准一维PtCl络合物的长程激子及其对静电场的响应

基于Baeriswyl Bishop模型 ,对PtCl络合物开链中的激子及其在静电场中的行为进行了数值研究 ,结果发现激子的光吸收峰在 1.5 5eV附近 ,这与Y .Wada等 (SynthMet,2 0 0 1,1～ 3:397.)最近的实验数据吻合得很好 .弱电场对激子没有明显影响 :当静电场超过临界值 15 0kV cm ,激子解离为电子型极化子和空穴型极化子 ,与共轭聚合物不同 ,极化和解离同时发生 ;电场增大至 35 0kV cm ,链体系发生结构相变并出现发光猝灭 .     

PNB聚合物的激子及其对静电场的响应

在Baranowski-Butterner-Voit模型的框架内，得到了PNB聚合物有限长开链的自隐激子态。研究了静电场对激子的影响，发现电场对激子的电荷密度、能级、据角序参量、键序位形都有较明显的影响；并使激子吸收峰从红外波段进入可见光波段。当电场超过0．74MV/cm时，激子解离成一对正反纽结孤子，此时，激子吸收峰分裂成1．1和1．4eV左右的两个峰，分别对应于电子型弧子和空穴型弧子。由此对实验上已观察到1．0和1．3eV两个短寿命低能吸收峰的成因作出了解释。     

N维极化子的内激发态

本文计及电子发射和吸收多个虚声子对板化子的影响,用改进了的线性组合算符法讨论了N端极性晶体中极化子的性质,计算了极化子的第一内激发态的能量、有效质量、平均声于数,给出了极化子基态和第一内激发态之间的激发能与电子-声子耦合常数的关系式,结果表明:对第一内激发态,极化子效应随维度的降低而显著增强.     

各向异性抛物势对量子点中强耦合极化子激发态的影响

在各向异性抛物势限制下,采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines(LLP)幺正变换方法研究了量子点中强耦合极化子激发态的性质.导出了极化子第一激发态振动频率和第一激发态能量随电子-声子耦合强度和各向异性抛物势在量子点三个方向上的有效受限长度的变化关系.数值结果表明:第一激发态振动频率和第一激发态能量是电子-声子耦合强度的增函数且它们均随有效受限长度的增加而迅速减少,表现出量子点新奇的量子尺寸限制效应.     

三元混晶中光学极化子的内激发态

本文研究了三元混晶中光学极化子的内激发态.在弱耦合的情况下分别对几种不同的混晶材料A_xB_(1-z)C进行了计算,计算出极化子的藕合常数,基态以及第一激发态能量随组分x变化的一系列值;对极化子的内激发态的存在以及性质也进行了讨论.     

表面极化子的内部激发态

研究了表面极化子内部激发态的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算表面极化子的第一内部激发态的能量,讨论激发态能量与电子一声子耦合常数的依赖关系。     

聚二乙炔(polydiacetylene)的基态及极化子和双极化子激发态

建立了描述基态非简并聚合物聚二乙炔(polydiacetylene)的紧束缚模型. 研究了基态和带电激发态下的电子性质. 发现聚二乙炔基态下具有稳定的二聚化结构, 其能带分为四条子带, 对应于聚二乙炔链的四周期结构. 掺杂电荷时可形成极化子和双极化子非线性元激发, 计算了相应的产生能和束缚能, 发现在不考虑电子-电子Coulomb相互作用的情况下, 双电荷掺杂时产生双极化子比产生两个极化子更加稳定, 在双极化子中晶格畸变对掺杂电荷的定域束缚程度远远大于极化子中.     

聚噻吩(PT)的基态及极化子和双极化子激发态

通过对 C—S—C 重整化,提出了聚噻吩的一维紧束缚模型,并对其基态,极化子和双极化子激发态进行了数值计算,得到了一个双极化子比两个单极化子更容易激发的结论,在能带中除发现带隙内的两个极化子定域能级外,还发现导带和价带都要发生二劈裂,且极化子的存在使得带边上出现浅能级,它们对应的电子态均是定域的。计算还发现,S 原子的存在使得电子—空穴对称性遭到了破坏。     

非晶态合金Pd_77.5Ag_6.0Si_16.5的玻璃转变和晶化的研究

用倒扭摆和DSC研究了非晶态合金Pd_77.5Ag6.0Si16.5的玻璃转变和晶化过程.在玻璃转变Tg附近出现1个内耗峰,具有可逆性和重复性的特征.在晶化过程中发现3个内耗峰,峰温附近切变模量发生软化.DSC分析发现3个放热峰分别与3个内耗峰对应,晶化激活能E_1=3.94eV,E_2=2.89eV,E_3=3.43eV,表示晶化有3个结构转变阶段.a—Pd77.5Ag_(6.0)St_(16.5)中由于Ag的掺入,提高了稳定性.     

磁场中三维极化子的非线性效应

利用电声相互作用哈密顿量的一般形式求出电子-LO声子相互作用哈密顿量二次项的具体形式，然后将求得的新哈密顿量应用于磁场中的三维极化子问题，运用二阶RSPT微扰方法求得极化子基态和第一激发态的能量修正.     

量子阱中弱耦合极化子的内部激发态能量

采用线性组合算符和变分相结合的方法,研究了电子与体纵光学声子弱耦合情况下量子阱中极化子的内部激发态能量．导出了无限深量子阱中弱耦合极化子的第一内部激发态能量与阱宽和电子一体纵光学声子耦合强度的函数关系．通过数值计算,结果表明：弱耦合极化子的第一内部激发态能量随阱宽L的增大而减小,随电子一体纵光学声子耦合强度a的增大呈线性减小．     

非对称量子点中弱耦合极化子激发态的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究非对称量子点中弱耦合极化子的激发态性质．导出弱耦合极化子的第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随量子点的横向和纵向有效受限长度的变化关系以及第一内部激发态能量与电子-声子耦合强度的变化关系．数值计算结果表明：第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应．     

多原子极性半导体中体极化子的内部激发态

研究多原子极性半导体中强耦合体极化子内部激发态的性质，采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性半导体中强耦合体极化子的基态能量，第一内部激发态能量和激发能量。     

多原子极性晶体中强耦合表面极化子的内部激发态

研究多原子极性晶体中强耦合表面极化子内部激发态的性质 ,采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性晶体中强耦合表面极化子的第一内部激发态的能量     

抛物量子点中极化子性质的研究进展

综述了近年来对抛物量子点中极化子性质方面的部分工作．在第一节中从电子-LO声子系的哈密顿出发首次采用线性组合算符和幺正变换方法，研究抛物量子点中弱耦合极化子的基态能量和结合能的性质．在第二节中研究量子点中与LO声子强耦合极化子的振动频率、基态能量、结合能和光学声子平均数的性质．在第三节中采用改进的线性组合算符方法研究抛物量子点中弱耦合极化子的相互作用能和有效质量的性质．在第四节中研究抛物量子点中与LO声子强耦合极化子的振动频率、相互作用能和有效质量的性质．在第五节中采用Pekar变分方法研究抛物量子点中强耦合极化子基态和激发态的性质．     

Ge-Ⅲ亚稳相光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Ge-Ⅲ亚稳相的电子结构和光学性质。Ge-Ⅲ相晶体是一种直接带隙半导体(带隙为0.46 eV)。对光学函数的计算表明,Ge-Ⅲ相晶体是一种具有高介电常数和高折射率的晶体。其静介电常数ε1(0)和静态折射率n(0)分别为33.9和5.82,大于相应的Ge-Ⅰ相晶体的值(16和4.0)。光子能量在2.38~14.9 eV(等离子体能量Ep)范围内,ε1(ω)<0,整个晶体显示金属性;在高频透明区(能量大于Ep),ε1(ω)>0,显示介电性。从光吸收谱上看,Ge-Ⅲ相晶体的主要光吸收区位于整个可见光及部分紫外光谱区,在能量为4.51eV处达到最大值2.77×105cm1。Ge-Ⅲ相晶体的透过率在0~0.46eV范围可达0.5,表明它可作为一种红外光学材料。在高能区(大于14.9 eV),反射率随能量的增加而骤减,透过率随能量的增加急剧增大,整个晶体表现出紫外透过的特征。能量损失谱上只有一个特征峰位于14.9 eV,对应于Ge-Ⅲ相晶体的等离子体能量。     

抛物量子阱中的极化子能量

研究了抛物量子阱中电子－声子相互作用对极化子能量的影响,用改进的变分法计算系统中极化子基态和激发态能量以及基态到第一激发态的跃迁能量,并给出抛物量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ中的数值结果,研究发现,在较宽的量子阱中,电子－声子相互作用对极子能量的影响很明显。因此,讨论了极化子能量时不能忽略电子－声子相互作用。     

矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能

研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质．采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能．以GaAs晶体为例进行了数值计算，结果表明：矩形量子线中极化子的相互作用能随量子线尺寸减小而增大。     

Breathing "Trap" Mechanism for C60 Nanocage

A new trap mechanism has been proposed to generate H@C 60 . Buckyball excited by shaped laser pulse could have large Raman-active vibration mode A g (1), which enlarges and shrinks buckyball alternately, and raises and decreases the energy barrier repeatedly, forming a trap to capture the incoming H atom. In this trap mechanism, the A g (1) vibration mode is excited before the encapsulation process of H atom. Simulations of semiclassical electron-radiation-ion dynamics showed that the kinetic energy threshold for H atom in this mechanism was lowered from 17.51 eV to 10.51 eV, and successful encapsulation happened in the range from 10.51 eV to 15.55 eV.