快D_2~ 和H_2~ 分子离子在碳膜中产生D~-和H~-负离子的产额测量

本文报告了几组Mev量级的D_2~ 、D~ 、H_2~ 和H~ 离子穿过各种厚度的自支撑薄碳膜产生D~-和H~-离子的产额测量结果。结果表明,负离子产额与入射离子的速度有关;在同一能量下D~ 和H~ 离子的负离子产额都与靶厚度无关。证实了快离子在固体中的电子俘获事件是在固体的后表面内发生的假设。在不同能量下,负离子产额不同,证实了电子俘获截面随入射粒子速度的增加而减小的结论。从分子离子在固体中的负离子产额随停留时间t_D的变化可以看出分子团效应的影响。     

固体中氢,氘负离子的形成和电荷交换截面的测量

用电荷交换的观点,分析在束箔离子相互作用中的负离子形成过程.导出了负离子产额与电荷交换截面的关系为:φ~-=σ_(?)~2/(3σ_i~2).证明φ~-与入射核子速度有关,与停留时间无关.报告了在不同入射速度下,H~ ,D~ ,H_2~ ,D_2~ 和H_e~ 等种离子在碳膜中产生的H~-,D~-或H_e~-的测量结果.由此得到电子损失截面σ_l和电子浮获截面σ_c的观测值.     

D_3~+和H_3~+立体化学结构的测量

我们用高分辨技术,通过快分子离子在超薄固体膜中的库仑爆炸,测量0°方向出射产物的能谱,实测了H_3~+和D_3~+的立体化学结构.H_3~+和D_3~+是两个最简单的稳定的多原子分子离子.对H_3~+结构和性质的研究,不单对原子分子物理学科有重要的理论和实用价值,而且对剖析基元化学反应机理、阐明     

快D_2~ 通过碳膜的透射率测量

关于D_2~ 的透射研究,迄今为止,仅见到美国纽约大学W.Brandt等人发表的一个能点(300Kev)在碳膜(6—40μg/cm~2)上的透射实验结果。本文除给出1.6Mev D_2~ 对碳膜(5.72—13.69μg/cm~2)的透射实验结果外,还叙述了D_2~ 透射实验特有的测量方法和数据处理技巧。 当分子离子D_2~ 以某一能量通过一定厚度的碳膜时,其透射率为:     

快H_2~ 通过碳膜的透射率测量

本文简要介绍了快分子离子H_2~ 通过碳膜的作用过程.叙述了实验装置及H_2~ 透射率的测量方法;给出H_2~ 在0.827MeV和1.61MeV两种能量下,碳膜厚度为5.59—10.4μg/cm~2的两条透射率测量曲线,并对结果作了初步讨论.     

1.7MeVH_2~+在碳膜中的库仑爆炸

本文描述了我们对1.7MeV H_2~+轰击5μg/cm~2碳膜,在0°方向出射H~+的能谱测量。再次直接证明了快分子离子通过固体时,库仑爆炸和尾流效应的存在。     

稀土离子^144Nd^＋和H2分子碰撞的单电子俘获截面的测量

建立了一套用于单价离子与气体分子碰撞的单电子俘获截面测量的装置,用复旦大学加速器实验室的３０ｋｅＶ同位素分离器测量了１０－３０ｋｅＶ＾１４４Ｎｄ＾＋与Ｈ２碰撞的单电子俘获截面。     

高电荷态离子N~(q+)(q=3,6)与原子、分子碰撞中发射光谱

本实验对N6+—He，N3+—He和N3+—H2碰撞中的发射光谱进行了测量.从测量到的发射光谱分析证明：上述碰撞中存在着三种或四种激发通道：（1）单电子俘获激发通道：（2）双电子俘获激发通道：（3）入射离子直接激发通道；（4）靶直接激发通道。本文还给出了发射截面数据。     

快速α粒子与类氢离子He￣ 、Li￣(2 )碰撞中电子俘获到激发态的研究

基于ＯＢＫ近似得到的快速α粒子与Ｈｅ＋和Ｌｉ２＋离子碰撞中，电子俘获到激发态与基态的分截面比值及ＣＤＷ方法得到的电子俘获到基态的截面，计算了这两种碰撞中电子俘获到激发态的分截面和电子俘获的总截面，并对所得的结果进行了讨论．     

C~(1+)与Ar碰撞微分截面测量及耦合道分析

文章介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的测量方法,利用符合测量技术测量了0.215~1.44 MeV的一价C离子与Ar原子碰撞的俘获、电离和电子损失截面.由于本能区内入射离子电子损失截面随速度升高而增大,甚至超过俘获道和电离道截面,因此俘获道、电离道、电子损失道的测量结果是严重耦合的.实验的结果不能直接与理论上的单反应道结果比对.本文根据实验结果进行了耦合道分析,并大致给出了影响的趁势,为将来与理论比对提供了方向.     

6—30keV单电荷离子与H2分子碰撞的单电子剥离截面的测量

用增长率方法测量了６－３０ｋｅＶＨｅ＾＋，Ｎｅ＾＋，Ａｒ＾＋，Ｋｒ＾＋，Ｘｅ＾＋及Ｃｌ＾＋离子与Ｈ２分子碰撞的单电子剥截面，Ｈｅ＾＋的截面数量与他人数据一致，其他的截面数据在此之前未见报道。     

NaCl（A^＋,OH^—）：（F2^＋）HA色心激光晶体系列

本文报道NaCl(A~+,OH~-):(F_2~+)_(HA)(A~+=Li~+,K~+,Rb~+)色心激光晶体系列的研究结果,证实了许承晃等人提出的掺杂离子扰动效应的理论见解,澄清了NaCl晶体中K~+的作用在NaCl晶体中首次报道了三种(F_2~+)_(HA)色心晶体。     

主成分回归光度法同时测定钴镍铜铬

由于钴、镍、铜、铬有色离子的吸收光谱严重重叠,较难用光度法选择性测定试样中单一元素。为了探讨不经分离直接测定样品中的单一元素,应用主成分回归法处理校正样吸光数据,并根据校正样中的单一已知元素浓度向量求算浓度转换向量,转换向量求出后就可对任意待测样吸光度向量进行转换从而求出待求组分的浓度。对不同比例的钴、镍、铜、铬合成样分析均取得了满意结果。     

（BCO）5M和[（BCO）5]2M（M=Li^＋,Na^＋,K^＋,Be^2＋,Mg^2＋,Ca^＋）的结构与性质

运用高精度密度泛函B3LYP／6-311＋G^＋方法，对（BCO）5M和[（BCO）5]2M（M=Li^＋，Na^＋，K^＋，Be^2＋，Mg^2＋，Ca^2＋）16种配合物的经典几何构型（正五角单锥（C5a），交错式（D5d）和重叠式（D5h））进行了理论计算．优化构型稳定，对称性高，同系配合物中，RB-C值在同一主族中从上到下依次减小，而同一周期中则从左到右依次增大，RB-M值的变化规律与之相反，所有配合物中，B均带负电荷，且都比基本配体1（[（BCO）5]^-）中的多，金属M所带正电荷（同一系列配合物中）随着主量子数的增大而增大，C则相反；同时随着质量数的增大，C和M所带正电荷均呈增大趋势．这些变化均与金属离子所带电荷和原子半径有关．分子轨道的分析阐述了配合物的成键本质，同时还从HOMO轨道能量预测出这些配合物的第一电离势，具有实际参考意义。     

新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:EU3+,Si4+,Ti4+的合成及性能表征

采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征.结果表明:Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的晶体结构与Gd2O2S相同,为六方晶系.颗粒的形貌为类球形.Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的激发光谱呈250～400 nm宽带状,激发光谱主峰位于365 nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3+的5DJ(J=0,1)→7FJ(K=0,1,2,4)跃迁.最强的发射峰为627 nm和617 nm,均属于5D0→7F2跃迁,且627 nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si4+和Ti4+离子的共掺杂可显著延长样品Cd2O2S:Eu3+的余辉时间.     

KCL（Na^＋,OH^—）晶体中类F2^＋型心的形成及其稳定性

本文报道了KCl(OH~-)和KCI(Na~+,OH~-)晶体的研制,(F_2~+)_H心,(F_2~+)_(AH)心的形成及其光性质的研究结果。分析对比了D。Wandt等人掺0_2~-晶体的相应结果,讨论KCl晶体中OH~-分解的可能性及其作用。     

NHn,NHm^＋,NHn^—（n—1,2,3;m=1,2,3,4）体系Gaussian—n和CBS—n方法物理化学性质的理论研究（三）NH3,NH3^＋,NH3^—,NH4^＋体系

利用多种方法研究NH3,NH3^＋,NH3^－,NH4^＋体系的物理化学性质：离解能,电子亲合势,离化能,质子亲合势,原子化能。这些方法有Gaussian-n:G1,G2,G2(MP2)以及CBS－n,CBS-4,CBS-Q,CBS-APNO。对所得结果及其误差进行比较和分析。     

类氢离子基态,激发态的电子碰撞电离截面及系统学规律研究

利用扭典波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对类氢离子Ｈｅ＾＋，Ｃ＾５＋，Ｏ＾７＋。Ｎａ＾１０＋，Ａｌ＾１２＋，Ｃｌ＾１６＋，Ｆｅ＾２５＋，Ｃｕ２８＋等离子的基态及激发态的电子碰撞电离截面进行了计算。在此基础上研究了电离截面随入射电子能量和靶电荷变化的系统学规律，首次对类氢等电子系离子给出了精度较高的电离截面拟合公式和相应的拟合参数，对于快速获得大量电离截面以满足一些高技术项目的需要有重要的实用意义。