脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向．着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响．     

脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向。着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响。     

脉冲激光沉积过程中TiO2等离子体状态诊断及薄膜特性的研究

脉冲激光沉积技术由于具有较高的沉积速率和良好的兼容性,已广泛应用于各种纳米薄膜材料的制备.探究激光等离子体状态与沉积薄膜特性之间的关系,有助于进一步调控与优化脉冲激光技术对薄膜材料的沉积.本文将等离子体状态诊断与沉积薄膜性能相结合,讨论了不同脉冲激光能量下等离子体状态对沉积薄膜性能的影响.结果表明,低烧蚀能量下产生的等离子体更有助于获得质地更好,且与靶材晶相一致的优良薄膜材料.该结果也为探索和调控沉积过程提供参考.     

脉冲激光沉积(PLD)机理分析及其应用

脉冲激光沉积薄膜是近年来发展起来的使用范围最广,最有希望的制膜技术．该文阐述了脉冲激光沉积技术的机理、特点,薄膜生长主要包括三个过程：1)激光与物质相互作用产生等离子体;2)等离子体向基片扩散;3)等离子体中粒子在基片上生长薄膜．文章还分析了脉冲沉积过程中各主要沉积参数,如激光能量密度、沉积气压和衬底情况等对薄膜质量的影响,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用。     

PLD法制备LiCoO2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积薄膜技术(PLD)制备了LiCoO2薄膜,研究了氧压、衬底、靶与底衬的距离对LiCoO2薄膜结构、化学组成的影响.     

椭偏光谱法研究激光脉冲沉积MgO薄膜材料生长

用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不间衬底温度和不同激光脉冲能量的Mgo薄膜。对生长、制备出的一系列Mgo薄膜进行了椭偏光谱测量研究，在300-800nm光谱波长范围内，得到了不同条件下生长制备的MgO薄膜的光学常数谱和膜厚，其结果显示：真空度、衬底温度和激光脉冲能量对生长Mgo薄膜的折射率、膜厚均有影响，高真空、高衬底温度和适中的激光脉冲能量有利于生长制备高折射率、高密度和高质量的Mgo薄膜。     

金刚石产品的脉冲激光制备与应用

详细介绍了用脉冲激光法制备金刚石产品的发展过程 ,并总结了脉冲激光沉积 (PLD)、液体靶脉冲激沉积 (LYPLD)以及脉冲激光诱导液 -固界面反应 (PLIIR)等几种典型的实验方法、实验装置以及所取得的成果 在脉冲激光沉积法 (PLD)制备金刚石薄膜方面重点总结了最近比较新颖的液体靶脉冲激光沉积技术 ,而在金刚石纳米晶的制备方面综述了脉冲激光诱导液 -固界面反应法 ,此法在制备亚稳态纳米晶体方面显示出了较独特的优越性 图 4,参 1 6     

PLD沉积DLC薄膜过程中碳等离子体的发射光谱特性

采用脉冲激光沉积方法,通过改变脉冲激光能量在单晶硅衬底上制备了类金刚石薄膜,利用椭圆偏振光谱和拉曼光谱对得到的薄膜进行测试,并对沉积过程中的碳等离子体发射光谱进行了研究。薄膜测试结果表明,随着脉冲激光能量的增大,薄膜sp^3成分增多。沉积过程中的碳等离子体发射光谱原位监测表明,随着脉冲激光能量的增大,C、C^＋、C^2＋粒子发射光谱强度增强,根据应力模型薄膜sp^3成分增多,与薄膜测试结果一致。并且发现C^＋粒子在形成sp^3键过程中起到了非常重要的作用。     

脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展

NiO作为一种优良的半导体材料,在传感器、催化剂、电致变色器件等领域都有着广泛的应用,纳米NiO又是很有前途的锂离子电池电极材料。脉冲激光沉积作为一种制备高质量NiO薄膜的可行方法。本文综述了脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展,包括多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。     

脉冲激光沉积薄膜创新开放实验的探索

利用大学生创新开放实验平台,设计了脉冲激光沉积薄膜实验。通过研究制备工艺对薄膜质量的影响,测量了最佳制备工艺条件下TiN薄膜的结构、表面形貌和光学性能。实验激起了学生的科学研究兴趣,对培养学生的创新意识和实践能力具有重大意义。     

可编程逻辑器件的发展及其应用

可编程逻辑器件（ＰＬＤ） 是用于自行设计、生产数字集成电路的器件, 自７０年代诞生以来, 得到了迅速发展． 介绍了ＰＬＤ发展过程中的典型器件ＰＡＬ、ＰＬＡ、ＧＡＬ、ＦＰＧＡ、ＥＰＬＤ等, ＰＬＤ尤其是高密度ＰＬＤ, 具有使用灵活、成本低廉和反复可编程等特点, 广泛应用于电子、通信等领域．     

在系统可编程技术在硬件设计中的应用

ISP(在系统可编程)技术在CMOS PLD领域中处于领先地位。ISP器件能完成很多的系统性能,所有的器件能够通过一个简单的菊花链结构进行编程,并利用丁载电缆将熔丝文件写入ISP器件。在熟悉ISP PLD技术的工作原理和VHDL环境并掌握ISP开发工具(包括WVOffice与ispDS+5．0)情况下,利用VHDL将该技术应用到MCU硬件的设计,并根据芯片的管脚锁定,利用PROTEL制成一块PCB,最后完成对MCU样机的调试。     

PLD设计工具综合评价标准的建立

为选择优秀的 PL D设计工具 ,构造适宜的集成设计环境 ,以缩短设计周期 ,提高设计质量 ,提出了 PL D设计工具的综合评价标准 .该标准是根据相关标准和 PL D设计工具的个性建立的 ,包括质量评价标准、标准化程度、先进性和智能性、性价比等 4个不同的方面 .该标准为用户选择 PL D设计工具提供了依据     

可编程逻辑器件在教学实践中的应用

本文分析了可编程逻辑器件的特点及在教学实践中的应用优势，并介绍了可编程逻辑器件在教学实践中的应用，并给出了一个基于可编程逻辑器件的课程设计实例．     

可编程逻辑器件的发展概述

数字集成电路经历了从小规模集成电路(SSI)，中规模集成电路(MSI)，大规模集成电路(LSI)，和超大规模集成电路(VLSI)的发展过程。PLD器件由早期的可编程只读存储器、可编程逻辑阵列、可编程阵列逻辑、通用阵列逻辑发展到复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列。PLD器件使数字系统的设计更加便利和高效，FPGA／CPLD和ASIC融合的趋势也越来越明显。     

脉冲激光沉积技术

薄膜技术作为一种有效的手段为材料的集成和器件的制备提供了坚实的基础.本文主要介绍脉冲激光沉积技术的基本原理、特点、优点和缺点.该方法尤其适合用来生长多组分、化学结构复杂的过渡金属氧化物薄膜.     

可编程逻辑器件及其在DSP系统中的应用

介绍了PLD(可编程逻辑器件 )的技术特点 ,并针对当前DSP系统中串并转换器选择调试困难的特点 ,提出利用PLD开发DSP系统中高速串行到高速并行的数据转换传输技术 ,以简化电路及程序编制 .使设计透明化 ,简易化 ,并结合实例 ,给出了新型串并转换器的原理图、时序图和设计要点 .     

光导纤维拉制塔控制系统中PLD的应用

介绍了一种基于PLD技术的光导纤维拉制塔控制系统，以拉制塔控制系统中的石英预制棒加热炉温控系统为例，阐述一种由PLD器件构成的数据采集和反馈控制系统的原理、功能及软件设计。该系统具有工作速度高、编程灵活的优势。能精确地控制加热炉的温度，从而保证光纤直径的准确性。     

基于PLD的参差脉冲周期电路的竞争冒险

数字电路中的竞争冒险是数字系统设计时必须考虑的因素，在可编程逻辑器件中，这一问题变得更加重要。针对利用可编程器件设计的参差脉冲周期电路，分析其竞争冒险产生的原因，提出了修改电路结构解决竞争冒险的办法。仿真结果证明了该方法的有效性。     

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si纯ZnO相的研究

通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO／Si异质结构进行了分析。结果表明：用该法可生长出正化学比的纯ZnO相,脉冲激光淀积(PLD)法生长ZnO／Si样品时氧离子束辅助(O^ -assisted)是必要的。