LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

GaP和GaAs共面波导的直接电光调制特性

对Ⅲ－Ⅴ族电光晶体ＧａＰ和ＧａＡｓ衬度上的共面波导进行直接电光调制测量，得到ＧａＰ和ＧａＡｓ的输入电压与电光计制输出的关系曲线，分析电光调制的输出特性。     

InGaAs MSM—PD肖特基势垒增强层的研究

通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

GaAs／AlGaAs周期折射率光波导光学表面模

应用周期折射率介质光波导的模场分布函数和特征方程，分析了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ周期折射率光波导中波导的材料参量和结构参量对ＴＥ模场分布的影响，并讨论了ＴＥ０表面基膜的形成。     

调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特…

首次利用液相外延，标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。它是由六个激光器阵列元组成，调制增益是通过线性也发迹激光器条宽从３μｍ变化的到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。     

GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达－２５．９ｄＢ。     

HBT的PN结偏移效应

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用ＰＮ结是质结对准的结构。     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

Jacobi Gauss—Seidel近代收敛的准则Ⅱ

本文给出了Ｊａｃｏｂｉ Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ迭坐落地收敛的新的判定准则，同时也给出了块Ｊａｃｏｂｉ Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ迭代法收敛的新的判定准则。     

1.3μmInGaAp／InP高频大功率SPB—BC激光器

提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器结构。用Ｐ－ＩｎＰ做衬底。     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

含ipt基因根癌农杆菌转化大豆萌动种胚的同工酶分析

本实验以 大豆萌动种胚为受体，用含有ＣａＭＶ３５ｓ启动子－Ｇｕｓ基因－ｉｐｔ-基因－Ｎｏｓ基因的融合基因根癌农杆菌ＬＢＡ４４０进行转化，通过对转化及对照植物株苗期根的过氧化笺酶同工酶及酯酶同工酶分析，结果表明酶谱有明显差异。     

黑龙江省蜻蜓目（Odonata）昆虫调查初报

本文首先较系统地报道了采自黑龙江省２５个市、县、地区的４６种蜻蜓。它们隶属２亚目、７种、３１属。其中黑龙江弓蜻（Ｍａｃｒｏｍｉａ ｍａｎｃｈｕｒｉｃａ Ａｓａｈｉｎａ）的雌虫是该种的配模新纪录,将另文发表;琉璃蜓（Ａｅｓｃｈｎａ ｎｉｇｒｏｆｌａｖｅ Ｍａｒｔｈｉ）、大斑弓精（Ｍａｃｒｏｍｉａ ｄａｉｍｏｆｉ Ｏｋｕｍｕｒａ）二种为中国新纪录;联纹小叶春蜓（Ｇｏｍｐｈｉｄｉａ ｃｏｎｆｌｕｅｎｓ     

极性晶体板中极化子的基态能量和有效质量

应用Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＩＰ）方法研究极性晶体板中极化子的性质，给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式，并以ＧａＡｓ极性晶体板为例进行数值计算。讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响。     

Lusin面积积分函数在Lipα（R^n）（0〈α〈min{ε,2^—1}）上的有界性

本文证明了Ｌｕｓｉｎ面积积分函数ｓ（ｆ）的一个性质，即当ｆ∈Ｌｉｐａ（０＜α＜ｍｏｎ｛ε，２＾－１｝）时，若存在点ｘ０使得ｓ（ｆ）（ｘ０）＜＋∞，则ｓ（ｆ）∈Ｌｉｐａ（Ｒ＾ｎ）且‖ｓ（ｆ）‖Ａａ≤Ｃ‖ｆ‖Ａａ，这里Ｃ仅与ｎ、ａ有关。     

O3对小麦幼苗核酸和蛋白质代谢的影响

小麦幼苗叶片ＤＮＡ对Ｏ＿３极为敏感，Ｏ＿３处理的第一天就明显下降；ＲＮＡ第一天降低幅度不大，第二天开始大幅度降低，同时ＲＮ＿（ａｓｅ）活性显著上升。可溶性蛋白质含量亦随之降低，ＳＤＳ─ＰＡＧＥ分析表明，可溶性蛋白质组分也发生了深刻变化，高分子量蛋白质随处理时间延长而逐渐降解消失。