜及其性能研究

用超声喷雾热解淀积技术制备了ＳｎＯ２Ｆ透明导电薄膜，其电阻率达４×１０－４Ωｃｍ，可见光透过率达９１％。研究了衬底温度、Ｆ／Ｓｎ比例对ＳｎＯ２Ｆ薄膜光电特性的影响。ＸＲＤ分析及ＳＥＭ观察表明，ＳｎＯ２Ｆ薄膜为多晶结构，平均粒径约５０ｎｍ。对超声雾化及淀积原理进行了分析，由于溶液的超声雾化微粒均匀性好，载气流量与溶液雾化微粒线度无关，使得超声雾化热解淀积工艺控制相对容易，热解反应类型大多为化学气相淀积，所制备薄膜的均匀性和重复性良好。     

介质隔离中多晶外延的改进

对于介质隔离的氧化层必须结构致密,缺陷少,以保证较好的隔离特性。通常在外延炉里淀积的二氧化硅层由于各种原因质量较差,有时还会出现多晶生长不上的现象,且厚度及质量难以检测。用热生长法代替淀积法形成的二氧化硅层,结构致密、缺陷少,仅做30分钟的干氧,即可达百伏以上的耐压。介质隔离的反外延时间长,耗源量多,对设备损耗大。用喷头结构可使气流直接喷在硅片上,使源充分利用,从而提高了多晶硅的生长速率,时间由原来的6个多小时缩短为3个多小时,用源量只相当于原来的五分之一左右。且多晶硅的厚度均匀。     

PECVD法制备SiOxNy膜中组份对电学特性的影响

研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性的影响。