离子束辅助对真空电弧沉积掺氮二氧化钛薄膜特性的影响

在氮氧混合气体中,通过离子束辅助,采用真空电弧沉积了氮掺杂的TiO2薄膜样品,研究了离子束流对掺氮二氧化钛薄膜的结构、光学性质和光催化性能的影响。实验结果表明:离子束辅助沉积的薄膜为非晶态结构,薄膜经500℃热处理后向锐钛矿转变,且锐钛矿的(101)面的峰最强。通过UV分析发现离子束辅助沉积的掺氮二氧化钛薄膜的吸收峰发生红移,其光催化活性随着离子束流的增大而减小。     

离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜

利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入谢的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。     

单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能研究

采用单源低能离子束辅助沉积的方法，制备了非晶碳薄膜，分别用喇曼光谱，俄歇电子能谱了薄膜的结构，薄膜为无定形的类金刚石薄膜，薄膜中石墨键（ＳＰ＾２）所占的比重较大，沉积时随着离子束能量及束流的增加，薄膜的显微硬度，摩擦系数，摩擦寿命均增加，类金刚石薄膜具有较好的摩擦性能。     

IBAD-YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制的影响

采用离子束沉积方法(IBAD)制备高温超导涂层导体的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层中已发现了YSZ薄膜中生长过程中会出现(001)和(011)取向竞争,该文在IBAD-YSZ薄膜的研究中,选取较弱的辅助离子束流和能量,发现随着束流的变化薄膜从(011)的纤维织构向(001)双轴织构的逐步过渡,这说明辅助束离子在薄膜生长过程中作用非常明显;这一现象除了选择性溅射模型和各向异性破坏模型能解释外,表面自由能和辅助离子束产生的沟道效应相互竞争的作用也可解释取向竞争现象。     

利用离子束辅助沉积的MoS2—Ta复合膜的特性研究

利用ＴＥＭ，ＡＥＳ，ＸＰＳ和ＥＤＡＸ方法，对用离子束辅助技术在多种钢基体上沉积的ＭｏＳ２－Ｔａ复合自润滑膜的形态、结构和组成进行观察和分析发现，膜在沉积过程中已产生部分晶化，并在ＭｏＳ２－Ｔａ膜基体上出现第二相ＴａＳ２。两个区域都具有（００２），（１００）和（１１０）取向，面间距与晶格常数都比ＭｏＳ２单晶的增长。实验表明，无论在真空或大气环境下，这种膜一开始就表现出优良的摩擦特性。其润滑持久性与耐     

离子束辅助沉积技术对薄膜光学特性的影响

用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。     

不同衬底上离子束辅助沉积MoSx膜的研究

利用离子束辅助技术在黄铜与２０＾＃钢衬底上进行了沉积ＭｏＳｘ膜的研究。对该膜在常温大气环境中的摩擦损特性用针－盘磨损试验进行了评价；用ＸＲＤ和ＸＰＳ检查了磨损前后膜的生成相，组分及Ｍｏ元素价态的变化，发现不同度衬底上的ＭｏＳｘ膜在磨损中出现显著不同的结晶学变化，并对这一现角作了讨论。     

氮硫掺杂纳米二氧化钛的光催化活性研究

用水热合成法成功的合成了氮掺杂以及氮硫共掺杂的二氧化钛,并对合成的样品进行了XRD以及XPS的测试.通过对比亚甲基蓝在污染物中的降解测试,发现氮硫共掺杂二氧化钛的光催化活性明显要高于氮掺杂二氧化钛.     

Si（111）表面离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟

本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学（MD）方法在Si（111）面上模拟研究了离子束辅助沉积（IBAD）类金刚石（DLC）膜的物理过程.重点讨论了C2分子和Ar离子的入射能量及到达比（Ar/C）对平均密度和sp^3键含量的影响,并与Si（001）-（2×1）表面生长类金刚石膜的结果进行比较.结果表明,到达比和入射能的改变,对薄膜结构的影响不同;Si（111）面上生长类金刚石膜,薄膜在衬底的附着力更强.     

不同离子束辅助沉积生物玻璃陶瓷膜的结构和溶解特性

用能量 60keV、辅助注量为 2× 10 16 和 7× 10 15ions/cm2 的N+和Ar+离子束 ,分别将生物玻璃陶瓷 (BGC)辅助沉积于钛合金表面 .通过XRD ,FTIR ,XPS和EDAX对沉积膜进行表征发现 ,膜均呈非晶或无明显的结晶度 ,沉积膜中均出现C和O的污染 ,还引入了CO2 - 3 根基团 .N+离子束辅助沉积膜的Ca/P比低于BGC原材料 ,而Ar+离子束辅助沉积膜的Ca/P比高于BGC原材料 .在Hanks溶液中 ,N+离子辅助沉积膜的抗溶解特性略优于Ar+离子辅助沉积膜 ,二者均优于Ti合金 .作者对实验中观察到的上述现象进行了一定的讨论     

双离子束法沉积类金刚石膜的耐腐蚀特性

对双离子束法在K_q玻璃上制备DLC膜的耐酸碱溶液和有机溶剂腐蚀特性进行了研究,给出了不同制备参数对膜层耐腐蚀特性的影响,并对腐蚀机理进行了探讨。     

离子束增强纯铁的磨损行为研究

纯铁表面沉积Ｔｉ和Ａｌ膜的同时，用Ｎ＾＋离子束注入增强沉积，成功地形成了性能优越的表面改性层。与ＺｒＯ２陶瓷球对磨结果表明，经Ａｌ＋Ｎ＾＋ＡＫ Ｉ＋ｎ＾＋离子束增强沉积后，纯铁的表面显微硬度及磨损性能得到了较大的提高，磨痕形貌和元素分布观察结果表明：离子束增强沉积处理前后，磨损的机理发生了变化。     

束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响

本文论述了用离子束溅射淀积非晶硅(a-Si)和氢化非晶硅(a-Si:H)的方法,提供了加速电压和衬底位置改变对薄膜暗电阻率的影响结果,通过有关淀积工艺条件的研究,得出了一些有用的结论。     

中频非平衡磁控溅射制备Ti-N-C膜

采用霍尔离子源辅助中频非平衡磁控溅射技术,通过改变工作气氛、偏压模式、溅射电流以及辅助离子束电流,在不锈钢材料基体上制备了Ti/TiN/Ti(C,N)硬质耐磨损膜层.对薄膜的颜色、晶体结构、膜基结合力等性能进行了检测分析.结果表明:膜层的颜色对工作气氛非常敏感,反应溅射中工作气氛的微小变化会引起表面膜层颜色很大的变化.在正常的反应气体进气量范围内和较小的基体偏压下,薄膜的晶体结构没有明显的择优取向.但是反应气体的过量通入会使薄膜的晶体结构出现晶面择优取向趋势.非平衡磁控溅射成膜技术对薄膜晶体结构的择优取向影响并不是很大.在镀膜过程中施加霍尔电流,可以有效地增加膜基结合力.     

离子束轰击法金刚石薄膜抛光

本文采用氩离子束轰击法，对不同晶体学表面形貌的ＣＶＤ金刚石膜进行抛光处理。结果表明，对不同表面开貌的金刚石膜，应合理选择离子束轰击入射角，提高离子束加速电压有利于提高抛光效率，（１００）择优生长的金刚石膜最容易得到高的表面平整度。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

离子辅助反应蒸发技术室温制备ITO薄膜

室温下利用离子辅助反应蒸发法在玻璃衬底上制备高透射比、低电阻率的ITO透明导电薄膜. 实验结果表明离子辅助蒸发可以有效地降低制备温度,提高薄膜的光电特性,薄膜具有明显的(222)择优取向,晶体粒子尺寸约为21 nm;离子源屏压、通氧量及沉积速率是影响薄膜光电特性的主要因素. 室温制备的ITO薄膜电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,可见光平均透射比大于82%.