大功率IGBT直流特性和动态特性的PSPICE仿真

应用等效模拟的方法建立了IGBT PSPICE仿真的直流模型和动态模型，对大功率IGBT的直流特性和动态特性进行了仿真分析，模型的仿真值与器件的实际值相比，所有特性均较吻合，表明仿真模型适用于大功率IGBT的特性分析。     

功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点

综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.     

基于神经网络的IGBT结温预测

针对大电流下绝缘栅型双极晶体管(IGBT)饱和压降和集电极电流与结温之间的非线性关系带来的结温预测难题,搭建了大电流下IGBT饱和压降测试系统,获取了结温和集电极电流与饱和压降之间的非线性关系曲线,分析了关系曲线变化规律对应的物理机制.采用Matlab软件建立了误差反向传播(BP)神经网络模型和径向基函数(RBF)神经网络模型进行结温预测.与多项式数学模型预测结果对比表明:两种神经网络模型的预测相对误差和预测误差90%置信区间比多项式数学模型更小,结温预测精度更高;并且BP神经网络模型的预测精度高于RBF神经网络模型,结温预测模型选择时应优先考虑BP神经网络模型.     

功率器件IGBT串联的移相控制技术

IGBT器件在电力装置中得到广泛应用，用IGBT串联提高装置对超单管耐压电源的控制是切实可行的，关键问题要解决IGBT串联的静态均压和动态过压问题。提出用并联电阻的办法解决静态均压问题；用移相控制技术，通过对主电源分级，对各级电源移相控制，实现主电源的分级接入和撤离，解决主控电路中IGBT的动态过压问题。文中讨论了IGBT串联电路的耐压、移相角度等参数的确定办法，分析了该技术对开关极限频率、输出波形的影响以及存在的问题。该技术已在大功率激电发送机产品中得到成功应用。     

地铁车辆辅助系统中HVIGBT斩波器研制

阐述了在地铁一号线车辆静止辅助系统中采用高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)斩波器替代门极可关断晶闸管(GT0)斩波器,以实现静止辅助系统的国产化.对所研制的斩波主电路采用Matlab/Simulink软件进行仿真分析研究,仿真结果与实验波形相符合,说明了这种替代是正确、可行的.     

基于磁纳米测温的IGBT热网络参数评估方法

提出一种基于磁纳米测温的绝缘栅双极晶体管(IGBT)热网络模型估计方法,可用于在线评估降维简化的IGBT热阻-热容网络模型.分析了磁纳米测温的理论模型和热网络传递模型,通过磁性纳米测温获得IGBT外壳背部的升温和降温曲线,从而估计热网络模型参数.通过设计的热网络模型参数估计系统和实验流程进行了仿真和实验,结果均验证了基...     

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。     

高压IGBT的驱动器应用研究

介绍了一种新一代高性能的高压IGBT的集成驱动器SCALE的工作原理、特性以及过流保护的特点，重点讨论了在实际应用中注意事项，并给出了有关的实验波形。     

IGBT串联运行时的动态均压

分析了高电压工作中ＩＧＢＴ串联运行时导致端电压静态和动态不均衡的种种原因,给出了几种改善端电压不均衡的具体控制措施和电路,主要给出了对称均压电路和驱动控制均衡电路,经实际应用表明效果良好。     

高压IGBT暂态机理模型分析

在已有的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)机理模型的基础上将IGBT分为金属-氧化层-半导体-场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)和双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)2部分,分别对其进行建模,同时给出了模型参数的提取方法。模型在Matlab中实现。以FZ600R65KF1型IGBT为例给出了模型参数值,并完成了该型号IGBT的单管测试实验。通过对高压IGBT开通暂态、关断暂态和开关损耗的仿真结果和实验结果进行比较,验证了机理模型对于高压IGBT的适用性。     

扩充PSPICE分析模型的新方法

提出扩充PSPICE分析模型的一种新方法。该方法不需要剖析PSPICE的功能及数据结构，只需编写一段接口程序完成输入数据文件的转换，而仍基于原程序分析含有新模型的电路。     

基于PSPICE的声表面波器件仿真研究

采用电路网络理论得到与SAW器件具有相同幅频特性的等效电路模型,且应用PSPICE进行仿真,仿真结果与理论分析基本一致,验证了SAW器件等效电路模型的正确性.     

MCT特性的PSPICE模拟

通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60E1进行计算。结果表明该方法简单易行，模拟结果可靠。     

基于PSPICE的肖特基势垒光电探测器的模拟

通过PSPICE对金属-半导体-金属光探测器(MSM-PD)进行晶体管级的电路模拟,分析了以E.Sa-no模型为基础的MSM-PD的电学特性.通过改变模型参数模拟了MSM-PD器件的直流、交流和瞬态特性,为高性能器件设计研究提供了一个新的方法.     

基于PSPICE的三相交流电路仿真分析

PSPICE是一个通用的电路设计和分析软件.在建立硬件电路之前,借助PSPICE进行模拟分析,根据实际要求设置不同的参数,来分析电路是否合理、是否需要变更、估计元器件的变化对电路造成的影响、分析一些较难测量的电路特性等等,从而得到一个合理的最优化电路,这样可以节省大量的时间和资金,使产品开发时间短、更新快.三相电路是日常工业用电和民用电的普遍供电方式,本文以三相电路为例,介绍PSPICE仿真分析的应用过程,具有一定的实用价值,对学习和掌握PSPICE有帮助作用.     

共射-共基电路的频率响应及其PSPI CE仿真

频率响应是放大电路的重要指标,是选择电路组态的一个重要依据文中对共射—共基放大电路的低频响应和高频响应进行了详细的分析和PSPICE仿真,给出了电路上限频率和下限频率与电路各电容的关系,并归纳了电路的特点.     

基于PSPICE的控制系统模拟仿真研究与实现

文章介绍了PSPICE在自动控制模拟仿真分析中的应用,更新了传统的设计与分析的模式,并给出了实用的电路仿真实例.     

用PSPICE软件分析由运放构成的滤波器电路

简要介绍了由运算放大器构成的滤波器电路的特点。指出利用PSPICE电路仿真软件，可以克服传统电路分析方法分析以上电路时，不易获得直观的计算结果等缺点，文章在电路分析基础上给出了仿真电路图和仿真程序，并对仿真计算结果进行了讨论。