非晶GeO2—SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱

采用锗－硅复合靶射反应溅射技术,制备了ＧｅＯ２含量ｘ＝０％－８１％的非晶ＧｅＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜,用自动椭偏仪进行测量,得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ２的含量。用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ２含量的变化关系,并讨论了其结构特征。     

Sm─FeCo─N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径．实验发现：Ｃｏ＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＣｏ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍．经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物     

Sm—FeCo—N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备的Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究ＳｍＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径，实验发现Ｃｏ＾＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍。经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＾＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物。     

用MTGA法研究非晶合金的纳米晶化过程

用ＭＴＧＡ测量ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ非晶样品的表观失重与温度关系σ－Ｔ和ｄσ／ｄＴ－Ｔ,发现非晶合金晶化过程可区分为５个不同阶段．研究经７５３～８８３℃等温退火１ｈ的样品发现,Ｔａ升高,析出的磁纳米晶体αＦｅＳｉ量增多,剩余非晶相的居里温度也升高．ＴＣ＝０．５２Ｔａ＋３６４．８,相关系数ｒ＝０．９８．用ＭＴＧＡ法测量αＦｅＳｉ或剩余非晶相的体积百分数随退火温度的变化     

C—SiC薄膜抗辐照性能的研究

在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ＾＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制备的Ｃ－ＳｉＣ薄膜经Ｈｅ＾＋辐照后显示了不同的形貌特征，薄膜中Ｓｉ组分的含量也有不同。我们对此进行了讨论，还进行了相应的Ｓｉ、Ｃ的化学态分析。     

C－SiC薄膜抗辐照性能的研究

在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ￣＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制备的Ｃ－ＳｉＣ薄膜经Ｈｅ￣＋辐照后显示了不同的形貌特征，薄膜中Ｓｉ组分的含量也有不同。我们对此进行了讨论，还进行了相应的Ｓｌ、Ｃ的化学态分析。     

铬含量对铁铬钠米粒状合金材料磁学性质的影响

用交法制备出了（Ｆｅ１－ｘＣｒｘ）１５－（ＳｉＯ２）８５闰状合金固体,这种粒状合金固体是一种钠米复合材料,由嵌在ＳｉＯ２母体中的Ｆｅ－Ｃｒ合金颗粒构成。本文报告这种材料的基本制备方法,以及Ｃｒ含量对Ｆｅ－Ｃｒ合金颗粒磁学性质的影响。     

新型半导体薄膜材料的制备,结构和特性研究

主要介绍了研究所２０年来在新型薄膜半导体的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅硅锗（α－ＳｉＣ：Ｈ和α－ＳｉＧｅ：Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜、β－Ｃ３Ｎ４薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文３００余篇。     

NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其？…

室温下在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上应用Ａｒ＾＋离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了ＣｅＯ２薄膜。结果表明：在合适的外部条件控制下,直接在ＮｉＣｒ合金基底上可以制备以ｃ－轴取向的ＣｅＯ２薄膜,但这时的ＣｅＯ２薄膜在其ａ－ｂ平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在ＮｉＣｒ合金基底上制备一层ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｉｒｃｏｎｉａ）,再在ＹＳＺ／     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物的磁晶各向异性场随温度和Ｇａ、Ｃ含量的变化关系,讨论了不同晶位的Ｇａ原子和间隙位Ｃ原子对磁晶各向异性的贡献。从而解释了Ｇａ原子对Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ和Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物磁晶各向异性的影响。